公开(公告)号：CN116888704B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202280016905.0

申请日：2022-06-03

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： J·格尔林 ,  L·穆劳伊 ,  A·布罗迪 ,  J·斯帕拉斯 ,  M·特伦颇

IPC: H01J37/244 ,  G01N23/2251 ,  G01N23/203 ,  H01J37/28 ,  H01J37/10

Abstract: 本发明涉及具有背面照明的分段检测器装置。所述检测器能够收集且区分二次电子与背向散射的电子。所述检测器包含用于主要电子束通过的通孔。命中样本后，所述经反射的二次电子及背向散射的电子经由垂直结构收集，所述结构具有P+/P‑/N+或N+/N‑/P+组成物，用于穿过所述装置的厚度的完全耗尽。使用经定位于所述装置前侧的场隔离绝缘体对所述装置的有源区域进行分段。

公开(公告)号：CN118451528A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202380014599.1

申请日：2023-03-21

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： L·穆劳伊 ,  J·格尔林 ,  J·斯帕拉斯 ,  A·布罗迪

IPC: H01J37/141 ,  H01J37/06 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28

Abstract: 一种与静磁透镜组合以产生非常高性能的微型电子束或离子束柱的微型电子束柱。硅基电子光学组件提供关键光学元件的高准确度形成及对准，且所述磁透镜提供低像差聚焦或聚光元件。所述硅及磁组件的准确组装可经由多层组装技术实现，且允许实现高性能。

公开(公告)号：CN116888704A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202280016905.0

申请日：2022-06-03

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： J·格尔林 ,  L·穆劳伊 ,  A·布罗迪 ,  J·斯帕拉斯 ,  M·特伦颇

IPC: H01J37/244

Abstract: 本发明涉及具有背面照明的分段检测器装置。所述检测器能够收集且区分二次电子与背向散射的电子。所述检测器包含用于主要电子束通过的通孔。命中样本后，所述经反射的二次电子及背向散射的电子经由垂直结构收集，所述结构具有P+/P‑/N+或N+/N‑/P+组成物，用于穿过所述装置的厚度的完全耗尽。使用经定位于所述装置前侧的场隔离绝缘体对所述装置的有源区域进行分段。