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公开(公告)号：CN105161490B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201510379993.2
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明是一种氮化镓基低漏电流悬臂梁场效应晶体管倒相器及制备方法，该倒相器由悬臂梁N型MESFET和悬臂梁P型MESFET构成。该倒相器的MESFET的制作在半绝缘GaN衬底上，其栅极上方设计了悬臂梁结构。悬臂梁下方设计了电极板。悬臂梁的下拉电压设计为等于型MESFET的阈值电压的绝对值。当在悬臂梁与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，悬臂梁是悬浮在栅极的上方，此时栅极处是断路的，MESFET工作在截止状态，而只有在悬臂梁与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，悬臂梁才会被下拉到贴在栅极上，栅极与悬臂梁短接，从而使MESFET工作在导通状态。本发明在工作中增大了栅极的阻抗，减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗。
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公开(公告)号：CN104967437B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201510378250.3
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/0185 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 本发明是一种硅基低漏电流悬臂梁栅CMOS传输门及制备方法，该传输门由悬臂梁栅NMOS管和悬臂梁栅PMOS管构成。该传输门的MOS管的制作在Si衬底上，其栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成悬臂梁结构。悬臂梁栅的下方设计有电极板。悬臂梁栅下拉电压设计为等于MOS管的阈值电压的绝对值。当在悬臂梁栅与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，悬臂梁栅是悬浮在栅氧化层的上方而只有在悬臂梁栅与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，悬臂梁栅才会下拉到贴在栅氧化层上，此时若输入端与输出端的电平值不同，则MOS管导通。本发明在工作中栅氧化层中的场强较小，所以减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗。
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公开(公告)号：CN103840744A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410058341.4
申请日：2014-02-20
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种物联网射频收发组件中光热电磁振动自供电微纳传感器，由一组尺寸相同的固支梁并排排列构成，固支梁的锚区分别固定在砷化镓衬底上，固支梁的底层是氮化硅层，氮化硅层上面是下极板，下极板上面是压电材料，压电材料上面是上极板，在固支梁下表面制作有天线结构，在固支梁周围环绕有竖立的MEMS热电堆，在固支梁上的中间设有ZnO/p-Si纳米级异质结，在ZnO/p-Si纳米级异质结的两侧的固支梁部分设有圆孔。本发明能够同时收集光能，热能，电磁能和振动能，有效降低射频收发组件的功耗，同时通过对热能、电磁能和振动能的收集，改善了射频收发组件的散热问题和电磁兼容问题，抑制了射频收发组件工作中的抖动，能有效的保证射频收发组件工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN104992941B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510378713.6
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/423 , B81B7/02
Abstract: 本发明是一种硅基低漏电流固支梁栅CMOS传输门及制备方法，该传输门由固支梁栅NMOS管和固支梁栅PMOS管构成。该传输门的MOS管的制作在Si衬底上，其栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成固支梁结构。固支梁栅的下方设计有电极板。固支梁栅下拉电压设计为等于MOS管的阈值电压的绝对值。当在固支梁栅与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，固支梁栅是悬浮在栅氧化层的上方，而只有在固支梁栅与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，固支梁栅才会下拉到贴在栅氧化层上，此时若输入端与输出端的电平值不同，则MOS管导通。本发明在工作中栅氧化层中的场强减小，所以减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗。
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公开(公告)号：CN103840744B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410058341.4
申请日：2014-02-20
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种物联网射频收发组件中光热电磁振动自供电微纳传感器，由一组尺寸相同的固支梁并排排列构成，固支梁的锚区分别固定在砷化镓衬底上，固支梁的底层是氮化硅层，氮化硅层上面是下极板，下极板上面是压电材料，压电材料上面是上极板，在固支梁下表面制作有天线结构，在固支梁周围环绕有竖立的MEMS热电堆，在固支梁上的中间设有ZnO/p-Si纳米级异质结，在ZnO/p-Si纳米级异质结的两侧的固支梁部分设有圆孔。本发明能够同时收集光能，热能，电磁能和振动能，有效降低射频收发组件的功耗，同时通过对热能、电磁能和振动能的收集，改善了射频收发组件的散热问题和电磁兼容问题，抑制了射频收发组件工作中的抖动，能有效的保证射频收发组件工作的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103825493B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410058553.2
申请日：2014-02-20
Applicant: 东南大学
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明的物联网射频收发机中的开孔混合梁振动能自供电微传感器，该微传感器以砷化镓衬底（4）为基底，由一个固支梁（1）和八个悬臂梁（2）构成，固支梁（1）两端的固支梁的锚区（3）固定在砷化镓衬底（4）上，八个悬臂梁（2）的尺寸相同,它们的锚区制作在固支梁（1）两侧的自由边上，每一侧有四个悬臂梁（2），且悬臂梁（2）之间的间隔一致。利用悬臂梁上设计不同的开孔的方法使得该开孔混合梁振动能自供电微传感器具有多种固有谐振频率，能够收集不同频率的振动能量，增大了频率带宽，更适用于振动频率复杂多变的振动环境，提高了能量收集效率和供电能力。同时由于振动能被收集，射频收发组件工作时不必要的抖动被抑制，增加了其工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN105140225A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510379914.8
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/423 , H01L21/8238
Abstract: 本发明是一种硅基低漏电流固支梁栅MOS管倒相器及制备方法，该倒相器由固支梁栅NMOS管和固支梁栅PMOS管构成。该倒相器的MOS管的制作在Si衬底上，其栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成固支梁结构。固支梁栅的下方设计有电极板，每个MOS管的电极板与该MOS管的源极短接。固支梁栅下拉电压设计为等于MOS管的阈值电压的绝对值。当在固支梁栅与电极板间的电压小于阈值电压时，固支梁栅是悬浮在栅氧化层的上方，而只有在固支梁栅与电极板间的电压达到或大于阈值电压时，固支梁栅才会下拉到贴在栅氧化层上，从而使MOS管导通。本发明在工作中增大了栅极的阻抗，减小了栅氧化层中的场强，所以减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗。
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公开(公告)号：CN104992940A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510379536.3
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/085 , H01L27/095 , H01L21/8232 , H01L29/423 , B81B7/02
Abstract: 本发明的是一种GaN基低漏电流悬臂梁MESFET传输门及制备方法，该传输门由悬臂梁N型MESFET和悬臂梁P型MESFET构成。MESFET的制作在半绝缘GaN衬底上，其栅极上方设计了悬臂梁结构。悬臂梁下方设计了电极板。悬臂梁的下拉电压设计为等于型MESFET的阈值电压的绝对值。当在悬臂梁与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，悬臂梁是悬浮在栅极的上方，此时栅极处是断路的，MESFET始终工作在截止状态，而只有在悬臂梁与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，悬臂梁才会被下拉到贴在栅极上，栅极与悬臂梁短接，此时若输入端与输出端的电平值不同，则MESFET工作在导通状态。本发明在工作中增大了栅极的阻抗，减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗。
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公开(公告)号：CN103840706A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410057825.7
申请日：2014-02-20
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明的射频收发机中的开孔悬臂梁振动能自供电微传感器，由一个主悬臂梁、8个副悬臂梁以及外围大电容和稳压电路组成。副悬臂梁制作在主悬臂梁两侧的自由边上。8个副悬臂梁上开有不同半径、间距以及数量的圆孔。本发明不仅具有传统的梁结构振动能自供电传感器的不发热、结构简单、无电磁干扰、清洁环保，机电转换效率高、输出电压高等诸多优点，而且由于振动能被收集，射频收发组件工作时不必要的抖动被抑制，增加了其工作的稳定性。同时，通过设计副悬臂梁上的开孔的半径、间距以及数量来使得8个副悬臂梁具有8种不同的固有谐振频率，增大了频率带宽，更适用于振动频率复杂多变的振动环境，提高了能量收集效率和供电能力。
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公开(公告)号：CN104992940B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510379536.3
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/085 , H01L27/095 , H01L21/8232 , H01L29/423 , B81B7/02
Abstract: 本发明的是一种GaN基低漏电流悬臂梁MESFET传输门及制备方法，该传输门由悬臂梁N型MESFET和悬臂梁P型MESFET构成。MESFET的制作在半绝缘GaN衬底上，其栅极上方设计了悬臂梁结构。悬臂梁下方设计了电极板。悬臂梁的下拉电压设计为等于型MESFET的阈值电压的绝对值。当在悬臂梁与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，悬臂梁是悬浮在栅极的上方，此时栅极处是断路的，MESFET始终工作在截止状态，而只有在悬臂梁与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，悬臂梁才会被下拉到贴在栅极上，栅极与悬臂梁短接，此时若输入端与输出端的电平值不同，则MESFET工作在导通状态。本发明在工作中增大了栅极的阻抗，减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗。
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