公开(公告)号：US20180275507A1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：US15980783

申请日：2018-05-16

申请人： HOYA CORPORATION

发明人： Toshihiko ORIHARA ,  Kazuhiro HAMAMOTO ,  Hirofumi KOZAKAI ,  Youichi USUI ,  Tsutomu SHOKI ,  Junichi HORIKAWA

IPC分类号： G03F1/48 ,  H01L21/308 ,  G03F1/22 ,  G02B5/08 ,  G03F7/20 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/16 ,  C03C17/36 ,  C03C23/00 ,  C03C3/06 ,  C03C17/34

CPC分类号： G03F1/48 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C3/06 ,  C03C17/3435 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3636 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3665 ,  C03C23/0075 ,  C03C2201/42 ,  C03C2218/33 ,  G02B5/08 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/0891 ,  G03F1/22 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/70733 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085

摘要： Disclosed is a mask blank substrate for use in lithography, wherein the main surface on which the transfer pattern of the substrate is formed has a root mean square roughness (Rms) of not more than 0.15 nm obtained by measuring an area of 1 μm×1 μm with an atomic force microscope, and has a power spectrum density of not more than 10 nm4 at a spatial frequency of not less than 1 μm−1.

公开(公告)号：US20080113303A1

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：US11956248

申请日：2007-12-13

申请人： Peter Silverman

发明人： Peter Silverman

IPC分类号： G03F7/26 ,  C23C14/14

CPC分类号： G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3636 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3665 ,  C03C2217/734 ,  G21K1/062 ,  G21K1/10

摘要： Techniques, methods, and structures disclosed in relation to extreme ultraviolet (EUV) lithography in semiconductor processing. In one exemplary implementation, a method may comprise using ion beam deposition to deposit a first multilayer stack of thin films on a substrate to planarize and smooth surface defects on the substrate. The method includes using atomic layer deposition to deposit a second multilayer stack of thin films on the first multilayer stack of thin films. The second multilayer stack of thin films may comprise an extreme ultraviolet reflective multilayer stack. The second multilayer stack of thin films may comprise fewer surface defects than the first multilayer stack of thin films. The method may further comprise processing an extreme ultraviolet mask blank to form an extreme ultraviolet reflective mask.

摘要翻译： 在半导体处理中与极紫外（EUV）光刻有关的技术，方法和结构。 在一个示例性实施方案中，方法可以包括使用离子束沉积在衬底上沉积薄膜的第一多层叠层，以平坦化和平滑衬底上的表面缺陷。 该方法包括使用原子层沉积在薄膜的第一多层堆叠上沉积第二多层薄膜。 第二层薄膜可以包括极紫外反射多层叠层。 薄膜的第二多层堆叠可以包括比第一多层薄膜更少的表面缺陷。 该方法还可以包括处理极紫外线掩模毛坯以形成极紫外反射掩模。

公开(公告)号：US07326502B2

公开(公告)日：2008-02-05

申请号：US10665416

申请日：2003-09-18

申请人： Peter J. Silverman

发明人： Peter J. Silverman

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3636 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3665 ,  C03C2217/734 ,  G21K1/062 ,  G21K1/10

摘要： Techniques, methods, and structures disclosed in relation to extreme ultraviolet (EUV) lithography in semiconductor processing. In one exemplary implementation, a method may comprise using ion beam deposition to deposit a first multilayer stack of thin films on a substrate to planarize and smooth surface defects on the substrate. The method includes using atomic layer deposition to deposit a second multilayer stack of thin films on the first multilayer stack of thin films. The second multilayer stack of thin films may comprise an extreme ultraviolet reflective multilayer stack. The second multilayer stack of thin films may comprise fewer surface defects than the first multilayer stack of thin films. The method may further comprise processing an extreme ultraviolet mask blank to form an extreme ultraviolet reflective mask.

摘要翻译： 在半导体处理中与极紫外（EUV）光刻有关的技术，方法和结构。 在一个示例性实施方案中，方法可以包括使用离子束沉积在衬底上沉积薄膜的第一多层叠层，以平坦化和平滑衬底上的表面缺陷。 该方法包括使用原子层沉积在薄膜的第一多层堆叠上沉积第二多层薄膜。 第二层薄膜可以包括极紫外反射多层叠层。 薄膜的第二多层堆叠可以包括比第一多层薄膜更少的表面缺陷。 该方法还可以包括处理极紫外线掩模毛坯以形成极紫外反射掩模。

公开(公告)号：US20070178387A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：US10592320

申请日：2005-03-07

申请人： Hiroyuki Ishida ,  Tamiya Aiyama ,  Koichi Maruyama

发明人： Hiroyuki Ishida ,  Tamiya Aiyama ,  Koichi Maruyama

IPC分类号： B32B9/00 ,  B32B17/10 ,  B32B17/06 ,  G03F1/00 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F1/72 ,  C03C17/3607 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3665 ,  C03C17/38 ,  C03C2218/355 ,  G03F1/84 ,  Y10T428/31616

摘要： A mask blank is provided by forming a plurality of films, including at least a thin film to be a transfer pattern, on a board. At the time of patterning a resist film of the mask blank according to pattern data, film information to check with a pattern is obtained for each of a plurality of the films.

摘要翻译： 通过在板上形成至少包括作为转印图案的薄膜的多个膜来提供掩模坯料。 在根据图案数据对掩模毛坯的抗蚀剂膜进行图案化时，对于多个膜中的每一个获得用于检查图案的胶片信息。

公开(公告)号：US20070091420A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11580934

申请日：2006-10-16

申请人： Morio Hosoya ,  Takeyuki Yamada ,  Akira Ikeda

发明人： Morio Hosoya ,  Takeyuki Yamada ,  Akira Ikeda

IPC分类号： F21V9/04 ,  G02B5/20

CPC分类号： G02B5/0891 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3613 ,  C03C17/3615 ,  C03C17/3636 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3665 ,  C03C17/40 ,  C03C2217/734 ,  G02B5/0875 ,  G03F1/24 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

摘要： A multilayer reflective film coated substrate includes a multilayer under film comprised of Mo/Si alternately-layered films and a multilayer reflective film comprised of Mo/Si alternately-layered films for reflecting exposure light. The multilayer under film and the multilayer reflective film are formed on a substrate in this order. Given that a cycle length of the multilayer under film is d bottom (unit: nm) and a cycle length of the multilayer reflective film is d top (unit: nm), a relationship of a formula (1) is satisfied when d bottom>d top, the formula (1) given by (n+0.15)×d top≦d bottom≦(n+0.9)×d topwhere n is a natural number equal to or greater than 1.

摘要翻译： 多层反射膜被覆基板包括由Mo / Si交替层叠膜构成的多层膜，以及由用于反射曝光光的Mo / Si交替层叠膜构成的多层反射膜。 膜下的多层膜和多层反射膜依次形成在基板上。 假设膜的多层膜的周期长度为d（单位：nm），多层反射膜的周期长度为d（单位：nm），则当d底> （n + 0.15）xd top <= d bottom <=（n + 0.9）xd顶部，由<？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“lead” <？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“tail”？>其中n是等于或大于1的自然数。

公开(公告)号：US20060251973A1

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：US11401863

申请日：2006-04-12

申请人： Satoru Takaki ,  Kazuyuki Hayashi

发明人： Satoru Takaki ,  Kazuyuki Hayashi

IPC分类号： G21K5/00 ,  B32B9/00 ,  B32B17/06 ,  G03F1/00

CPC分类号： C03C17/36 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/3615 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3665 ,  C03C2217/734 ,  C03C2218/156 ,  C03C2218/33 ,  C23C14/46 ,  G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

摘要： A reflective-type mask blank for EUV lithography for reducing the EUV ray reflectance at the absorbing layer and a method for producing the mask blank are presented. A reflective-type mask blank for EUV lithography comprising a substrate and a reflective layer for reflecting EUV light and an absorbing layer for absorbing EUV light, which are formed on the substrate in this order, the reflective-type mask blank for EUV lithography being characterized in that the absorbing layer is a Cr layer of low EUV ray reflectance deposited by an ion beam sputtering method.

摘要翻译： 本发明提供了一种EUV光刻用于减少吸收层上的EUV射线反射率的反射型掩模坯料及其制造方法。 EUV光刻用的反射型掩模板包括用于反射EUV光的基板和用于反射EUV光的反射层和用于吸收EUV光的吸收层，其依次形成在基板上，用于EUV光刻的反射型掩模板被表征 因为吸收层是通过离子束溅射法沉积的低EUV射线反射率的Cr层。

公开(公告)号：US20030162005A1

公开(公告)日：2003-08-28

申请号：US10373104

申请日：2003-02-26

申请人： HOYA CORPORATION

发明人： Tsutomu Shoki

IPC分类号： B32B007/02

CPC分类号： G03F1/38 ,  B32B7/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3615 ,  C03C17/3636 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3665 ,  C03C2217/734 ,  G03F1/24 ,  Y10T428/24777 ,  Y10T428/24942

摘要： A reflective-type mask blank for exposure comprises a substrate (11), a reflective multilayer film (12) formed on the substrate for reflecting light, and an absorber film (14) formed on the reflective multilayer film. A protection layer (15) is formed on side surfaces of the reflective multilayer film.

摘要翻译： 用于曝光的反射型掩模坯料包括基板（11），形成在用于反射光的基板上的反射多层膜（12）和形成在反射多层膜上的吸收膜（14）。 在反射性多层膜的侧面形成有保护层（15）。

公开(公告)号：US09494851B2

公开(公告)日：2016-11-15

申请号：US14348413

申请日：2013-03-28

申请人： HOYA CORPORATION

发明人： Toshihiko Orihara ,  Kazuhiro Hamamoto ,  Hirofumi Kozakai ,  Youichi Usui ,  Tsutomu Shoki ,  Junichi Horikawa

IPC分类号： G03F1/50 ,  G03F1/22 ,  G02B5/08 ,  G03F1/48 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/20 ,  C03C3/06 ,  C03C17/34 ,  C03C17/36 ,  C03C23/00

CPC分类号： G03F1/48 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C3/06 ,  C03C17/3435 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3636 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3665 ,  C03C23/0075 ,  C03C2201/42 ,  C03C2218/33 ,  G02B5/08 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/0891 ,  G03F1/22 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/70733 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085

摘要： Disclosed is a mask blank substrate for use in lithography, wherein the main surface on which the transfer pattern of the substrate is formed has a root mean square roughness (Rms) of not more than 0.15 nm obtained by measuring an area of 1 μm×1 μm with an atomic force microscope, and has a power spectrum density of not more than 10 nm4 at a spatial frequency of not less than 1 μm−1.

摘要翻译： 公开了一种用于光刻的掩模空白基板，其中形成基板的转印图案的主表面具有通过测量1μm×1的面积获得的不大于0.15nm的均方根粗糙度（Rms） 具有原子力显微镜，并且在不小于1μm-1的空间频率下具有不大于10nm 4的功率谱密度。

公开(公告)号：US20100178597A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：US12685218

申请日：2010-01-11

申请人： Hiroyuki ISHIDA ,  Tamiya Aiyama ,  Koichi Maruyama

发明人： Hiroyuki ISHIDA ,  Tamiya Aiyama ,  Koichi Maruyama

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/72 ,  C03C17/3607 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3665 ,  C03C17/38 ,  C03C2218/355 ,  G03F1/84 ,  Y10T428/31616

摘要： A mask blank is provided by forming a plurality of films, including at least a thin film to be a transfer pattern, on a board. At the time of patterning a resist film of the mask blank according to pattern data, film information to check with a pattern is obtained for each of a plurality of the films.

摘要翻译： 通过在板上形成至少包括作为转印图案的薄膜的多个膜来提供掩模坯料。 在根据图案数据对掩模毛坯的抗蚀剂膜进行图案化时，对于多个膜中的每一个获得用于检查图案的胶片信息。

公开(公告)号：US07660456B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US10592320

申请日：2005-03-07

申请人： Hiroyuki Ishida ,  Tamiya Aiyama ,  Koichi Maruyama

发明人： Hiroyuki Ishida ,  Tamiya Aiyama ,  Koichi Maruyama

IPC分类号： G06K9/00 ,  G03F1/00 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F1/72 ,  C03C17/3607 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3665 ,  C03C17/38 ,  C03C2218/355 ,  G03F1/84 ,  Y10T428/31616

摘要： A mask blank is provided by forming a plurality of films, including at least a thin film to be a transfer pattern, on a board. At the time of patterning a resist film of the mask blank according to pattern data, film information to check with a pattern is obtained for each of a plurality of the films.

摘要翻译： 通过在板上形成至少包括作为转印图案的薄膜的多个膜来提供掩模坯料。 在根据图案数据对掩模毛坯的抗蚀剂膜进行图案化时，对于多个膜中的每一个获得用于检查图案的胶片信息。