公开(公告)号：CN101572233B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200910135467.6

申请日：2009-04-28

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： H·舒尔泽 ,  M·普法芬莱纳 ,  H·-P·费尔斯尔 ,  T·古特 ,  F·-J·尼德诺斯泰德 ,  F·昂巴克

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/268 ,  H01L21/22 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66083 ,  H01L29/861

摘要： 本发明涉及包括激光退火的半导体器件制造方法。本发明提供了一种通过激光退火来制造半导体器件的方法。一个实施例提供具有第一表面和第二表面的半导体衬底。该第二表面与该第一表面相对布置。在该第二表面处把第一掺杂剂引入到半导体衬底内以使得其在半导体衬底中的峰值掺杂浓度位于相对于第二表面的第一深度。在第二表面处把第二掺杂剂引入到半导体衬底内以使得其在半导体衬底中的峰值掺杂浓度位于相对于第二表面的第二深度，其中所述第一深度大于所述第二深度。通过把至少一个激光束脉冲引导到第二表面上以使第二表面处的半导体衬底至少部分地熔化，来执行至少第一激光退火。

公开(公告)号：CN103367312B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201210574779.9

申请日：2012-12-26

申请人： 马克西姆综合产品公司

发明人： K·特兰 ,  J·P·埃卢尔 ,  E·M·戈德沙尔克 ,  池内清子 ,  A·斯里瓦斯塔瓦

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L29/92 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66083

摘要： 描述了半导体装置，其包含集成在其中的电容器。在一实施例中，半导体装置包含基板。基板包含多个电容器区，比如邻近彼此的第一电容器区和第二电容器区。每个电容器区包含形成在基板内的沟槽。金属‑绝缘体‑金属电容器形成在沟槽内并且至少部分地位于基板上方。设置在第一电容器区内的沟槽至少基本上垂直于设置在第二电容器区内的沟槽。

公开(公告)号：CN102176416A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110102116.2

申请日：2009-04-28

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： H·舒尔泽 ,  M·普法芬莱纳 ,  H·-P·费尔斯尔 ,  T·古特 ,  F·-J·尼德诺斯泰德 ,  F·昂巴克

IPC分类号： H01L21/328 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66083 ,  H01L29/861

摘要： 本发明涉及一种半导体器件，包括：包括第一表面（11）和第二表面（12）的半导体衬底（1），该第二表面与该第一表面相对布置；该第一表面（11）上的至少金属化层（13）；接近于该第二表面（12）的至少p掺杂区（5，25）；接近于该第二表面（12）的至少n掺杂区（6，26），其中所述p掺杂区和n掺杂区（5，25，6，26）包括位于相对于该第二表面（12）的不同深度的相应峰值掺杂浓度；和在所述p掺杂区和n掺杂区之间形成的pn结（J4）；其中所述p掺杂区（5，25）当投影到该第二表面上时是以下两者之一：连通区，其包括完全被该p掺杂区包围的具有n导电类型的部分（7，27）；和单连通区，其与该半导体衬底的横向边缘至少部分隔开。

公开(公告)号：CN105355665A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510752669.0

申请日：2015-11-06

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 张葶葶 ,  李亦衡 ,  王东盛 ,  苗操 ,  魏鸿源 ,  严文胜 ,  朱廷刚

IPC分类号： H01L29/86 ,  H01L29/06 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L29/0603 ,  H01L29/66083 ,  H01L29/68 ,  H01L2229/00

摘要： 本发明提供一种氮化镓功率器件及其制备方法，包括：衬底；外延层，其形成于衬底的上表面上，外延层的上部蚀刻形成有多组上凸的外延台阶，多组外延台阶沿径向间隔排列；第一金属层，沿径向间隔排列且与外延台阶交错排列；第二金属层，其包括多组连接部和两组用作外连布线电极的电极部，多组所述连接部分别形成于各组所述外延台阶和各组所述第一金属层的上表面，其中一组所述电极部连通各组所述外延台阶上的连接部，另一组所述电极部连通各组所述第一金属层上的连接部。该氮化镓功率器件不仅在相同功率下降低器件所占面积，而且在高电流驱动下，电流分布均匀、消除由局部区域的电流拥挤导致的器件过热。

公开(公告)号：CN100446276C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200480014384.7

申请日：2004-05-25

申请人： NXP股份有限公司

发明人： H·-M·里特 ,  M·吕布 ,  J·怀南茨

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L27/07

CPC分类号： H01L29/8618 ,  H01L27/0788 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66083 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： 一种具有肖特基类似特性的单片集成穿通二极管。这通过将肖特基金属区域(116)淀积在第一p掺杂阱(9)的至少部分表面上来实现。该肖特基金属区域(16)和p掺杂阱(9)形成肖特基二极管的金属半导体过渡。将本发明的PT二极管的过电压保护改进为具有小于0.5V的电压降的正向特性。

公开(公告)号：CN106298979A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510257420.2

申请日：2015-05-19

申请人： 北大方正集团有限公司 ,  深圳方正微电子有限公司

发明人： 贺冠中

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L29/04 ,  H01L21/328

CPC分类号： H01L29/92 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66083

摘要： 本发明涉及一种多晶硅电容及制造方法，其中方法包括：在不掺杂的多晶硅层的底层注入导电杂质，形成多晶硅电容的低阻值的下极板，在不掺杂的多晶硅层的中层注入绝缘杂质，形成多晶硅电容的绝缘介质层，在不掺杂的多晶硅层的上层注入所述导电杂质，形成多晶硅电容的低阻值的上极板，形成多晶硅电容，只需要生成一层多晶硅层，从而缩短了制造时间，降低了制造成本，减少了多晶硅电容的厚度。

公开(公告)号：CN104576713A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410852975.7

申请日：2014-12-31

申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

发明人： 梁凌燕 ,  李秀霞 ,  曹鸿涛 ,  罗浩 ,  刘权 ,  秦瑞锋

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/04 ,  H01L21/363

CPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41 ,  H01L29/66083

摘要： 本发明公开了一种pn结及其制备方法，该pn结包括n型Si半导体层和位于所述n型Si半导体层中部区域的p型SnO半导体层，其中，所述n型Si半导体层上设置有第一电极；所述p型SnO半导体层上设置有第二电极。本发明的pn结有明显的整流效应，可应用于发光二极管、太阳能电池、光电探测器、气敏传感器等半导体器件，扩大了氧化亚锡的应用范围。

公开(公告)号：CN103930974A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280056163.0

申请日：2012-10-08

申请人： 阿沃吉有限公司

发明人： 安德鲁·P·爱德华兹 ,  聂辉 ,  伊舍克·C·克孜勒亚尔勒 ,  林达·罗马诺 ,  大卫·P·布尔 ,  理查德·J·布朗 ,  托马斯·R·普朗蒂

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66143 ,  H01L21/26546 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/08 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66083 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66416 ,  H01L29/66924 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： 一种半导体结构包括具有第一侧和与第一侧相反的第二侧的III族-氮化物衬底。III族-氮化物衬底的特征在于第一导电类型和第一掺杂剂浓度。半导体结构还包括III族-氮化物外延结构，该III族-氮化物外延结构包括耦合到III族-氮化物衬底的第一侧的第一III族-氮化物外延层和多个第二导电类型的III族-氮化物区。多个III族-氮化物区在多个III族-氮化物区中的每个之间具有至少一个第一导电类型的III族-氮化物外延区。半导体结构还包括电耦合到多个III族-氮化物区中的一个或更多个和至少一个III族-氮化物外延区的第一金属结构。在第一金属结构与所述至少一个III族-氮化物外延区之间产生肖特基接触。

公开(公告)号：CN103367312A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210574779.9

申请日：2012-12-26

申请人： 马克西姆综合产品公司

发明人： K·特兰 ,  J·P·埃卢尔 ,  E·M·戈德沙尔克 ,  池内清子 ,  A·斯里瓦斯塔瓦

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L29/92 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66083

摘要： 描述了半导体装置，其包含集成在其中的电容器。在一实施例中，半导体装置包含基板。基板包含多个电容器区，比如邻近彼此的第一电容器区和第二电容器区。每个电容器区包含形成在基板内的沟槽。金属-绝缘体-金属电容器形成在沟槽内并且至少部分地位于基板上方。设置在第一电容器区内的沟槽至少基本上垂直于设置在第二电容器区内的沟槽。

公开(公告)号：CN102176416B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201110102116.2

申请日：2009-04-28

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： H·舒尔泽 ,  M·普法芬莱纳 ,  H·-P·费尔斯尔 ,  T·古特 ,  F·-J·尼德诺斯泰德 ,  F·昂巴克

IPC分类号： H01L21/328 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66083 ,  H01L29/861

摘要： 本发明涉及一种半导体器件，包括：包括第一表面（11）和第二表面（12）的半导体衬底（1），该第二表面与该第一表面相对布置；该第一表面（11）上的至少金属化层（13）；接近于该第二表面（12）的至少p掺杂区（5，25）；接近于该第二表面（12）的至少n掺杂区（6，26），其中所述p掺杂区和n掺杂区（5，25，6，26）包括位于相对于该第二表面（12）的不同深度的相应峰值掺杂浓度；和在所述p掺杂区和n掺杂区之间形成的pn结（J4）；其中所述p掺杂区（5，25）当投影到该第二表面上时是以下两者之一：连通区，其包括完全被该p掺杂区包围的具有n导电类型的部分（7，27）；和单连通区，其与该半导体衬底的横向边缘至少部分隔开。