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公开(公告)号:CN110620056B
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN201910192150.X
申请日:2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 提供了一种检测半导体装置的故障的方法,所述方法包括:在基底的有源区上形成有源鳍,所述有源鳍在第一方向上延伸;在有源鳍上形成栅极结构,所述栅极结构在与第一方向交叉的第二方向上延伸;在栅极结构的相对侧处的有源鳍的对应部分上形成源极/漏极层;形成电连接到源极/漏极层的布线;以及施加电压以测量源极/漏极层之间的漏电流。可以在有源区上形成仅一个或两个有源鳍。可以在有源鳍上形成仅一个或两个栅极结构。
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公开(公告)号:CN110620056A
公开(公告)日:2019-12-27
申请号:CN201910192150.X
申请日:2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 提供了一种检测半导体装置的故障的方法,所述方法包括:在基底的有源区上形成有源鳍,所述有源鳍在第一方向上延伸;在有源鳍上形成栅极结构,所述栅极结构在与第一方向交叉的第二方向上延伸;在栅极结构的相对侧处的有源鳍的对应部分上形成源极/漏极层;形成电连接到源极/漏极层的布线;以及施加电压以测量源极/漏极层之间的漏电流。可以在有源区上形成仅一个或两个有源鳍。可以在有源鳍上形成仅一个或两个栅极结构。
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