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公开(公告)号：CN114355228B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202111512529.8
申请日：2021-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/40
Abstract: 本发明涉及光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法，移动靶、重离子枪、FPGA和第二中继器均置于真空辐照室内；被测光纤通信模块安装在移动靶上；SMA接头设置在真空辐照室舱壁上；被测光纤通信模块一路通道连接至SMA接头，再连接至误码仪；被测光纤通信模块其余通道连接FPGA，FPGA通过DB9串口连接至数据采集计算机；电源为被测光纤通信模块和FPGA提供直流稳定电压；主控计算机与电源连接；主控计算机、通讯板、第一中继器依次连接，第一中继器又通过DB9串口第二中继器与被测光纤通信模块内部寄存器连接。本发明涉及光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法，能够对光纤通信模块的单粒子效应进行测试。
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公开(公告)号：CN117810668A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311797555.9
申请日：2023-12-26
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提出一种可3D集成毫米波双腔滤波装置和耦合方法。与现有技术相比，本发明解决了传统开放式传输线构建的毫米波器件在自由空间内易辐射和损耗高的问题；同时基于将二维电路堆叠成三维滤波装置的方法，与传统金属波导滤波装置相比较，降低了制备成本，准圆波导谐振腔的可调谐参数更丰富，适用于灵活构建耦合窗口。采用了多种隔离方法来降低高密度SIP集成中的电磁波互耦合问题，激励了正交模式的准TE和TM模，构建了独立的正负耦合路径。本滤波装置的双零点灵活可调，端口适配于多种电磁波传输和耦合，既可以单独构建器件，也可用于毫米波器件的测试，或直接与SIP器件集成。
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公开(公告)号：CN115524008A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211113584.4
申请日：2022-09-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种红外实时监测功率二极管芯片温度的方法，其特征在于，包括：在待测功率二极管芯片表面制备碳化硼‑聚酰亚胺涂层；将功率二极管芯片接入老化电路，采用发射率校准红外法实时监测功率二极管芯片温度。本发明通过在芯片表面制备发射率ε均匀一致的碳化硼‑聚酰亚胺涂层，解决了因芯片表面材料发射率ε不一致而无法采用传统红外法准确测试芯片温度的问题，同时验证了涂层不会影响芯片表面电流和温度的分布状态。
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公开(公告)号：CN114894837A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210477013.2
申请日：2022-05-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明的定量评估铝基板表面微弧氧化膜散热性和绝缘性的方法包括：制备微弧氧化膜厚度不同的铝合金基板作为标定基板；表征铝合金基板表面微弧氧化膜厚度与铝合金基板绝缘性能的关系；在各标定基板上封装LED芯片制得标定样品；采用瞬态热阻法测试各标定样品的热阻；根据微分函数曲线确定微弧氧化膜厚度与微弧氧化膜热阻的独立关系；根据微弧氧化膜厚度、微弧氧化膜热阻和铝合金基板绝缘性能的关系，判定微弧氧化膜的安全厚度范围。本发明解决了现有技术既无法独立评估铝基板表面微弧氧化膜厚度对微弧氧化膜热阻的影响，又没有确定微弧氧化膜最小临界厚度的问题。
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公开(公告)号：CN111999626A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010764233.4
申请日：2020-08-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种可配置的半导体器件I-V特性测试装置及其测试方法，由PCB基板、电源端口、悬空端口、接地端口、第一夹具、第二夹具、单刀三掷开关组和单刀双掷开关组组成；电源端口、悬空端口和接地端口通过PCB基板引出，所述电源端口连接图示仪的电源端；接地端口连接图示仪的接地端；第一夹具和第二夹具分别用于安装失效器件和正常器件。本发明采用通用的双列直插夹具，可以较为简单地实现双列直插封装的半导体器件I-V特性测试，同样能够针对可转换为双列直插的其它形式封装半导体器件的I-V特性进行测试；通过单刀三掷开关切换选择需要进行I-V特性测试的管脚，通过双掷开关组实现失效器件和正常器件的I-V特性曲线快速对比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111273164A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010165155.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种电压调整器动态EMMI分析系统及分析方法,包括：EMMI平台、PCB基板、外部电源、信号发生器、V-I源。PCB基板置于EMMI平台上，PCB基板上通过插针安装有夹具一和夹具二，PCB基板包括信号端、电源端、公共地、负载端4个端口，4个端口分别与信号发生器、外部电源、系统地、V-I源相连，夹具一和夹具二分别用以安装失效电压调器和正常电压调整器。通过包含外部电源、信号发生器、V-I源在内的动态EMMI分析系统，能够使电压调整器内部器件进入工作状态，从而有效激发能够被微光显微镜获所取的缺陷。将失效电压调整器和正常电压调整器进行相同方式的加电，并且通过开关进行统一切换，能够快速实现动态EMMI图像的对比。
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公开(公告)号：CN106855613A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510887314.2
申请日：2015-12-07
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/40
CPC classification number: G01R31/40
Abstract: 本发明公开了一种用于二次电源模块单粒子辐射效应测试的装置包括：数字示波器、测温单元、PCB板、夹具；所述夹具安装于PCB板，所述夹具底部具有第一通孔，所述测温单元安装于所述第一通孔，二次电源模块安装于夹具时，二次电源模块的底部与测温单元的测温部件接触；所述数字示波器采集测温部件的输出。
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公开(公告)号：CN118209149A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410373385.X
申请日：2024-03-29
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01D18/00
Abstract: 本发明公开了批量化光电探测器宽温域下参数原位测试装置及试验方法，测试装置包括：光源、拆换法兰盘、滤波轮、隔热玻璃、高低温试验箱、测试板、三维运动模组、Y轴伺服电机、环境控制装置、X轴伺服电机、操作台。三维运动模组安装在高低温试验箱内部底座上，X轴伺服电机和Y轴伺服电机组分别与三维运动模组连接，测试板安装在三维运动模组的平台上。本发明通过创新性试验装置的设计，实现了宽温域试验条件下的原位测试，解决了传统光电探测器在进行宽温域变化的试验项目时，需要在多台设备间转移的问题；同时实现了测试板对待测光电器件一对多的控制，降低了试验成本，并通过试验方法设计，保证了对光电探测器批量化试验中测试条件的一致性。
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公开(公告)号：CN114414971B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111530294.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN117872073A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311695083.6
申请日：2023-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26 , G01R1/36 , G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅极双极性晶体管环境试验的高压偏置系统，系统采用集成化设计，将开关电路控制模块，开关指令模块和保护电路模块集成于一体。实现在IGBT器件环境可靠性试验过程中对试验系统的保护；实现在线对高压偏置下受试器件的切换功能，避免了因为对受试验器件偏置切换而中环境试验，提高了功率半导体器件环境可靠性试验的效率和安全性。该技术提高了IGBT器件环境可靠性试验的效率，同时保证了IGBT器件在环境可靠性试验中高压偏置下的安全性。本发明的设计方法简单易懂，工程实现容易，对功率半导体器件环境可靠性试验偏置电路的设计具有重要的工程应用价值。
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