半导体器件的电极以及制造电容器的方法

发明公开

CN102082171A 半导体器件的电极以及制造电容器的方法失效 - 权利终止

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专利标题： 半导体器件的电极以及制造电容器的方法
专利标题（英）： Electrode of semiconductor device and method for fabricating capacitor
申请号： CN201010271741.5

申请日： 2010-09-03
公开(公告)号： CN102082171A

公开(公告)日： 2011-06-01
发明人: 都官佑 , 李起正 , 朴京雄 , 李正烨
申请人： 海力士半导体有限公司
申请人地址： 韩国京畿道
专利权人： 海力士半导体有限公司
当前专利权人： 海力士半导体有限公司
当前专利权人地址： 韩国京畿道
代理机构： 北京弘权知识产权代理事务所
代理商 郭放; 黄启行
优先权： 10-2009-0117424 2009.11.30 KR
主分类号： H01L29/45
IPC分类号： H01L29/45 ; H01L21/28 ; H01L29/92 ; H01L21/02

摘要：

本发明的半导体器件的电极包括TiCN层和TiN层。本发明的制造半导体器件电极的方法包括制备衬底、形成TiCN层和形成TiN层。

摘要（英）：

An electrode of a semiconductor device includes a TiCN layer and a TiN layer. A method for fabricating an electrode of a semiconductor device includes preparing a substrate, forming a TiCN layer, and forming a TiN layer.

公开/授权文献

CN102082171B 半导体器件的电极以及制造电容器的方法公开/授权日：2015-12-02

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/40	.按其电极特征区分的
H01L29/43	..以形成材料为特征的
H01L29/45	...欧姆电极