发明公开
- 专利标题: 半导体装置
- 专利标题(英): Semiconductor device
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申请号: CN201310074184.1申请日: 2013-03-08
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公开(公告)号: CN103311191A公开(公告)日: 2013-09-18
- 发明人: 宫本升 , 角田义一
- 申请人: 三菱电机株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 三菱电机株式会社
- 当前专利权人: 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 何立波; 张天舒
- 优先权: 2012-053061 2012.03.09 JP
- 主分类号: H01L23/31
- IPC分类号: H01L23/31 ; H01L23/64 ; H01L23/367
摘要:
本发明的目的在于,提供一种能够将半导体元件和电容器接近配置并且具有高装载性的半导体装置。具备:半导体元件;第一电极,电连接于该半导体元件的上表面;第一内部电极,具有多个第一梳齿部和连结该多个第一梳齿部的第一连结部,该第一内部电极电连接于该半导体元件的下表面;第二电极,与该第一内部电极电连接;第二内部电极,具有不与该多个第一梳齿部接触地进入到该多个第一梳齿部之间的多个第二梳齿部、以及连结该多个第二梳齿部的第二连结部,该第二内部电极电连接于该第一电极的下表面;以及下部电介质,填补在该多个第一梳齿部和该多个第二梳齿部之间。
公开/授权文献
- CN103311191B 半导体装置 公开/授权日:2016-08-10
IPC分类: