Patent search cpc:"H01L2224/40475" Page 1

1.

发明公开
半导体模块失效

公开(公告)号：CN103918076A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201380003722.6

申请日：2013-10-25

Applicant: 日本精工株式会社

Inventor： 须永崇 , 金子昇 , 三好修

IPC: H01L23/48 , H01L21/60 , H01L25/07 , H01L25/18

CPC classification number: H05K1/09 , H01L23/142 , H01L23/3735 , H01L23/49582 , H01L23/49811 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/35 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/92 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/32227 , H01L2224/32238 , H01L2224/33181 , H01L2224/352 , H01L2224/35847 , H01L2224/3701 , H01L2224/37013 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/40227 , H01L2224/40475 , H01L2224/40499 , H01L2224/4103 , H01L2224/4112 , H01L2224/48 , H01L2224/73263 , H01L2224/77272 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84424 , H01L2224/84447 , H01L2224/84801 , H01L2224/84815 , H01L2224/85 , H01L2224/9221 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H05K1/0271 , H05K1/05 , H05K1/181 , H05K3/3431 , H05K2201/10166 , H05K2201/1028 , H05K2201/1031 , H05K2201/10409 , H05K2201/10946 , H05K2201/10962 , Y02P70/611 , Y02P70/613 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/84 , H01L2224/33 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

Abstract: 半导体模块(30)具有通过焊锡(34b、34c)使形成于晶体管裸芯片(35)的上表面的电极(S、G)和多个布线图案(33a～33d)中的布线图案(33b、33c)接合的铜连接器(36a、36b)。铜连接器(36bb)具有与晶体管裸芯片(35)的电极(G)接合的电极接合部(36bb)和与电极接合部(36bb)以相对置的方式而配置的、与布线图案(33c)接合的基板接合部(36bc)。电极接合部(36bb)的与单向正交的方向上的宽度W1比基板接合部(36bb)的与单向正交的方向上的宽度W2窄。

2.

发明公开
低功耗半导体整流器件无效

公开(公告)号：CN105826290A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610137667.5

申请日：2013-07-12

Applicant: 苏州固锝电子股份有限公司

Inventor： 张雄杰 , 何洪运 , 程琳

IPC: H01L23/492

CPC classification number: H01L2224/37 , H01L2224/37011 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40475 , H01L2224/84 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2224/37099 , H01L2924/00012 , H01L24/37 , H01L2224/37012

Abstract: 本发明一种低功耗半导体整流器件，其位于第二引线条一端的焊接区与连接片的第一焊接面连接；连接片的第一焊接面和第二焊接面之间具有一中间区，此中间区与第一焊接面和第二焊接面之间分别设有第一折弯处和第二折弯处，所述连接片的第二焊接面相对的两侧端面均具有条状缺口，第二焊接面均匀分布有若干个第一通孔，一第二通孔位于第二折弯处、第二焊接面、中间区上，此第二通孔横跨第二折弯处并延伸到第二焊接面、中间区边缘区域，所述第一折弯处、第二折弯处与中间区夹角为125°~145°。本发明低功耗半导体整流器件可以自适应吸收多余的焊料，既保证了焊接区域铺展有足够面积的焊料，又避免了因为焊料量多而溢出可焊接区造成产品失效，提高了产品电性。

3.

发明公开
连接组件的方法、电路组件的组合体和电路失效

公开(公告)号：CN102131353A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010571777.5

申请日：2010-10-05

Applicant: ABB研究有限公司

Inventor： C·刘 , S·基西恩 , N·舒尔茨

IPC: H05K3/36 , H05K3/40 , H05K1/11 , H05K1/14 , H01L21/607 , H01L23/488

CPC classification number: H05K3/321 , H01L23/4951 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/92 , H01L2224/2732 , H01L2224/29 , H01L2224/29007 , H01L2224/29101 , H01L2224/29139 , H01L2224/29299 , H01L2224/29339 , H01L2224/33181 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/40475 , H01L2224/40499 , H01L2224/45124 , H01L2224/73263 , H01L2224/83091 , H01L2224/83095 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83207 , H01L2224/8384 , H01L2224/84091 , H01L2224/84095 , H01L2224/84207 , H01L2224/8484 , H01L2224/9221 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K2201/1034 , H05K2201/10628 , H05K2203/0285 , H05K2203/1131 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/2929 , H01L2224/48 , H01L2224/83 , H01L2224/84

Abstract: 本发明的名称为连接组件的方法、电路组件的组合体和电路，涉及一种为了建立电路模块(30)的至少两个组件(12、16、36)之间机械的和电气的相互连接而连接这些组件(12、16、36)的方法，其中通过用于在这些组件(12、16、36)之间烧结金属接头(26、34)的烧结过程实现该连接，并且其中为了支持所述烧结过程在烧结过程期间至少临时地提供超声波振动能量。本发明进一步涉及一种包括电路模块(30)的至少两个组件(12、16、36)的对应组合体(10)和对应电路模块(30)。

4.

发明公开
高可靠性半导体器件无效

公开(公告)号：CN106409804A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610137682.X

申请日：2013-07-12

Applicant: 苏州固锝电子股份有限公司

Inventor： 张雄杰 , 何洪运 , 程琳

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L2224/37 , H01L2224/37011 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40475 , H01L2224/84 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2224/37099 , H01L2924/00012 , H01L23/49524

Abstract: 本发明一种高可靠性半导体器件，其位于所述第二引线条一端的焊接区与连接片的第一焊接面连接，该第二引线条另一端作为器件电流传输的引脚区；所述连接片第二焊接面与整流芯片上表面通过焊锡膏电连接；第二焊接面均匀分布有若干个第一通孔，一第二通孔位于第二折弯处、第二焊接面、中间区上，此第二通孔横跨第二折弯处并延伸到第二焊接面、中间区边缘区域；所述连接片的第一焊接面高度低于所述第二焊接面高度，所述第一折弯处、第二折弯处与中间区夹角为130°。本发明避免了因为焊料量多而溢出可焊接区造成产品失效、短路，提高了产品电性和可靠性大大提高了良率。

5.

发明授权
高可靠性整流器件有权

公开(公告)号：CN103383929B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310293355.X

申请日：2013-07-12

Applicant: 苏州固锝电子股份有限公司

Inventor： 张雄杰 , 何洪运 , 程琳

IPC: H01L23/488 , H01L23/492

CPC classification number: H01L2224/37 , H01L2224/37011 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40475 , H01L2224/84 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2224/37099 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明一种高可靠性整流器件，其第一引线条一端的支撑区连接到整流芯片下表面，该整流芯片下表面通过焊锡膏与该第一引线条的支撑区电连接；位于第二引线条一端的焊接区与连接片的第一焊接面连接；连接片的第一焊接面和第二焊接面之间具有一中间区，此中间区与第一焊接面和第二焊接面之间分别设有第一折弯处和第二折弯处，所述连接片的第二焊接面相对的两侧端面均具有条状缺口，一第二通孔位于第二折弯处、第二焊接面、中间区上，此第二通孔横跨第二折弯处并延伸到第二焊接面、中间区边缘区域。本发明高可靠性整流器件可以自适应吸收多余的焊料，既保证了焊接区域铺展有足够面积的焊料，又避免了因为焊料量多而溢出可焊接区造成产品失效，提高了产品电性、可靠性和良率。

6.

发明授权
半导体装置及其制造方法有权转让

公开(公告)号：CN103201834B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201280003499.0

申请日：2012-10-01

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 生田敬子 , 金连姬 , 广濑贵之 , 小岛俊之 , 塚原法人 , 反田耕一

IPC: H01L23/36 , C25D7/00 , H01L23/48

CPC classification number: H01L23/495 , C25D3/12 , C25D5/022 , C25D5/48 , C25D7/00 , C25D7/12 , H01L23/36 , H01L23/49513 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/35 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L2224/2732 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/35823 , H01L2224/35825 , H01L2224/3583 , H01L2224/35848 , H01L2224/35985 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/3756 , H01L2224/37565 , H01L2224/37655 , H01L2224/37755 , H01L2224/37893 , H01L2224/37895 , H01L2224/40135 , H01L2224/40475 , H01L2224/40499 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/8338 , H01L2224/83455 , H01L2224/83555 , H01L2224/83693 , H01L2224/83695 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84801 , H01L2224/84815 , H01L2924/00011 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2224/83205

Abstract: 提供一种能抑制热阻的增加，并能减小施加到焊料层的热阻的半导体装置。其配置结构具有：半导体元件（5）；焊料层（4），该焊料层（4）配置在半导体元件的至少一个面上；以及引线框（2），该引线框（2）以夹着多孔镀镍部（1）的方式配置在该焊料层上。与直接接合半导体元件与引线框的情况相比，能将焊料接合部的热阻的增加量抑制为仅与多孔镀镍部分相对应的量，能降低施加到焊料层的热阻。

7.

发明公开
高可靠性整流器件有权

公开(公告)号：CN103383929A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310293355.X

申请日：2013-07-12

Applicant: 苏州固锝电子股份有限公司

Inventor： 张雄杰 , 何洪运 , 程琳

IPC: H01L23/488 , H01L23/492

CPC classification number: H01L2224/37 , H01L2224/37011 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40475 , H01L2224/84 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2224/37099 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明一种高可靠性整流器件，其第一引线条一端的支撑区连接到整流芯片下表面，该整流芯片下表面通过焊锡膏与该第一引线条的支撑区电连接；位于第二引线条一端的焊接区与连接片的第一焊接面连接；连接片的第一焊接面和第二焊接面之间具有一中间区，此中间区与第一焊接面和第二焊接面之间分别设有第一折弯处和第二折弯处，所述连接片的第二焊接面相对的两侧端面均具有条状缺口，一第二通孔位于第二折弯处、第二焊接面、中间区上，此第二通孔横跨第二折弯处并延伸到第二焊接面、中间区边缘区域。本发明高可靠性整流器件可以自适应吸收多余的焊料，既保证了焊接区域铺展有足够面积的焊料，又避免了因为焊料量多而溢出可焊接区造成产品失效，提高了产品电性、可靠性和良率。