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公开(公告)号：CN115911031A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210718052.7
申请日：2022-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L23/535
Abstract: 本公开的各种实施例针对3D IC和用于形成3D IC的方法。第二IC管芯位于第一IC管芯之下，而第三IC管芯位于第二IC管芯之下。第一管芯背面焊盘、第二管芯背面焊盘和第三管芯背面焊盘位于沿一个维度延伸的行中并且位于第一、第二和第三IC管芯之上。此外，第一管芯背面焊盘、第二管芯背面焊盘和第三管芯背面焊盘分别电连接到第一、第二和第三IC管芯的各自的半导体器件。第二和第三IC管芯包括在对应互连结构的顶部金属(TM)层处的各自的焊盘/桥接结构。焊盘/桥接结构共享共用的正面焊盘/桥接布局，并且为上述电连接提供在此维度上的横向布线。
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公开(公告)号：CN115910939A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210764345.9
申请日：2022-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及包括半导体衬底以及沿半导体衬底设置的多个半导体器件的半导体晶圆结构。包括多个介电层的介电堆叠件布置在半导体衬底上方。导电互连结构位于介电堆叠件内。密封环层位于介电堆叠件上方并且沿介电堆叠件的第一侧壁横向围绕介电堆叠件。密封环层包括延伸至半导体衬底中的第一沟槽中的第一突起。本申请的实施例还涉及半导体晶圆结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112490235A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201911357706.2
申请日：2019-12-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L21/768 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本公开涉及三维集成电路堆叠，所述三维集成电路堆叠包含第一集成电路管芯，所述第一集成电路管芯具有第一衬底和在第一衬底前侧上方的第一内连线结构；第二集成电路管芯具有第二衬底和在第二衬底前侧上方的第二内连线结构；以及第三集成电路管芯竖直于第一集成电路管芯与第二集成电路管芯之间且具有第三衬底、在第三衬底前侧上方的第三内连线结构以及在第三衬底背侧上方的第三接合结构。散热路径从第三衬底延伸到至少第一衬底或第二衬底且包含背侧接点，所述背侧接点从第三接合结构延伸到第三衬底的背侧且热耦接到至少第一内连线结构或第二内连线结构。
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公开(公告)号：CN112490235B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN201911357706.2
申请日：2019-12-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/768 , H10B80/00 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本公开涉及三维集成电路堆叠及其制造方法，所述三维集成电路堆叠包含第一集成电路管芯，所述第一集成电路管芯具有第一衬底和在第一衬底前侧上方的第一内连线结构；第二集成电路管芯具有第二衬底和在第二衬底前侧上方的第二内连线结构；以及第三集成电路管芯竖直于第一集成电路管芯与第二集成电路管芯之间且具有第三衬底、在第三衬底前侧上方的第三内连线结构以及在第三衬底背侧上方的第三接合结构。散热路径从第三衬底延伸到至少第一衬底或第二衬底且包含背侧接点，所述背侧接点从第三接合结构延伸到第三衬底的背侧且热耦接到至少第一内连线结构或第二内连线结构。
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公开(公告)号：CN113257796B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202110037764.8
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L25/00 , H01L23/498 , H01L23/535
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种包含接合到第二集成电路管芯的第一集成电路管芯的三维集成电路(IC)堆叠。第一集成电路管芯包含第一半导体衬底、配置在第一半导体衬底的前侧上的第一内连线结构以及配置在第一内连线结构上方的第一接合结构。第二集成电路管芯包含第二半导体衬底、配置在第二半导体衬底的前侧上的第二内连线结构以及配置在第二半导体衬底的背侧上的第二接合结构。第一接合结构面向第二接合结构。另外，三维集成电路堆叠包含从第二接合结构延伸到第二半导体衬底的背侧且热耦合到第一内连线结构或第二内连线结构中的至少一个的第一背侧接触件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113451246B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202110034765.7
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及集成芯片结构。集成芯片结构包括设置在衬底的第一侧上的标准通孔。过尺寸通孔设置在衬底的第一侧上，并且与标准通孔横向分隔开。过尺寸通孔具有大于标准通孔的宽度。互连线垂直接触过尺寸通孔。衬底通孔(TSV)从衬底的第二侧延伸并且穿过衬底，以物理接触过尺寸通孔或互连线。TSV具有小于过尺寸通孔的宽度的最小宽度。本申请的实施例还涉及形成集成芯片结构的方法。
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公开(公告)号：CN116631942A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310468848.6
申请日：2023-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/304
Abstract: 本公开的各个实施例涉及形成半导体结构的方法。该方法包括将第一半导体晶圆接合到第二半导体晶圆。接合界面设置在第一半导体晶圆和第二半导体晶圆之间。第一半导体晶圆具有横向地围绕中心区域的外围区域。在第一半导体晶圆的第一外边缘和第二半导体晶圆的第二外边缘之间形成支撑结构。支撑结构设置在外围区域内。对第二半导体晶圆执行减薄工艺。本发明的实施例还提供了形成集成芯片的方法。
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公开(公告)号：CN113451246A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110034765.7
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及集成芯片结构。集成芯片结构包括设置在衬底的第一侧上的标准通孔。过尺寸通孔设置在衬底的第一侧上，并且与标准通孔横向分隔开。过尺寸通孔具有大于标准通孔的宽度。互连线垂直接触过尺寸通孔。衬底通孔(TSV)从衬底的第二侧延伸并且穿过衬底，以物理接触过尺寸通孔或互连线。TSV具有小于过尺寸通孔的宽度的最小宽度。本申请的实施例还涉及形成集成芯片结构的方法。
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公开(公告)号：CN113257796A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110037764.8
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L25/00 , H01L23/498 , H01L23/535
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种包含接合到第二集成电路管芯的第一集成电路管芯的三维集成电路(IC)堆叠。第一集成电路管芯包含第一半导体衬底、配置在第一半导体衬底的前侧上的第一内连线结构以及配置在第一内连线结构上方的第一接合结构。第二集成电路管芯包含第二半导体衬底、配置在第二半导体衬底的前侧上的第二内连线结构以及配置在第二半导体衬底的背侧上的第二接合结构。第一接合结构面向第二接合结构。另外，三维集成电路堆叠包含从第二接合结构延伸到第二半导体衬底的背侧且热耦合到第一内连线结构或第二内连线结构中的至少一个的第一背侧接触件。
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公开(公告)号：CN221149944U
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202320964816.0
申请日：2023-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 在一些实施例中，本实用新型是关于一种双修整刀片工具，其包括：一壳体。一晶圆卡盘位于所述壳体内，用于容纳晶圆堆栈。一控制电路配置为控制所述晶圆卡盘。一具有第一刀片宽度的第一修整刀片，位于所述晶圆卡盘上方的所述壳体内，并配置为按照所述控制电路指示在所述晶圆堆栈的中心部分和周边部分之间切割环状沟渠。以及一具有第二刀片宽度的第二修整刀片，位于所述晶圆卡盘上方的所述壳体内，并配置为按照所述控制电路的指示移除所述晶圆堆栈中的所述周边部分，所述第二刀片宽度大于所述第一刀片宽度。
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