公开(公告)号：US20130001718A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13611230

申请日：2012-09-12

申请人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Zheng Gao ,  Xiaobin Wang

发明人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Zheng Gao ,  Xiaobin Wang

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： G11C11/161

摘要： Magnetic tunnel junctions having a specular insulative spacer are disclosed. The magnetic tunnel junction includes a free magnetic layer, a reference magnetic layer, an electrically insulating and non-magnetic tunneling barrier layer separating the free magnetic layer from the reference magnetic layer, and an electrically insulating and electronically reflective layer positioned to reflect at least a portion of electrons back into the free magnetic layer.

摘要翻译： 公开了具有镜面绝缘间隔物的磁隧道结。 磁性隧道结包括自由磁性层，参考磁性层，将自由磁性层与参考磁性层分离的电绝缘和非磁性隧道势垒层，以及电绝缘和电子反射层，其被定位成反射至少一个 部分电子返回自由磁性层。

公开(公告)号：US20120299135A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13568409

申请日：2012-08-07

申请人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Dexin Wang ,  Haiwen Xi ,  Xiaobin Wang ,  Wei Tian ,  Xiaohua Lou

发明人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Dexin Wang ,  Haiwen Xi ,  Xiaobin Wang ,  Wei Tian ,  Xiaohua Lou

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： G11C11/161

摘要： An apparatus that includes a magnetic structure including a reference layer; and a free layer; an exchange coupling spacer layer; and a stabilizing layer, wherein the exchange coupling spacer layer is between the magnetic structure and the stabilizing layer and exchange couples the free layer of the magnetic structure to the stabilizing layer.

摘要翻译： 一种包括具有参考层的磁性结构的装置; 和自由层; 交换耦合间隔层; 和稳定层，其中所述交换耦合间隔层位于所述磁性结构和所述稳定层之间并且将所述磁性结构的自由层与所述稳定层交换。

公开(公告)号：US08309945B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US13396731

申请日：2012-02-15

申请人： Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Yang Dong ,  Muralikrishnan Balakrishnan ,  Ivan Petrov Ivanov ,  Ming Sun ,  Dimitar Velikov Dimitrov

发明人： Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Yang Dong ,  Muralikrishnan Balakrishnan ,  Ivan Petrov Ivanov ,  Ming Sun ,  Dimitar Velikov Dimitrov

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C13/0011 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/16

摘要： Programmable metallization memory cells having a planarized silver electrode and methods of forming the same are disclosed. The programmable metallization memory cells include a first metal contact and a second metal contact, an ion conductor solid electrolyte material is between the first metal contact and the second metal contact, and either a silver alloy doping electrode separates the ion conductor solid electrolyte material from the first metal contact or the second metal contact, or a silver doping electrode separates the ion conductor solid electrolyte material from the first metal contact. The silver electrode includes a silver layer and a metal seed layer separating the silver layer from the first metal contact.

公开(公告)号：US08289759B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US13091372

申请日：2011-04-21

申请人： Xiaobin Wang ,  Yong Lu ,  Haiwen Xi ,  Yuankai Zheng ,  Yiran Chen ,  Harry Hongyue Liu ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wei Tian ,  Brian S. Lee

发明人： Xiaobin Wang ,  Yong Lu ,  Haiwen Xi ,  Yuankai Zheng ,  Yiran Chen ,  Harry Hongyue Liu ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wei Tian ,  Brian S. Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01F10/329 ,  B82Y25/00 ,  G06F7/588 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1677 ,  G11C11/1693 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286

摘要： A method and apparatus for writing data to a non-volatile memory cell, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell. In some embodiments, a selected resistive state is written to a magnetic tunneling structure by applying a succession of indeterminate write pulses thereto until the selected resistive state is verified.

摘要翻译： 一种将数据写入非易失性存储单元的方法和装置，例如自旋转矩传递随机存取存储器（STRAM）存储单元。 在一些实施例中，通过将一系列不确定的写入脉冲施加到磁性隧道结构中来将所选择的电阻状态写入到所选择的电阻状态。

公开(公告)号：US08288749B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US13445351

申请日：2012-04-12

申请人： Young Pil Kim ,  Nurul Amin ,  Dadi Setiadi ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Wei Tian ,  Insik Jin

发明人： Young Pil Kim ,  Nurul Amin ,  Dadi Setiadi ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Wei Tian ,  Insik Jin

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L29/47

CPC分类号： H01L27/0814 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C13/0002 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/224 ,  H01L27/2409 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/14 ,  H01L45/143 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： A switching element that includes a first semiconductor layer, the first semiconductor layer having a first portion and a second portion; a second semiconductor layer, the second semiconductor layer having a first portion and a second portion; an insulating layer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; a first metal contact in contact with the first portion of the first semiconductor layer forming a first junction and in contact with the first portion of the second semiconductor layer forming a second junction; a second metal contact in contact with the second portion of the first semiconductor layer forming a third junction and in contact with the second portion of the second semiconductor layer forming a fourth junction, wherein the first junction and the fourth junction are Schottky contacts, and the second junction and the third junction are ohmic contacts.

摘要翻译： 一种开关元件，包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和第二部分; 第二半导体层，所述第二半导体层具有第一部分和第二部分; 设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的绝缘层; 与所述第一半导体层的所述第一部分接触的第一金属触点，形成第一结，并与所述第二半导体层的所述第一部分接触形成第二结; 第二金属触点与第一半导体层的第二部分接触形成第三结，并与第二半导体层的第二部分接触形成第四结，其中第一结和第四结是肖特基接触， 第二结和第三结是欧姆接触。

公开(公告)号：US08248836B2

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：US12501751

申请日：2009-07-13

申请人： Insik Jin ,  YoungPil Kim ,  Ming Sun ,  Chulmin Jung ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Nurul Amin ,  Wei Tian ,  Yong Lu

发明人： Insik Jin ,  YoungPil Kim ,  Ming Sun ,  Chulmin Jung ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Nurul Amin ,  Wei Tian ,  Yong Lu

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/14 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/76

摘要： A non-volatile memory cell and method of use thereof. In some embodiments, an individually programmable resistive sense memory (RSM) element is connected in series with a programmable metallization cell (PMC) switching element. In operation, while the switching element is programmed to a first resistive state, no current passes through the RSM element and while a second resistive state is programmed to the RSM element, current passes through the RSM element.

摘要翻译： 一种非易失性存储单元及其使用方法。 在一些实施例中，独立可编程电阻感测存储器（RSM）元件与可编程金属化单元（PMC）开关元件串联连接。 在操作中，当开关元件被编程为第一电阻状态时，没有电流通过RSM元件，并且当第二电阻状态被编程到RSM元件时，电流通过RSM元件。

公开(公告)号：US08203865B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US13087087

申请日：2011-04-14

申请人： Wei Tian ,  Insik Jin ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Haiwen Xi ,  Michael Xuefei Tang ,  Brian Lee

发明人： Wei Tian ,  Insik Jin ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Haiwen Xi ,  Michael Xuefei Tang ,  Brian Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246

摘要： A non-volatile memory cell and associated method is disclosed that includes a non-ohmic selection layer. In accordance with some embodiments, a non-volatile memory cell consists of a resistive sense element (RSE) coupled to a non-ohmic selection layer. The selection layer is configured to transition from a first resistive state to a second resistive state in response to a current greater than or equal to a predetermined threshold.

摘要翻译： 公开了一种包括非欧姆选择层的非易失性存储单元和相关联的方法。 根据一些实施例，非易失性存储器单元由耦合到非欧姆选择层的电阻感测元件（RSE）组成。 响应于大于或等于预定阈值的电流，选择层被配置为从第一电阻状态转变到第二电阻状态。

公开(公告)号：US20120021535A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US13248360

申请日：2011-09-29

申请人： Xiaohua Lou ,  Yuankai Zheng ,  Wenzhong Zhu ,  Wei Tian ,  Zheng Gao

发明人： Xiaohua Lou ,  Yuankai Zheng ,  Wenzhong Zhu ,  Wei Tian ,  Zheng Gao

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F41/303 ,  H01L43/12

摘要： A magnetic stack having a ferromagnetic free layer, a metal oxide layer that is antiferromagnetic at a first temperature and non-magnetic at a second temperature higher than the first temperature, a ferromagnetic pinned reference layer, and a non-magnetic spacer layer between the free layer and the reference layer. During a writing process, the metal oxide layer is non-magnetic. For magnetic memory cells, such as magnetic tunnel junction cells, the metal oxide layer provides reduced switching currents.

公开(公告)号：US20110298456A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：US13152860

申请日：2011-06-03

申请人： BIN Lu ,  Qing He ,  Mark Covington ,  Yunhao Xu ,  Wei Tian

发明人： BIN Lu ,  Qing He ,  Mark Covington ,  Yunhao Xu ,  Wei Tian

IPC分类号： G01R33/02

CPC分类号： H01L43/08 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  H01L43/02

摘要： In certain embodiments, a tunneling magneto-resistive (TMR) sensor includes a sensor stack positioned between a seed layer and a cap layer. The seed layer includes a first buffer layer that includes a non-magnetic nickel alloy.In certain embodiments, a sensor stack includes a top and bottom shield and a seed layer positioned adjacent to the bottom shield. The seed layer has a first buffer layer that includes a nickel alloy.

摘要翻译： 在某些实施例中，隧道磁阻（TMR）传感器包括位于种子层和覆盖层之间的传感器堆叠。 种子层包括包含非磁性镍合金的第一缓冲层。 在某些实施例中，传感器堆叠包括顶部和底部屏蔽以及邻近底部屏蔽定位的种子层。 种子层具有包括镍合金的第一缓冲层。

公开(公告)号：US08039394B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US12492206

申请日：2009-06-26

申请人： Ivan Petrov Ivanov ,  Wei Tian ,  Mallika Kamarajugadda ,  Paul E. Anderson

发明人： Ivan Petrov Ivanov ,  Wei Tian ,  Mallika Kamarajugadda ,  Paul E. Anderson

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76846 ,  C23C14/024 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  H01L21/76856 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a layer of alpha-tantalum on a substrate including the steps of depositing a layer of titanium nitride on a substrate; and depositing a layer of alpha-tantalum on the layer of titanium nitride, wherein the deposition of the alpha-tantalum is carried out at temperatures below about 300° C.

摘要翻译： 一种在衬底上形成α钽层的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积氮化钛层; 以及在所述氮化钛层上沉积一层α-钽，其中所述α-钽的沉积在低于约300℃的温度下进行。