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公开(公告)号：CN118936628A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410412215.8
申请日：2024-04-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G01J1/20 , H01J37/32 , H01J37/244
摘要： 本公开涉及传感器装置的校准设备及包括其的系统。传感器装置的示例校准设备包括：壳体，其通过阻挡来自外部的光来提供暗室空间；照明单元，其安装在暗室空间中并且被配置为输出特定波长带中的光；载物台，被配置为在至少一个测量位置中检测照明单元所输出的光的强度的传感器装置被安装在载物台上，载物台在暗室空间中安装在照明单元下方；以及控制装置，其被配置为接收包括传感器装置所测量的光的强度的原始数据。控制装置生成用于调节在所述至少一个测量位置处测量的光的强度的校准数据。
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公开(公告)号：CN113297896B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202110198664.3
申请日：2021-02-22
申请人： 卡尔蔡司显微镜有限责任公司
IPC分类号： G06V20/69 , G06V10/82 , G06V10/30 , G06V10/36 , G06N3/0464 , G06N3/084 , H01J37/244 , H01J37/28 , G06N3/048
摘要： 本发明涉及一种用于处理图像的方法。该方法包括：提供物体的至少一个第一图像，第一图像包括n个像素P11至P1n；提供物体的至少一个第二图像，第二图像包括m个像素P21至P2m；识别像素P11至P1n中的至少一个像素P1i，所识别像素P1i位于第一图像中的位置PL1i处；识别像素P21至P2m中的至少一个像素P2j，所识别像素P2j位于第二图像中的位置PL2j处；通过使用第二图像并通过将所识别像素P1i引入到所识别像素P2j的位置PL2j处来生成至少一个第三图像，和/或通过使用第一图像并通过将所识别像素P2j引入到所识别像素P1i的位置PL1i处来生成至少一个第四图像；使用第三图像和第四图像中的至少一项来训练处理器单元以用于识别降噪函数；以及将降噪函数保存在存储器单元中。
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公开(公告)号：CN117650032B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202311479706.6
申请日：2023-11-08
申请人： 北京中科科仪股份有限公司
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/22 , H01J37/244 , G01N23/2251
摘要： 本发明涉及扫描电镜技术领域，公开了一种探头装置、二次电子探测器及扫描电镜，二次电子探测器包括：偏压供电电路、放大电路及探头装置，探头装置包括：探头片、探头板及密封圈；探头片为半弧形结构，其外表面与探头板的第一端固定连接；探头板的第二端与探头板插座的第一端连接，探头板插座的第二端与遮挡板的第一端可拆卸连接；密封圈嵌入安装在盲板的第一表面后，盲板的第一表面可拆卸固定在低真空室的外壁上，并与低真空室内的遮挡板的第二端可拆卸连接。本发明的探头装置可在扫描电镜低真空模式下检测二次电子，避免低真空模式下因放电现象导致传统E‑T型二次电子探测器无法使用的问题。
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公开(公告)号：CN112005334B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201980024025.6
申请日：2019-03-14
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： H01J37/244 , H01L27/146
摘要： 公开了检测器和检测系统。衬底包括：多个感测元件(311‑313)，包括多个第一感测元件和多个第二感测元件；以及被配置为将多个第一感测元件连接到输出并且将多个第二感测元件连接到输出的多个部段(321‑324)。可以在感测元件之间提供被配置为连接两个或更多个感测元件的开关区域。可以基于响应于感测元件接收到具有预定量的能量和/或束强度的电子而生成的信号来控制开关区域。
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公开(公告)号：CN113748482B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202080028432.7
申请日：2020-02-07
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 苏尼尔·卡普尔 , 卡尔·弗雷德里克·利瑟 , 诺亚·贝克 , 孟亮 , 崎山行则
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/32
摘要： 在特定实施方案中，可以检测和缓解异常等离子体事件，其可以包括在半导体处理室中形成电弧。在某些实施方案中，一种方法可以包含检测等离子体发射的光信号，将光信号转换为电压信号，并形成经调整的电压信号。响应于确定与经调整的电压信号相关联的变化超过阈值，可以调整耦合到室的RF信号的输出功率。这种调整可以缓解在室内发生的异常等离子体事件的形成。
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公开(公告)号：CN111769030B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201910258890.9
申请日：2019-04-02
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/244 , G01T1/29
摘要： 本发明公开了一种竖直方向束流密度的测量装置和方法，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该装置包括：法拉第杯(1)，束流挡板(3)，传动装置(10)，控制器(12)。该方法包括：设定测量精度，精度将决定束流挡板每运动多少距离(6)法拉第杯采集一次值；根据束流挡板底部边缘(4)的位置值记录法拉第杯的采集值，得到采集值数组；当束流挡板顶部边缘(2)位置低于法拉第杯缝口底部边缘(7)时，一次测量结束；将采集值数组元素依次代入说明书中的“束流密度迭代公式”得到束流平均密度数组。
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公开(公告)号：CN114509003B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202210128016.5
申请日：2017-03-31
IPC分类号： G01B11/00 , G01B9/02 , G01N23/20 , G01B11/26 , H01J37/26 , H01J37/04 , H01J37/244 , A61B6/00
摘要： 本发明涉及非接触角测量设备和方法。一种非接触角测量设备包括物质波和能量(MWE)粒子源和检测器。MWE粒子源用于生成玻色子或费米子粒子。检测器用于检测由1)与第一平面的缝、凸块或孔对应的玻色子或费米子粒子和2)与被第二平面反射的玻色子或费米子粒子相关联的物质波的波前分割生成的干涉图案的多个峰或谷，其中，所述干涉图案的所述多个峰或谷的角位置、所述第一平面与所述第二平面的接合区域之间的第一距离、以及所述检测器和所述缝、凸块或孔之间的第二距离用于决定所述第一平面和所述第二平面之间的角度。
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公开(公告)号：CN118398468B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410835833.3
申请日：2024-06-26
申请人： 深圳市恒运昌真空技术股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/244 , H01J37/24 , H01L21/67
摘要： 本申请公开了一种等离子体处理设备的控制方法、控制装置及处理设备，涉及等离子体处理技术领域，公开了等离子体处理设备的控制方法，所述等离子体处理设备包括电源电路和等离子体发生器，所述电源电路用于为所述等离子体发生器供电，所述的控制方法包括：获取反应腔室中多个位置的第一等离子体浓度；根据第一等离子体浓度和预设等离子体浓度，调节对应的电源电路的输出功率。本申请通过获取反应腔室中多个位置的第一等离子体浓度，并将第一等离子体浓度和预设等离子体浓度进行比对，最后调节对应的电源电路的输出功率，从而实现在等离子体处理过程中，精准调控等离子体能量，能够自适应调整，从而使等离子体的表面处理过程更加稳定可靠。
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公开(公告)号：CN110867361B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201910534236.6
申请日：2019-06-19
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/32
摘要： 一种被配置用于等离子体处理室的RF感测装置包括穿透单元，沿向上/向下方向开口；主返回路径单元，围绕穿透单元的全部或一部分；以及辅返回路径单元，位于穿透单元与主返回路径单元之间，与主返回路径单元间隔开，并围绕穿透单元的全部或一部分。主返回路径单元和辅返回路径单元包括电流沿向上/向下方向中的一个方向流过的路径。
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公开(公告)号：CN118451528A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202380014599.1
申请日：2023-03-21
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01J37/141 , H01J37/06 , H01J37/244 , H01J37/28
摘要： 一种与静磁透镜组合以产生非常高性能的微型电子束或离子束柱的微型电子束柱。硅基电子光学组件提供关键光学元件的高准确度形成及对准，且所述磁透镜提供低像差聚焦或聚光元件。所述硅及磁组件的准确组装可经由多层组装技术实现，且允许实现高性能。
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