一种电流传感器的测试装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118914954A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202411409511.9

    申请日:2024-10-10

    IPC分类号: G01R35/00 G01R1/04

    摘要: 本发明公开了一种电流传感器的测试装置,支撑架上设有多个电流传感器检测位;安装座固定设置在支撑架上端,安装座设有多个;每一安装座上设有两组间隔设置的减阻块对,减阻块对在拉簧的作用下其夹持端保持打开的状态,每一安装座上的两组减阻块对配合夹持母排两端引脚,减阻块对上连接有温度传感器;顶升机构固定连接于支撑架,顶升机构设有多个且与减阻块对一一对应,顶升机构设有楔形电流传导块,顶升机构驱使楔形电流传导块上顶以使减阻块对的夹持端向中间闭合,相邻安装座之间的相邻楔形电流传导块通过第一线缆串联,首尾两端的楔形电流传导块通过第二线缆连接在测试电源正负端从而构成电流回路,解决传感器测试母排回路接触电阻大的问题。

    一种转速传感器及制作方法

    公开(公告)号:CN118393170B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202410844604.8

    申请日:2024-06-27

    摘要: 本发明公开了一种转速传感器及制作方法,属于传感器技术领域,包括:霍尔探头,其包括霍尔元件、磁体和探头座,霍尔元件嵌装于探头座的前端,磁体嵌装于探头座内部;电路板,其安装于探头座后端,所述霍尔元件的针脚插入电路板并固定,电路板后端设有电线;塑封体,其将霍尔探头、电路板及电线封装固定为一体;外壳,其前端开口形成有容纳腔,外壳内还设有过线槽,过线槽前后贯穿容纳腔和外壳后端,所述塑封体嵌入容纳腔内并与容纳腔的内壁贴合设置,所述电线穿过过线槽并向后伸出外壳;外壳前后两端分别设有前端盖、后端盖。本发明具有密封性能好、生产组装简单的有益技术效果。

    一种IGBT集成一体化电流传感器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118731448A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202411230411.X

    申请日:2024-09-04

    摘要: 本发明公开了一种IGBT集成一体化电流传感器,IGBT框架模块包括母排以及注塑成型在母排外周的框架部,框架部的上端设有容置空间,母排设有镂空槽,框架部设有与镂空槽相对应的镂空腔,容置空间与镂空腔相连通;电流传感器模块包括包覆体、电路板、电性连接部件以及磁场感应芯片,磁场感应芯片固定连接于电路板,磁场感应芯片设置与电路板电性连接,磁场感应芯片设置在镂空腔内,电性连接部件的第一端与电路板电性连接;电控驱动模块固定安装在包覆体上端,电控驱动模块电性连接于电性连接部件的第二端,该电流传感器装配更加稳固、可靠性更高,在振动情况下能够保证测量精度,另外解决了现有磁场感应芯片注塑成型时的高温高压对磁场感应芯片的影响。

    一种电流传感芯片的制作方法

    公开(公告)号:CN118688488A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202411161963.X

    申请日:2024-08-23

    摘要: 本发明公开了一种电流传感芯片的制作方法,涉及电流传感器的领域,所述制作方法包括:S1、配置母排框架、磁敏感元件和磁芯,所述母排的相对两侧分别具有第一安装槽和第二安装槽;相邻两个所述母排之间的两个所述连筋之间形成第一定位孔;磁敏感元件依次布置于纸编带上,所述纸编带上具有第二定位孔;S2、所述第一定位孔、所述第二定位孔分别与工装进行定位配合;磁芯插入第一安装槽中;S3、安装塑封模具,所述塑封模具包括模盒,模盒围合于所述电流传感芯片外,所述模盒的浇口位于所述磁芯远离所述第一安装槽底壁的一侧;S4、对所述电流传感芯片进行注胶塑封。本发明具有磁芯及磁敏感元件定位方便精确,减少封装前步骤,提升生产效率的优点。

    一种单芯片集成3D霍尔器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN118434265A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410890900.1

    申请日:2024-07-04

    IPC分类号: H10N52/00 H10N52/01 H10N52/80

    摘要: 一种单芯片集成3D霍尔器件及制备方法,其中单芯片集成3D霍尔器件设置有:STI隔离槽、第一P型埋层、第二P型埋层、N型电极、氧化层、第三P型阱和金属层。该单芯片集成3D霍尔器件包括有4个第一N型电极和1个第二N型电极,其中4个第一N型电极中在检测垂直磁场时互相垂直的电极互为偏置电极和霍尔电压检测电极,在检测水平磁场时4个第一N型电极代表X或Y方向电流,当有垂直于电流方向的平行磁场穿过时,沿另一个垂直方向会产生感应电势,集中在第二N型电极,从而检测到Y或X方向磁场感应产生的霍尔电压。该器件在P型硅晶圆衬底中形成,其霍尔有源功能区的最大尺寸仅在30μm~50μm范围内,因此其尺寸非常小。

    一种基于多环境的能量收集供电装置及车辆监测系统

    公开(公告)号:CN118432034A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410896192.2

    申请日:2024-07-05

    IPC分类号: H02J1/08 H02J7/34 G01D21/02

    摘要: 一种基于多环境的能量收集供电装置及车辆监测系统,其中基于多环境的能量收集供电装置设置有:车辆运行监视单元,收集车辆是否处于运行状态,得到运行数据;多环境能量收集单元,收集环境中不同的能量,对外部车辆检测单元供电,以及对储能单元充电;储能单元,储存所述多环境能量收集单元收集的能量,并对所述车辆运行监视单元和外部车辆检测单元供电;优先级判断单元,择一选择所述储能单元或所述多环境能量收集单元对所述车辆运行监视单元供电;当车辆当前处于非运行状态时,控制所述储能单元储存所述多环境能量收集单元的能量。本发明能够通过一个装置实现不同环境能量的收集,无需布线及更换电池或重新充电,使用方便。

    一种射频导纳物位计
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117606585A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311418722.4

    申请日:2023-10-30

    IPC分类号: G01F23/26 G01F23/22

    摘要: 本发明涉及物位计技术领域,公开了一种射频导纳物位计,以监测容器内的介质高度,包括本体;电路板,设于本体内;第一探头,为导电件,设于电路板朝向介质的一侧,与电路板形成信号连接;第二探头,为非导电件,其一端与本体可拆卸连接,另一端伸入容器内,且第二探头与第一探头之间具有由空气填充的间隙,当第二探头与容器内的介质接触时,第一探头、第二探头和空气、介质之间形成电容结构,其中,介质在容器内的高度发生变化时,该电容结构的阻抗同步发生变化,且第一探头向电路板发送信号,以实现对介质高度的实时监测。本发明提供的一种射频导纳物位计,体积小、不占用空间,且灵敏度高,可靠性高,与应用场景适配度高。

    一种减弱涡流效应的焊盘、引线框架及传感器封装结构

    公开(公告)号:CN117133743B

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202311386811.5

    申请日:2023-10-25

    摘要: 本发明公开了一种减弱涡流效应的焊盘、引线框架及传感器封装结构,应用于半导体制备领域,该焊盘包括:第一焊盘部件和第二焊盘部件,第一焊盘部件和第二焊盘部件设置在芯片放置区域的相邻的两侧,且第一焊盘部件和第二焊盘部件导连,以使第一焊盘部件和第二焊盘部件,对芯片放置区域在相邻的两侧形成包围。本发明中通过将焊盘设置为沿芯片相邻的两侧布置,能够进一步减少金属框架内形成闭合涡流回路,削弱反向磁场的影响,进而提高传感器检测的灵敏度以及检测精度,同时通过减少金属焊盘的面积,在封装芯片时提高芯片与塑封体的接触面积,进而降低结构产生的应力,避免产生分层现象,提高了结构的稳固性。

    引线框架单元及多排引线框架
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116884942A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310841945.5

    申请日:2023-07-11

    IPC分类号: H01L23/495

    摘要: 本发明公开了一种引线框架单元及多排引线框架,包括:框架本体;架边框,沿所述框架本体的周向设置;所述框架本体沿框架边框的长度方向布置若干芯片;流道,设置于所述框架边框;用于引线框架单元的注塑成型工序,同时采用多段流道设计,有效减少框架边框与注塑成形的粘接面积;中筋,设置于相邻芯片中间以避免芯片引脚变形;边筋,设置芯片与框架边框之间以避免芯片引脚变形。该发明可以满足高端产品、车规级以及工业级的使用需求。

    一种封装芯片及电流传感器

    公开(公告)号:CN116314059B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310465497.3

    申请日:2023-04-27

    摘要: 本发明公开了一种封装芯片及电流传感器,应用于芯片封装领域,该封装芯片包括:衬底、与衬底相同材质的保护层和在衬底一侧表面制备的有源区,有源区背向衬底的一侧,与保护层键合连接,保护层与衬底之间,在有源区侧面形成有隔离结构。本发明通过在衬底上制备的有源区,背向衬底的一侧连接保护层,并在保护层与衬底之间,有源区侧面形成有隔离结构,能够形成对有源区的绝缘隔离,当将形成的芯片结构连接到其他组件上时,无论是采用芯片引线键合或者是倒装焊焊接等方式,在芯片正面或背面都无需额外引入绝缘材料,通过有源区背向衬底的一侧与保护层键合连接,能够减少异种材料使用,提高绝缘性能的同时,提高了器件的可靠性。