公开(公告)号：CN110024089B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201780073946.2

申请日：2017-11-28

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  早乙女辽一 ,  新江定宪 ,  草柳岭秀 ,  安藤友一

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 一种氧化物或氧氮化物绝缘体膜形成用涂布液，所述涂布液包括：第A元素；选自第B元素和第C元素的至少一种；和溶剂，其中所述第A元素为选自Sc、Y、Ln(镧系元素)、Sb、Bi和Te的至少一种，所述第B元素为选自Ga、Ti、Zr和Hf的至少一种，所述第C元素为选自周期表中第2族元素的至少一种，并且所述溶剂包括选自闪点为21℃以上但小于200℃的有机溶剂和水的至少一种。

公开(公告)号：CN105849914B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201480071319.1

申请日：2014-12-16

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 安部由希子 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  早乙女辽一 ,  新江定宪

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

Abstract: p‑型氧化物半导体，其包括：包含铊(Tl)的金属氧化物，其中所述金属氧化物已经被空穴掺杂。

公开(公告)号：CN103460389B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201280016806.9

申请日：2012-03-28

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 安部由希子 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  松本真二 ,  兽根雄司 ,  高田美树子 ,  早乙女辽一

IPC: H01L29/24 ,  C01G3/00 ,  G09G3/30 ,  G09G3/34 ,  G09G3/36 ,  H01L21/338 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/242 ,  C01F5/06 ,  C01F11/04 ,  C01G3/02 ,  C01P2002/02 ,  G09G3/32 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78693

Abstract: p型氧化物，其为非晶的并且由如下组成式表示：xAO·yCu2O，其中x表示AO的摩尔比例和y表示Cu2O的摩尔比例，并且x和y满足以下表达式：0≤x

公开(公告)号：CN106611795A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201610915838.2

申请日：2016-10-20

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 早乙女辽一 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  平野由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  新江定宪 ,  草柳岭秀

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L27/12

CPC classification number: G09G3/3225 ,  G09G3/3406 ,  G09G3/344 ,  G09G3/348 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2310/0264 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/786 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管，显示元件，图像显示装置,系统以及场效应晶体管的栅绝缘层的组成物。提供难以产生因热处理而引起的在栅电极、源电极、漏电极和栅绝缘膜之间的剥离的场效应晶体管。本发明的场效应晶体管包括：用于施加栅电压的栅电极；用于取出电流的源电极和漏电极；与上述源电极和漏电极邻接设置的半导体层；以及设于上述栅电极和上述半导体层之间的栅绝缘层；上述场效应晶体管的特征在于:上述栅绝缘层包括含有Si及一种或多种碱土类金属元素的氧化物。

公开(公告)号：CN104094407A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201280068524.3

申请日：2012-11-28

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 安部由希子 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  高田美树子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  早乙女辽一

IPC: H01L29/24 ,  C01G30/00 ,  G02F1/1365 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L29/247 ,  C01G19/00 ,  C01G30/00 ,  C01P2002/72 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/861

Abstract: 提供p-型氧化物，其包括氧化物，其中所述氧化物包括：Cu；和元素M，其选自p区元素，并且其在作为离子存在时能够处于平衡状态，其中所述平衡状态是存在失去最外层的p轨道的全部电子的状态和失去最外层的全部电子的状态两者的状态，和其中所述p-型氧化物是非晶的。

公开(公告)号：CN104081510A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201280068540.2

申请日：2012-11-28

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 中村有希 ,  植田尚之 ,  安部由希子 ,  曾根雄司 ,  松本真二 ,  高田美树子 ,  早乙女辽一

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/221 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种用于形成金属氧化物薄膜的涂布液，包含：无机铟化合物；无机钙化合物或无机锶化合物，或这两种化合物；以及有机溶剂。通过涂布所述涂布液而形成的氧化物半导体用于场效应晶体管的活性层。

公开(公告)号：CN108886058B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201780018536.8

申请日：2017-03-16

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  早乙女辽一 ,  新江定宪 ,  草柳岭秀

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14

Abstract: 一种场效应晶体管，具有：栅电极，用于施加栅极电压；源电极和漏电极，用于传输电信号；有源层，其形成在所述源电极和漏电极之间；和栅极绝缘层，其形成在所述栅电极和有源层之间，所述场效应晶体管的特征在于，所述有源层包括至少两种氧化物层，层A和层B；并且所述有源层满足以下条件(1)和/或条件(2)。条件(1)：所述有源层包括3个或更多个氧化物层，其包括2个或更多个层A。条件(2)：所述层A的带隙低于所述层B的带隙，且所述层A的氧亲和力等于或高于所述层B的氧亲和力。

公开(公告)号：CN108780756B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201780017476.8

申请日：2017-03-14

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 松本真二 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  曾根雄司 ,  早乙女辽一 ,  新江定宪 ,  草柳岭秀

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786

Abstract: 提供了一种用于制造场效应晶体管的方法，所述场效应晶体管具有在所述第一氧化物层和第二氧化物层彼此相邻的区域中的前沟道或后沟道，所述方法包括：氧化物层形成步骤，用于形成是第二氧化物层的前体的第二前体层，以便与是第一氧化物层的前体的第一前体层相邻，然后将所述第一前体层和第二前体层分别转换为所述第一氧化物层和第二氧化物层，其中所述氧化物层形成步骤包括如下限定的处理(I)和(II)中的至少一个：(I)处理：用于涂覆能够形成第一氧化物前体并含有溶剂的涂布液；然后除去溶剂，由此形成第一前体层；和(II)处理：用于涂覆能够形成第二氧化物前体并含有溶剂的涂布液；除去溶剂，由此形成第二前体层。

公开(公告)号：CN108028270B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201680053386.X

申请日：2016-09-09

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  早乙女辽一 ,  新江定宪 ,  草柳岭秀

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/786

Abstract: 用于形成n‑型氧化物半导体膜的涂布液，所述涂布液包括：A组元素，其为选自如下的至少一种：Sc、Y、Ln、B、Al、和Ga；B组元素，其为如下的至少一种：In和Tl；C组元素，其为选自如下的至少一种：第4族元素、第5族元素、第6族元素、第7族元素、第8族元素、第9族元素、第10族元素、第14族元素、第15族元素、和第16族元素；和溶剂。

公开(公告)号：CN107204291B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201710153480.9

申请日：2017-03-15

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 曾根雄司 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  松本真二 ,  早乙女辽一 ,  新江定宪 ,  草柳岭秀

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管、存储和显示元件、显示装置和系统的制法。用于制造包括栅绝缘层、活性层、和钝化层的场效应晶体管的方法。所述方法包括形成所述栅绝缘层的第一过程；和形成所述钝化层的第二过程。所述第一过程和所述第二过程的至少一个包括：形成包含镓、钪、钇、和镧系元素的至少一种以及碱土金属的第一氧化物；和通过使用包含盐酸、草酸、硝酸、磷酸、乙酸、硫酸、和过氧化氢水的至少一种的第一溶液蚀刻所述第一氧化物。