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公开(公告)号：CN118888324A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411128457.0
申请日：2024-08-16
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种三明治结构的叉指湿敏电容及制备方法，其中三明治结构的叉指湿敏电容设置有衬底、下湿敏层、上湿敏层和叉指湿敏电极，所述下层湿敏层设置于所述衬底的上表面，所述叉指湿敏电极分别设置有所述衬底的上表面以及所述下湿敏层的上表面，所述上湿敏层分别设置于所述叉指湿敏电极的上表面以及所述下湿敏层的上表面。本发明的叉指湿敏电容的结构简单，通过使用下湿敏层和上湿敏层设置在叉指湿敏电极的上下表面，当环境湿度发生变化的时候，下湿敏层和上湿敏层同时吸收水分使介电常数的增大，从而显著提高电容变化量和灵敏度。而且本发明仅通过3个步骤即可制备得到该叉指湿敏电容，工艺简单且容易实现。
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公开(公告)号：CN118688488B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411161963.X
申请日：2024-08-23
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电流传感芯片的制作方法，涉及电流传感器的领域，所述制作方法包括：S1、配置母排框架、磁敏感元件和磁芯，所述母排的相对两侧分别具有第一安装槽和第二安装槽；相邻两个所述母排之间的两个所述连筋之间形成第一定位孔；磁敏感元件依次布置于纸编带上，所述纸编带上具有第二定位孔；S2、所述第一定位孔、所述第二定位孔分别与工装进行定位配合；磁芯插入第一安装槽中；S3、安装塑封模具，所述塑封模具包括模盒，模盒围合于所述电流传感芯片外，所述模盒的浇口位于所述磁芯远离所述第一安装槽底壁的一侧；S4、对所述电流传感芯片进行注胶塑封。本发明具有磁芯及磁敏感元件定位方便精确，减少封装前步骤，提升生产效率的优点。
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公开(公告)号：CN118393408B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410855624.5
申请日：2024-06-28
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种集成磁芯及水平型霍尔元件的集成芯片及其制备方法，通过晶圆键合方式将两片磁通聚集器分别与霍尔ASIC芯片对准，然后分别晶圆键合至霍尔ASIC芯片的上表面和下表面，形成一体化的集成芯片；在每片磁通聚集器中均设置有磁通聚磁薄膜，在水平型霍尔ASIC芯片设置有水平型霍尔元件。本发明通过磁通聚集器与霍尔ASIC芯片形成一体化的集成芯片，其中磁通聚磁薄膜能起到汇聚磁感应线、放大被检测磁场强度，实现与铁磁芯相同的功能。该集成芯片无需使用大块铁磁芯，能够实现霍尔电流检测芯片的微型化；实磁通聚磁薄膜与水平型霍尔元件的微米级精对准，明显优于目前磁铁芯装配的对齐精度。
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公开(公告)号：CN118434265B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410890900.1
申请日：2024-07-04
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种单芯片集成3D霍尔器件及制备方法，其中单芯片集成3D霍尔器件设置有：STI隔离槽、第一P型埋层、第二P型埋层、N型电极、氧化层、第三P型阱和金属层。该单芯片集成3D霍尔器件包括有4个第一N型电极和1个第二N型电极，其中4个第一N型电极中在检测垂直磁场时互相垂直的电极互为偏置电极和霍尔电压检测电极，在检测水平磁场时4个第一N型电极代表X或Y方向电流，当有垂直于电流方向的平行磁场穿过时，沿另一个垂直方向会产生感应电势，集中在第二N型电极，从而检测到Y或X方向磁场感应产生的霍尔电压。该器件在P型硅晶圆衬底中形成，其霍尔有源功能区的最大尺寸仅在30μm～50μm范围内，因此其尺寸非常小。
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公开(公告)号：CN118393408A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410855624.5
申请日：2024-06-28
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种集成磁芯及水平型霍尔元件的集成芯片及其制备方法，通过晶圆键合方式将两片磁通聚集器分别与霍尔ASIC芯片对准，然后分别晶圆键合至霍尔ASIC芯片的上表面和下表面，形成一体化的集成芯片；在每片磁通聚集器中均设置有磁通聚磁薄膜，在水平型霍尔ASIC芯片设置有水平型霍尔元件。本发明通过磁通聚集器与霍尔ASIC芯片形成一体化的集成芯片，其中磁通聚磁薄膜能起到汇聚磁感应线、放大被检测磁场强度，实现与铁磁芯相同的功能。该集成芯片无需使用大块铁磁芯，能够实现霍尔电流检测芯片的微型化；实磁通聚磁薄膜与水平型霍尔元件的微米级精对准，明显优于目前磁铁芯装配的对齐精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117133743A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311386811.5
申请日：2023-10-25
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/495 , H10N52/80
Abstract: 本发明公开了一种减弱涡流效应的焊盘、引线框架及传感器封装结构，应用于半导体制备领域，该焊盘包括：第一焊盘部件和第二焊盘部件，第一焊盘部件和第二焊盘部件设置在芯片放置区域的相邻的两侧，且第一焊盘部件和第二焊盘部件导连，以使第一焊盘部件和第二焊盘部件，对芯片放置区域在相邻的两侧形成包围。本发明中通过将焊盘设置为沿芯片相邻的两侧布置，能够进一步减少金属框架内形成闭合涡流回路，削弱反向磁场的影响，进而提高传感器检测的灵敏度以及检测精度，同时通过减少金属焊盘的面积，在封装芯片时提高芯片与塑封体的接触面积，进而降低结构产生的应力，避免产生分层现象，提高了结构的稳固性。
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公开(公告)号：CN116068239A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310325433.3
申请日：2023-03-30
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01R1/04 , G01R15/20 , G01R19/00 , B29C45/00 , B29C45/14 , B29C71/02 , H10N52/00 , H10N52/80 , H10N52/01
Abstract: 本发明提供了一种电流传感器的封装结构及封装工艺，该电流传感器的封装结构安装有具有开口的磁芯和磁敏感器件，包括基体，其上设置有第一安装部与第二安装部以及设于两者之间的第一连接部，其中，第一安装部用于安装磁芯，且磁芯的开口端穿过第一连接部朝第二安装部方向延伸并与第二安装部形成容纳腔，磁敏感器件安装于容纳腔内，分别与磁芯和第二安装部连接；涂抹层，设置于基体、磁芯以及磁敏感器件三者之间，对基体与磁芯以及磁敏感器件三者之间连接处的缝隙进行填充，实现基体与磁芯以及磁敏感器件之间的无间隙连接。本发明提供的一种电流传感器的封装结构及封装工艺，适用于大电流检测、性能稳定且可批量生产的电流传感器。
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公开(公告)号：CN116373209A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310653852.X
申请日：2023-06-05
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 本发明涉及电流检测领域，特别是涉及一种塑封电流检测装置的制作方法及塑封电流检测装置，通过制备一体化框架；所述一体化框架包括原边母排、连筋及次边区；所述次边区包括电气引脚及引线框架；所述原边母排仅通过所述连筋与所述次边区电连接；将磁敏感单元固定于所述引线框架内，并将磁敏感单元与所述引线框架电连接，得到一次塑封前置物；将所述一次塑封前置物进行第一次塑封，得到一次塑封体；对所述一次塑封体的预设位置进行切割，将所述连筋切断；将聚磁铁芯固定于切断所述连筋的一次塑封体上，得到二次塑封前置物；将所述二次塑封前置物进行第二次塑封，得到塑封电流检测装置。本发明使得电流检测装置的测量准确度和工作稳定性都得到提升。
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公开(公告)号：CN116314059A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310465497.3
申请日：2023-04-27
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种封装芯片及电流传感器，应用于芯片封装领域，该封装芯片包括：衬底、与衬底相同材质的保护层和在衬底一侧表面制备的有源区，有源区背向衬底的一侧，与保护层键合连接，保护层与衬底之间，在有源区侧面形成有隔离结构。本发明通过在衬底上制备的有源区，背向衬底的一侧连接保护层，并在保护层与衬底之间，有源区侧面形成有隔离结构，能够形成对有源区的绝缘隔离，当将形成的芯片结构连接到其他组件上时，无论是采用芯片引线键合或者是倒装焊焊接等方式，在芯片正面或背面都无需额外引入绝缘材料，通过有源区背向衬底的一侧与保护层键合连接，能够减少异种材料使用，提高绝缘性能的同时，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN116884853A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310843934.0
申请日：2023-07-11
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种引线框架的注塑成型方法，其包括：S1，塑封成型顶出模具；将塑封料通过流道注入模具设置的模具腔体成型，通过顶针将塑封成型的引线框架顶出模具；S2，流道切除；塑封完成后将引线框架的流道进行切除；其中，所述流道的大部分设置于引线框架单元的边框，小部分位于注塑进胶孔与塑封体的连接口；S3，切筋成型；先将引线框架的中筋切除，等中筋切除后再将塑封的引线框架单元进行电镀处理，待电镀完成后进行切边筋。该注塑成型方法可以提升产品可靠性，防止芯片引脚变形，改善芯片分层现象，提高产品良品率。
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