公开(公告)号：CN102742012B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201180005860.9

申请日：2011-01-10

Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司

Inventor： 恩德·腾海夫

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/007 ,  B81B3/0072 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00626 ,  B81C99/0035 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0047 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/84

Abstract: 一种半导体部件，尤其是为了用作微机电半导体器件诸如压力传感器或加速度传感器中的对于机械应力敏感的部件，具有：半导体衬底(1,5)，在该半导体衬底的上侧上通过离子注入引入有源区(78a，200)，该有源区由第一导电类型的材料构成。在有源区(78a，200)内构建有限定的长度(L)和宽度(B)的半导体沟道区。在有源区(78a，200)中纵向伸展部中的沟道区的端部上分别连接有接触区(79,80)，接触区由第二导电类型的半导体材料构建。沟道区被离子注入掩膜材料(81)覆盖，其具有限定沟道区的长度(L)的横向边缘以及限定沟道区的宽度(B)的纵向边缘，并且在沟道区的对置的并且与沟道区的纵向延伸端部平齐的横向边缘上分别具有边缘凹部(201，202)，与沟道区邻接的接触区(79,80)延伸至边缘凹部中。

公开(公告)号：CN102742012A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180005860.9

申请日：2011-01-10

Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司

Inventor： 恩德·腾海夫

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/007 ,  B81B3/0072 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00626 ,  B81C99/0035 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0047 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/84

Abstract: 一种半导体部件，尤其是为了用作微机电半导体器件诸如压力传感器或加速度传感器中的对于机械应力敏感的部件，具有：半导体衬底(1，5)，在该半导体衬底的上侧上通过离子注入引入有源区(78a，200)，该有源区由第一导电类型的材料构成。在有源区(78a，200)内构建有限定的长度(L)和宽度(B)的半导体沟道区。在有源区(78a，200)中纵向伸展部中的沟道区的端部上分别连接有接触区(79，80)，接触区由第二导电类型的半导体材料构建。沟道区被离子注入掩膜材料(81)覆盖，其具有限定沟道区的长度(L)的横向边缘以及限定沟道区的宽度(B)的纵向边缘，并且在沟道区的对置的并且与沟道区的纵向延伸端部平齐的横向边缘上分别具有边缘留空部(201，202)，与沟道区邻接的接触区(79，80)延伸至边缘留空部中。

公开(公告)号：CN102811942B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180015150.4

申请日：2011-03-21

Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司

Inventor： 恩德·腾海夫

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L1/16 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00626 ,  B81C2203/0735 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0098 ,  H01L27/20 ,  H01L29/66075

Abstract: 在一种用于在适于制造集成电子器件的材料衬底、尤其是半导体衬底中制造微机电装置的方法中：提供材料衬底（12，14，16），在所述装置的制造期间在该材料衬底上构建至少一个表面结构（26）。在材料衬底(12，14，16)中通过使用传统的用于制造集成电子器件的方法的工艺步骤来构建电子器件（30）。在材料衬底(12，14，16)上选择性地从在材料衬底(12，14，16)的刻蚀情况下和/或在对设置在材料衬底(12，14，16)上的材料层（52）的刻蚀情况下分别用作刻蚀停止部的第一刻蚀停止材料中构建限定电子器件（30）的位置的和/或对于电子器件（30）的功能所需的器件部件（44）。在构建电子器件（30）的器件部件（44）的情况下也在材料衬底(12，14，16)上沿着表面结构（26）的边缘的至少一个部分区段从该刻蚀停止材料中构建形成该部分区段的边界的边界区域（48）。将这样构建的材料衬底(12，14，16)选择性地刻蚀来形成表面结构（26），其中边界区域（48）的边缘限定要构建的表面结构（26）在材料衬底(12，14，16)上的位置。

公开(公告)号：CN102811942A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201180015150.4

申请日：2011-03-21

Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司

Inventor： 恩德·腾海夫

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L1/16 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00626 ,  B81C2203/0735 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0098 ,  H01L27/20 ,  H01L29/66075

Abstract: 在一种用于在适于制造集成电子器件的材料衬底、尤其是半导体衬底中制造微机电装置的方法中：提供材料衬底（12，14，16），在所述装置的制造期间在该材料衬底上构建至少一个表面结构（26）。在材料衬底(12，14，16)中通过使用传统的用于制造集成电子器件的方法的工艺步骤来构建电子器件（30）。在材料衬底(12，14，16)上选择性地从在材料衬底(12，14，16)的刻蚀情况下和/或在对设置在材料衬底(12，14，16)上的材料层（52）的刻蚀情况下分别用作刻蚀停止部的第一刻蚀停止材料中构建限定电子器件（30）的位置的和/或对于电子器件（30）的功能所需的器件部件（44）。在构建电子器件（30）的器件部件（44）的情况下也在材料衬底(12，14，16)上沿着表面结构（26）的边缘的至少一个部分区段从该刻蚀停止材料中构建形成该部分区段的边界的边界区域（48）。将这样构建的材料衬底(12，14，16)选择性地刻蚀来形成表面结构（26），其中边界区域（48）的边缘限定要构建的表面结构（26）在材料衬底(12，14，16)上的位置。