公开(公告)号：CN110323206B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN201910246824.X

申请日：2019-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 詹瞻 ,  金洲铉 ,  姜成建 ,  李化成

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 一种测试元件组包括：测试元件，该测试元件包括在第一节点与第二节点之间串联连接的多个测试晶体管，其中第二节点连接到地节点；第一晶体管，连接在第一节点与电源节点之间；以及第二晶体管，被配置为生成与第一节点处的电压成比例的输出电流，并且连接到第一节点和电源节点。

公开(公告)号：CN106098775B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201610282358.7

申请日：2016-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伦楷 ,  李化成 ,  赵槿汇

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：栅结构，其在衬底上在第二方向上延伸；源/漏层，设置于衬底的在交叉第二方向的第一方向上与栅结构相邻的部分上；第一导电接触插塞，在栅结构上；以及第二接触插塞结构，其设置在源/漏层上。第二接触插塞结构包括第二导电接触插塞和绝缘图案，第二导电接触插塞和绝缘图案沿第二方向设置并且彼此接触。第一导电接触插塞和绝缘图案在第一方向上彼此相邻。第一和第二导电接触插塞彼此间隔开。

公开(公告)号：CN100527438C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200510004622.2

申请日：2005-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李化成 ,  上野哲嗣 ,  柳载润 ,  李浩 ,  李承换 ,  金炫锡 ,  朴文汉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/7854

Abstract: 一种至少五侧面沟道型FinFET晶体管(鳍式场效应晶体管)，其可以包括：基底；形成在所述基底上的半导体主体，所述主体的设置在长向具有其间夹一沟道区的源/漏极区域，至少所述沟道在基底上方在横贯长向的截面内具有至少五个平面表面；所述主体的沟道区上的栅极绝缘层；以及在栅极绝缘层上形成的栅极。

公开(公告)号：CN101452832A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810098840.0

申请日：2008-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  梁铉德 ,  田重锡 ,  李化成 ,  李来寅 ,  陈薇薇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/43 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78

Abstract: 示例实施例涉及一种形成锗硅化物层的方法、半导体装置、制造该装置的方法。根据示例实施例的形成Ge硅化物层的方法可以包括：在硅锗(SiGe)层上形成包含钒的金属层。金属层可以具有多层结构，并还可以包含铂(Pt)和镍(Ni)中的至少一种。可以将金属层进行退火以形成锗硅化物层。可以使用激光瞬间退火(LSA)方法来执行退火。

公开(公告)号：CN100468736C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200510059121.4

申请日：2005-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁炯硕 ,  李钟镐 ,  李化成 ,  崔在光

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种包括双栅极堆叠结构的集成电路器件及其形成方法。所述集成电路器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有第一掺杂区和第二掺杂区，该第二掺杂区具有不同于该第一掺杂区的掺杂类型。半导体衬底上的栅电极结构延伸于第一和第二掺杂区之间，该栅电极结构具有第一掺杂区中的第一高介电常数材料的栅极绝缘层以及第二掺杂区中的不同于第一高介电常数材料的第二高介电常数材料的栅极绝缘层。栅电极在栅极绝缘层上。

公开(公告)号：CN1790743A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510119980.8

申请日：2005-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 上野哲嗣 ,  李化成 ,  李浩 ,  申东石 ,  李承换

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/38 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/32 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明的晶体管包括具有{100}晶面的第一表面、高度低于第一表面的{100}晶面的第二表面和将第一表面连接到第二表面的{111}晶面的第三表面的半导体衬底。在第二表面下面形成第一重掺杂杂质区。在第一表面上形成栅极结构。在第二表面和第三表面上形成外延层。在栅极结构的两侧形成第二重掺杂杂质区。第二重掺杂杂质区具有{111}晶面的侧面，从而防止在杂质区之间产生短沟道效应。

公开(公告)号：CN1531107A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200310118865.X

申请日：2003-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相秀 ,  李来寅 ,  裵金钟 ,  金基喆 ,  李化成

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/4232 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供凹切栅极SONOS晶体管及其制造方法，所述凹切栅极SONOS晶体管包括：具有源/漏区的衬底；位于源/漏区之间的衬底上的栅绝缘层；凹切栅极结构，位于所述栅绝缘层上，并具有至少一个凹切；以及分别位于栅极结构的所述至少一个凹切中的至少一个ONO楔形结构。

公开(公告)号：CN1165085C

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN01100202.6

申请日：2001-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵金钟 ,  崔兑僖 ,  金相秀 ,  李化成 ,  李来寅 ,  李庚旭

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66916 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76259 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/802

Abstract: CMOS集成电路器件包括电绝缘层和在电绝缘层上的未形变的硅有源层。并在未形变的硅有源层表面上设置绝缘栅电极。在电绝缘层和未形变的硅有源层之间还设置Si1-xGex层。Si1-xGex层与未形变的硅有源层形成第一结，并具有沿从峰值朝未形变的硅有源层的表面延伸的第一方向单调地降低的渐变Ge浓度。

公开(公告)号：CN110620056B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201910192150.X

申请日：2019-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔芝影 ,  詹瞻 ,  金敏燮 ,  金洲铉 ,  姜成建 ,  李化成

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供了一种检测半导体装置的故障的方法，所述方法包括：在基底的有源区上形成有源鳍，所述有源鳍在第一方向上延伸；在有源鳍上形成栅极结构，所述栅极结构在与第一方向交叉的第二方向上延伸；在栅极结构的相对侧处的有源鳍的对应部分上形成源极/漏极层；形成电连接到源极/漏极层的布线；以及施加电压以测量源极/漏极层之间的漏电流。可以在有源区上形成仅一个或两个有源鳍。可以在有源鳍上形成仅一个或两个栅极结构。

公开(公告)号：CN112349680A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010766570.7

申请日：2020-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李美知 ,  郑泰荣 ,  赵润庆 ,  裴相友 ,  李化成

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括下布线、在下布线上的上布线以及在下布线与上布线之间的过孔。下布线具有彼此相对的第一端表面和第二端表面，上布线具有彼此相对的第三端表面和第四端表面，并且过孔具有与下布线的第二端表面相邻的第一侧面和与上布线的第三端表面相邻的第二侧面。过孔的第一侧面的下端与下布线的第二端表面的上端之间的距离小于过孔的顶表面的宽度的1/3，并且过孔的第二侧面的上端与上布线的第三端表面的上端之间的距离小于过孔的顶表面的宽度的1/3。