公开(公告)号：CN109755335A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811309975.7

申请日：2018-11-05

申请人： 东京应化工业株式会社

发明人： 廖日淳 ,  仲村亮正

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC分类号： C09D5/32 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628

摘要： 本发明涉及均匀系涂布液及其制造方法。一种均匀系涂布液，其含有：选自由第1族金属、第2族金属、第1族金属化合物及第2族金属化合物组成的组中的至少1种金属或金属化合物；选自由第13族金属及第13族金属化合物组成的组中的至少1种金属或金属化合物；路易斯碱溶剂；和路易斯酸。

公开(公告)号：CN105555790B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201480035813.2

申请日：2014-04-28

申请人： 赢创德固赛有限公司

发明人： J.斯特格 ,  A.梅库洛夫 ,  A.霍普佩

IPC分类号： C07F5/00 ,  C23C18/12 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/288 ,  C07F5/00 ,  C23C16/407 ,  C23C16/46 ,  C23C16/48 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664

摘要： 本发明涉及能够通过将至少一种醇化铟化合物溶解在至少一种溶剂中而制备的液体制剂，其中该醇化铟化合物可以通过使如下物质反应而制备：三卤化铟InX3，其中X=F、Cl、Br、I，和式R'2NH的仲胺，其中R'=烷基，与所述三卤化铟的摩尔比为8:1至20:1，在通式ROH的醇的存在下，其中R=烷基；本发明还涉及其制备方法、其用于制备含氧化铟的层或者（半）导体层的用途以及使用本发明的制剂制备含氧化铟的层的方法。

公开(公告)号：CN108807144A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810567998.1

申请日：2018-06-05

申请人： 合肥工业大学

发明人： 朱俊 ,  陆红波 ,  邱龙臻 ,  魏雅平 ,  王健越

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC分类号： H01L21/02521 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02694 ,  H01L51/4226 ,  H01L51/5012 ,  H01L2251/301

摘要： 本发明涉及一种冠醚辅助制备无机钙钛矿薄膜的方法及其应用，制备方法包括以下步骤(1)配置无机钙钛矿前驱体溶液；(2)在步骤(1)得到的前驱体溶液中加入冠醚；(3)将步骤(2)得到的溶液在衬底上进行旋涂，退火，得到无机钙钛矿薄膜；该方法得到的无机钙钛矿薄膜致密平整，可应用于太阳能电池和发光二极管等光电器件。

公开(公告)号：CN108766889A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810522017.1

申请日：2018-05-28

申请人： 华南理工大学

发明人： 宁洪龙 ,  周尚雄 ,  姚日晖 ,  袁炜健 ,  史沐杨 ,  李志航 ,  蔡炜 ,  朱镇南 ,  魏靖林 ,  彭俊彪

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L21/02 ,  H01L21/477 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/477 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，公开了一种溶液法制备氧化物薄膜晶体管的方法。将Zr(NO3)4·5H2O和In(NO3)3分别溶于乙二醇单甲醚中，得到绝缘层前驱体溶液和有源层前驱体溶液；在ITO玻璃衬底上旋涂绝缘层前驱体溶液，退火处理，得到氧化锆绝缘层薄膜；在氧化锆绝缘层薄膜上旋涂有源层前驱体溶液，退火处理，得到氧化铟有源层薄膜；在氧化铟有源层上蒸镀源/漏电极，得到氧化物薄膜晶体管。本发明通过制备氧化物前驱体溶液，结合旋涂以及退火工艺制备ZrO2和In2O3薄膜，并以这两种薄膜分别作为绝缘层和有源层制备TFT器件，无需真空环境，成本低，操作简便。

公开(公告)号：CN103646848B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201310435963.X

申请日：2005-06-02

申请人： 伊利诺伊大学评议会

发明人： R·G·纳佐 ,  J·A·罗杰斯 ,  E·梅纳德 ,  李建宰 ,  姜达荣 ,  孙玉刚 ,  M·梅尔特 ,  朱正涛

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L31/0392 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/76 ,  B81C2201/0185 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/308 ,  H01L21/322 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1896 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80862 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S977/707 ,  Y10S977/724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供用于制造可印刷半导体元件并将可印刷半导体元件组装至基片表面上的方法。本发明的方法和设备组件能在含有聚合物材料的基片上产生多种柔性电子和光电子器件以及器件阵列。本发明还提供能在拉伸状态下具有良好性能的可拉伸半导体元件及可拉伸电子器件。

公开(公告)号：CN105593233B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201480054107.2

申请日：2014-09-03

申请人： 道康宁公司

发明人： 萧冰·周

IPC分类号： C07F7/02 ,  C01B33/04 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02

CPC分类号： C01B33/04 ,  C07F7/025 ,  C23C16/24 ,  C23C16/50 ,  C23C18/1212 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639

摘要： 本发明公开了作为2，2，4，4‑四甲硅烷基五硅烷的化合物、包含其的化学组合物、制备和纯化2，2，4，4‑四甲硅烷基五硅烷的方法、由此制备的纯化的2，2，4，4‑四甲硅烷基五硅烷以及使用2，2，4，4‑四甲硅烷基五硅烷作为前体来形成含硅材料的方法。

公开(公告)号：CN104736747B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201380002359.6

申请日：2013-11-11

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 织田真也 ,  人罗俊实

IPC分类号： C30B29/16 ,  C23C16/40 ,  C30B7/14 ,  C30B25/14 ,  C30B29/22 ,  H01L21/205 ,  H01L21/368

CPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/20 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4482 ,  C30B7/14 ,  C30B25/14 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628

摘要： 提供能够同时实现碳杂质浓度的降低和高成膜速度、并且能够分别制作稳定的结晶结构的薄膜制造方法。本发明提供一种氧化物结晶薄膜的制造方法，其具备：使含有镓化合物和铟化合物中的至少一种和水的原料溶液进行微粒化，将所生成的原料微粒通过载气供给至成膜室中，在上述成膜室内配置的被成膜试样上形成氧化物结晶薄膜的工序，上述镓化合物和铟化合物中的至少一种为溴化物或碘化物。

公开(公告)号：CN107424910A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710132348.X

申请日：2011-11-22

申请人： 株式会社理光

发明人： 中村有希 ,  植田尚之 ,  安部由希子 ,  曾根雄司

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66969

摘要： 用于形成金属氧化物薄膜的涂布液，所述涂布液包含：无机铟化合物；无机镁化合物和无机锌化合物的至少一种；和二醇醚。

公开(公告)号：CN107403716A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710363619.2

申请日：2012-11-28

申请人： 株式会社理光

发明人： 中村有希 ,  植田尚之 ,  安部由希子 ,  曾根雄司 ,  松本真二 ,  高田美树子 ,  早乙女辽一

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/221 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明公开了形成金属氧化物薄膜的涂布液、金属氧化物薄膜、场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法。一种用于形成金属氧化物薄膜的涂布液包含：无机铟化合物；无机钙化合物或无机锶化合物，或这两种化合物；以及有机溶剂。通过涂布所述涂布液而形成的氧化物半导体用于场效应晶体管的活性层。

公开(公告)号：CN106887384A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201610918606.2

申请日：2013-03-29

申请人： 帝人株式会社

发明人： 今村哲也 ,  富泽由香 ,  池田吉纪

IPC分类号： H01L21/208 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/0257 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78666 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/208 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明的第1方面提供表面凹凸少、连续性高的硅层形成于基材上的半导体层合体的制造方法。本发明的第1方面的制造具有基材10和基材上的烧结硅粒子层5的半导体层合体的方法包含以下工序：(a)将含有分散介质和分散于分散介质中的硅粒子的硅粒子分散体涂布在基材10上，形成硅粒子分散体层1的工序；(b)将硅粒子分散体层1干燥，形成未烧结硅粒子层2的工序；(c)在未烧结硅粒子层上层合光透射性层3的工序；以及(d)穿过光透射性层3对未烧结硅粒子层2照射光，使构成未烧结硅粒子层2的硅粒子烧结，由此形成烧结硅粒子层5的工序。