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公开(公告)号：CN115524008A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211113584.4
申请日：2022-09-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种红外实时监测功率二极管芯片温度的方法，其特征在于，包括：在待测功率二极管芯片表面制备碳化硼‑聚酰亚胺涂层；将功率二极管芯片接入老化电路，采用发射率校准红外法实时监测功率二极管芯片温度。本发明通过在芯片表面制备发射率ε均匀一致的碳化硼‑聚酰亚胺涂层，解决了因芯片表面材料发射率ε不一致而无法采用传统红外法准确测试芯片温度的问题，同时验证了涂层不会影响芯片表面电流和温度的分布状态。
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公开(公告)号：CN114894837A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210477013.2
申请日：2022-05-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明的定量评估铝基板表面微弧氧化膜散热性和绝缘性的方法包括：制备微弧氧化膜厚度不同的铝合金基板作为标定基板；表征铝合金基板表面微弧氧化膜厚度与铝合金基板绝缘性能的关系；在各标定基板上封装LED芯片制得标定样品；采用瞬态热阻法测试各标定样品的热阻；根据微分函数曲线确定微弧氧化膜厚度与微弧氧化膜热阻的独立关系；根据微弧氧化膜厚度、微弧氧化膜热阻和铝合金基板绝缘性能的关系，判定微弧氧化膜的安全厚度范围。本发明解决了现有技术既无法独立评估铝基板表面微弧氧化膜厚度对微弧氧化膜热阻的影响，又没有确定微弧氧化膜最小临界厚度的问题。
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公开(公告)号：CN117872073A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311695083.6
申请日：2023-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26 , G01R1/36 , G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅极双极性晶体管环境试验的高压偏置系统，系统采用集成化设计，将开关电路控制模块，开关指令模块和保护电路模块集成于一体。实现在IGBT器件环境可靠性试验过程中对试验系统的保护；实现在线对高压偏置下受试器件的切换功能，避免了因为对受试验器件偏置切换而中环境试验，提高了功率半导体器件环境可靠性试验的效率和安全性。该技术提高了IGBT器件环境可靠性试验的效率，同时保证了IGBT器件在环境可靠性试验中高压偏置下的安全性。本发明的设计方法简单易懂，工程实现容易，对功率半导体器件环境可靠性试验偏置电路的设计具有重要的工程应用价值。
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公开(公告)号：CN114894838A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210477014.7
申请日：2022-05-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明的定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法包括：制备一系列焊料层孔隙率相同、孔隙分布位置不同的标定样品；通过超声波扫描显微镜验证各标定样品焊料层孔隙分布情况；采用瞬态热阻法获得孔隙位置与热阻参数的关系；根据孔隙位置与热阻参数的关系，确定焊料层孔隙的安全分布范围。本发明根据焊料孔隙‑芯片焊盘中心点间距，定量确定焊料层孔隙的安全分布区域，剔除含有显著影响散热性能孔隙的器件，保留含有不显著影响散热性能孔隙的器件，减少NMOS晶体管不必要的批退、返厂和报废，提升NMOS晶体管的利用率，解决了传统方法无法定量评估焊料孔隙位置对NMOS晶体管散热性能影响程度的不足。
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公开(公告)号：CN118131020A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410398464.6
申请日：2024-04-03
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种预测BGA塑封器件焊球温度循环寿命的方法，包括：选取通过车规级AEC认证的BGA塑封器件，获得温度循环失效器件序数和失效周期；定位BGA焊球失效区域，结合X射线和剖面研磨确定其失效模式；计算特定次数温度循环试验条件下发生失效的器件数量；给出通过车规级AEC认证的BGA塑封器件温度循环本征寿命区间[Bmin，Bmax]；计算通过车规级AEC认证的BGA塑封器件温度循环本征平均寿命区间[Pmin，Pmax]；比较后给出未经AEC认证试验器件是否能满足AEC温度循环试验可靠性的结论。本发明解决了传统方法无法基于有限的实验数据准确预测特定置信度下BGA塑封器件温度循环寿命的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117648902A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311486006.X
申请日：2023-11-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/398 , G16C60/00 , G06F111/08 , G06F111/10 , G06F119/06 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 一种基于SiC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁的仿真方法，其步骤：a、获得所针对建模的SiC‑VDMOSFET器件元胞的结构参数及掺杂参数；b、对三维器件模型合理划分网格；c、采用TCAD中SiC材料专用的物理模型对所建立的三维器件模型先进行电参数校准；d、通过SRIM蒙特卡罗计算所仿真的重离子对象在SiC材料中不同透射深度下的LET值；e、建立三维圆柱状单粒子轰击模型解决了在传统二维单粒子仿真中的第三维度相当于二维形状的延展；f、在TCAD仿真中添加通过源漏界面处晶格温度不超过Ni熔点，作为单粒子烧毁的判据之一；g、沿着离子入射轨迹采集其不同时间下沿着入射深度电场强度以及电流密度的分布曲线，并将同一时刻两者相乘来表征在该时刻下不同位置所承受体积功率密度冲击的强度。
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公开(公告)号：CN117113894A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311049359.3
申请日：2023-08-18
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/3308 , G06F30/337 , G06F30/398
Abstract: 本发明的一种电路结构的单粒子效应数值仿真方法，能够在不开展地面辐照试验的情况下，通过数值仿真得到电路结构中的单粒子效应响应情况。该方法主要利用计算机辅助仿真工具对电路结构进行结构和物理建模，并辅助以半导体测试方法提取真实电路结构的电学参数信息，完成对实际物理过程的仿真。首先测量集成电阻的物理尺寸，根据实际尺寸对集成电阻进行结构建模；接着为模型添加物理过程，使数值仿真根据物理模型求解；然后测量集成电阻电阻的实际电阻值，根据实际电阻值为建立的模型进行校准。最后优化模型的数值仿真求解过程，提高数值仿真的精度和速度，不需要对电阻器开展价格昂贵的辐照试验，避免了试验过程中的试验误差，成本低、操作简单。
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公开(公告)号：CN116990650A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310537408.1
申请日：2023-05-15
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种瞬态热阻曲线优化TSV转接板散热性能的结构分析方法包括：制备TSV结构单元中心点间距不同的TSV转接板；测试TSV转接板击穿电压曲线；将二极管芯片封装在TSV转接板上，获得TSV结构单元中心点间距不同的二极管器件；采用瞬态热阻法测试二极管器件微分结构函数曲线，获得TSV结构单元中心点间距与热阻参数关系；根据TSV转接板击穿电压曲线和热阻曲线，确定最佳TSV结构单元中心点间距范围。本发明采用瞬态热阻法将TSV转接板的散热性能从二极管器件的散热性能中孤立出来，结合TSV转接板的绝缘性能，确定了TSV结构单元中心点安全间距范围，解决了传统方法无法从实验角度量化TSV转接板内硅通孔密度对二极管器件散热性能和绝缘性能的影响。
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公开(公告)号：CN116295845A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211184228.1
申请日：2022-09-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供一种倒装封装的GaN基LED芯片温度实时监测方法，包括：制备倒装封装的GaN基LED器件；积分球透射法测试蓝宝石基片红外透射率；红外相机间接表征YAG:Ce3+荧光胶的红外透射状态；积分球反射计法测试GaN基LED芯片的红外发射率；特定光谱波长的锑化铟红外透射法和瞬态热阻法分别测试GaN基LED芯片温度，验证锑化铟红外透射法的测温准确性；GaN基LED器件接入老化电路，特定光谱波长的锑化铟红外透射法实时监测GaN基LED芯片温度。本发明验证了特定波长红外光在蓝宝石基片和YAG:Ce3+荧光胶的透射性，解决现有技术无法实时监测倒装封装的GaN基LED芯片温度的问题。
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公开(公告)号：CN117894818A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311763529.4
申请日：2023-12-21
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H01L29/06 , G06F30/20 , H01L29/78 , H01L21/336 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种基于SIC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁加固结构及其制备方法，通过识别出器件中SEB的敏感区域，针对该位置在N型漂移区结构中合理设置二氧化硅阻挡区，在牺牲少量电特性的前提下，通过阻止出现需要同时承受高电应力与热应力的超高瞬时体积功率区域，提高SEB敏感区域的抗单粒子烧毁能力，进而提高器件整体的抗单粒子烧毁能力。本发明聚焦于电场峰值以及碰撞电离过程，绕开了当前SiC器件的单粒子烧毁机制不明的问题，并具有加固方案相对简单，方案实施更为明确，加固效果受流片工艺线的限制相对较小的特点。
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