公开(公告)号：CN103633138A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201210298991.7

申请日：2012-08-21

申请人： 朱江

发明人： 朱江

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/66075

摘要： 本发明公开了一种底部隔离电荷补偿结构半导体晶片，在半导体漂移层中条状电荷补偿半导体材料底部引入厚绝缘材料，提高半导体晶片反向偏压阻断能力；本发明还提供了一种电荷补偿结构半导体晶片的制备方法。

公开(公告)号：CN107833911A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711274973.4

申请日：2017-12-06

申请人： 无锡橙芯微电子科技有限公司

发明人： 张艳旺 ,  吴宗宪 ,  白福瑞

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/66075 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提出一种能降低超结器件导通电阻的外延结构及制作方法，在外延结构的剖视平面上，从所述第一导电类型外延层指向第一导电类型重掺杂衬底的深度方向上若干个第一导电类型注入区相连构成第一导电类型柱，若干个第二导电类型注入区相连构成第二导电类型柱，第一导电类型柱和第二导电类型柱交替平行分布，共同构成了超结结构；第一导电类型注入区的宽度为X，第二导电类型注入区的宽度为Y，器件单元体的宽度为L，且2Y+X

公开(公告)号：CN102811942B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180015150.4

申请日：2011-03-21

申请人： 艾尔默斯半导体股份公司

发明人： 恩德·腾海夫

IPC分类号： B81C1/00 ,  G01L9/00

CPC分类号： G01L1/16 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00626 ,  B81C2203/0735 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0098 ,  H01L27/20 ,  H01L29/66075

摘要： 在一种用于在适于制造集成电子器件的材料衬底、尤其是半导体衬底中制造微机电装置的方法中：提供材料衬底（12，14，16），在所述装置的制造期间在该材料衬底上构建至少一个表面结构（26）。在材料衬底(12，14，16)中通过使用传统的用于制造集成电子器件的方法的工艺步骤来构建电子器件（30）。在材料衬底(12，14，16)上选择性地从在材料衬底(12，14，16)的刻蚀情况下和/或在对设置在材料衬底(12，14，16)上的材料层（52）的刻蚀情况下分别用作刻蚀停止部的第一刻蚀停止材料中构建限定电子器件（30）的位置的和/或对于电子器件（30）的功能所需的器件部件（44）。在构建电子器件（30）的器件部件（44）的情况下也在材料衬底(12，14，16)上沿着表面结构（26）的边缘的至少一个部分区段从该刻蚀停止材料中构建形成该部分区段的边界的边界区域（48）。将这样构建的材料衬底(12，14，16)选择性地刻蚀来形成表面结构（26），其中边界区域（48）的边缘限定要构建的表面结构（26）在材料衬底(12，14，16)上的位置。

公开(公告)号：CN102811942A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201180015150.4

申请日：2011-03-21

申请人： 艾尔默斯半导体股份公司

发明人： 恩德·腾海夫

IPC分类号： B81C1/00 ,  G01L9/00

CPC分类号： G01L1/16 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00626 ,  B81C2203/0735 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0098 ,  H01L27/20 ,  H01L29/66075

摘要： 在一种用于在适于制造集成电子器件的材料衬底、尤其是半导体衬底中制造微机电装置的方法中：提供材料衬底（12，14，16），在所述装置的制造期间在该材料衬底上构建至少一个表面结构（26）。在材料衬底(12，14，16)中通过使用传统的用于制造集成电子器件的方法的工艺步骤来构建电子器件（30）。在材料衬底(12，14，16)上选择性地从在材料衬底(12，14，16)的刻蚀情况下和/或在对设置在材料衬底(12，14，16)上的材料层（52）的刻蚀情况下分别用作刻蚀停止部的第一刻蚀停止材料中构建限定电子器件（30）的位置的和/或对于电子器件（30）的功能所需的器件部件（44）。在构建电子器件（30）的器件部件（44）的情况下也在材料衬底(12，14，16)上沿着表面结构（26）的边缘的至少一个部分区段从该刻蚀停止材料中构建形成该部分区段的边界的边界区域（48）。将这样构建的材料衬底(12，14，16)选择性地刻蚀来形成表面结构（26），其中边界区域（48）的边缘限定要构建的表面结构（26）在材料衬底(12，14，16)上的位置。

公开(公告)号：CN107170813A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710498737.4

申请日：2017-06-26

申请人： 中国科学技术大学

发明人： 李海欧 ,  袁龙 ,  王柯 ,  张鑫 ,  郭光灿 ,  郭国平

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/18 ,  B82Y10/00

CPC分类号： H01L29/66977 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66075

摘要： 本发明公开了空穴型半导体电控量子点器件、其制备和使用方法。其包含非掺杂GaAs衬底(101)、非掺杂AlGaAs层(102)和表面非掺杂GaAs盖帽层(103)；欧姆接触源极(201)和漏极(204)，依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层(103)和非掺杂AlGaAs层(102)，进入非掺杂GaAs衬底(101)至少5nm；至少两个量子点小电极(402)，位于欧姆接触源极(201)和漏极(204)之间，处于表面非掺杂GaAs盖帽层上(103)；绝缘层(500)，覆盖表面非掺杂GaAs盖帽层(103)、量子点小电极(402)、以及欧姆接触源极(201)和漏极(204)的至少一部分；和栅极纳米条带(602)，设置在绝缘层(500)上，并且水平投影与欧姆接触源极(201)、漏极(204)以及量子点小电极(402)均有交叠。还公开了一种量子点装置。

公开(公告)号：CN105633171A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610166425.9

申请日：2016-03-22

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 田慧

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/40 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66075

摘要： 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示装置。该方案中，栅极为复合金属层的结构。其中，该复合金属层中靠近栅绝缘层的第一金属层中有掺杂离子，能够对有源层引入应力，从而改变有源层中沟道区的能带结构，进而改变载流子的有效质量和各向异性散射等，进而提高载流子的迁移率。而该复合金属层中远离栅绝缘层未掺杂有离子的金属层，可以有效保证整个栅极的电阻值。该方案中，通过对薄膜晶体管中的栅极的改进达到了提升载流子迁移率的目的，无需增加额外的结构，使得生产过程中的工艺简单。

公开(公告)号：CN105023940A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510379589.5

申请日：2015-07-01

申请人： 东南大学

发明人： 廖小平 ,  王凯悦

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/66075

摘要： 本发明是一种GaN基低漏电流固支梁MESFET传输门及制备方法，该传输门由固支梁N型MESFET和固支梁P型MESFET构成。该传输门的MESFET的制作在半绝缘GaN衬底上，其栅极上方设计了固支梁结构。固支梁下方设计了电极板。固支梁的下拉电压设计为等于型MESFET的阈值电压的绝对值。当在固支梁与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，固支梁是悬浮在栅极的上方，此时栅极处是断路的，MESFET始终工作在截止状态，而只有在固支梁与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，固支梁才会被下拉到贴在栅极上，栅极与固支梁短接，此时若输入端与输出端的电平值不同，则MESFET工作在导通状态。本发明减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗。

公开(公告)号：CN1669144A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN02808508.6

申请日：2002-04-18

申请人： BTG国际有限公司

发明人： 艾曼·桑 ,  佩尔·奥姆凌

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L29/775 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/335

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L29/66075 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/772 ,  H01L29/775 ,  H01L29/861

摘要： 具有更好的和可预设的特性的、纳米级的二极管器件，包括在一导电衬底中的蚀刻的绝缘线(8，16，18)，以限定所述线之间的电荷载流子流动路径，形成至少100nm长且宽小于100nm的细长沟道(20)。所述二极管的电流－电压特性类似于传统的二极管，但阈值电压(从0V到几伏)与电流级别(从nA到μA)都可以通过改变器件几何形状而被调节几个量级。标准的硅片可以用作衬底。全部逻辑门，如OR，AND，及NOT，可以基于该器件仅仅通过在所述衬底上简单地蚀刻绝缘线来制作。

公开(公告)号：CN106803515A

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201510845704.3

申请日：2015-11-26

申请人： 宁波达新半导体有限公司 ,  上海达新半导体有限公司

发明人： 高文玉 ,  孙娜 ,  陈智勇

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66053 ,  H01L29/66075

摘要： 本发明公开了一种半导体功率器件的终端结构，包括：多个P型场限环；介质隔离条将P型场限环之间的N型半导体材料表面完全覆盖；SIPOS层覆盖在各P型场限环的表面上并延伸到介质隔离条表面上；在SIPOS层表面覆盖有介质保护层。SIPOS层和P型场限环直接接触，SIPOS层和N型半导体材料间隔有所述介质隔离条，本发明通过介质隔离条来减少SIPOS层和底部半导体材料接触的面积从而减少漏电，通过SIPOS层和P型场限环直接接触来提高耐压一致性。本发明还公开了一种半导体功率器件的终端结构的制造方法。本发明能降低终端漏电，提高器件耐压以及耐压一致性，工艺简单。

公开(公告)号：CN106384749A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201610929260.6

申请日：2016-10-31

申请人： 杭州迦美信芯通讯技术有限公司 ,  上海迦美信芯通讯技术有限公司

发明人： 陈帅 ,  倪文海 ,  徐文华

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L29/84 ,  H01L29/66075

摘要： 本发明涉及一种压力传感器及其制作方法，在碳化硅SiC的衬底层上生长的外延层，包含GaN沟道层及该GAN沟道层上的AlGaN帽层，所述AlGaN帽层与GAN沟道层之间形成2DEG沟道；在所述AlGaN帽层上分别形成有源极、漏极；在所述AlGaN帽层的栅极位置上设置有经过高压极化的β型PVDF薄膜。本发明充分结合PVDF和HEMT的特点，制成的新型异质结压力传感器，可以有效提高感应灵敏度。