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公开(公告)号：CN118858737B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411349801.9
申请日：2024-09-26
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种异形母排电流传感器及其电流测试方法，包括母排本体、内凹切口槽以及差分磁敏感芯片，内凹切口槽包括第一内切口和第二内切口，第二内切口沿母排本体的宽度方向对母排本体做减薄处理。本发明在内凹切口槽形成与磁敏感芯片相对应的阶梯结构，可以适应母排本体电流流通时电流分布高低频不同所产生的影响，解决带宽减少的问题，本发明还具有较好的通流能力和较小的位置误差，以增强电流检测的效果。
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公开(公告)号：CN119110671A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411569966.7
申请日：2024-11-06
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种化合物霍尔集成芯片及其制备方法，其中制备方法为在器件制造工序完成后的硅基信号调理芯片的晶圆表面通过黄光和蚀刻形成凹槽，在凹槽内分别沉积介质薄膜和有机粘接胶，然后将化合物霍尔元件装配至凹槽的内部，再使用介质层填充凹槽，最后利用CONTACT、VIA、互连线实现化合物霍尔元件与硅基信号调理芯片的调理电路之间的信号连接，最终得到化合物霍尔集成芯片。本发明通过异质集成将化合物霍尔元件和硅基信号调理芯片集合在一起形成一个单独的化合物霍尔集成芯片，相比于单芯片硅基霍尔来说具有灵敏度和温漂特性等性能优势。
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公开(公告)号：CN118434265A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410890900.1
申请日：2024-07-04
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种单芯片集成3D霍尔器件及制备方法，其中单芯片集成3D霍尔器件设置有：STI隔离槽、第一P型埋层、第二P型埋层、N型电极、氧化层、第三P型阱和金属层。该单芯片集成3D霍尔器件包括有4个第一N型电极和1个第二N型电极，其中4个第一N型电极中在检测垂直磁场时互相垂直的电极互为偏置电极和霍尔电压检测电极，在检测水平磁场时4个第一N型电极代表X或Y方向电流，当有垂直于电流方向的平行磁场穿过时，沿另一个垂直方向会产生感应电势，集中在第二N型电极，从而检测到Y或X方向磁场感应产生的霍尔电压。该器件在P型硅晶圆衬底中形成，其霍尔有源功能区的最大尺寸仅在30μm～50μm范围内，因此其尺寸非常小。
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公开(公告)号：CN116314059B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310465497.3
申请日：2023-04-27
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种封装芯片及电流传感器，应用于芯片封装领域，该封装芯片包括：衬底、与衬底相同材质的保护层和在衬底一侧表面制备的有源区，有源区背向衬底的一侧，与保护层键合连接，保护层与衬底之间，在有源区侧面形成有隔离结构。本发明通过在衬底上制备的有源区，背向衬底的一侧连接保护层，并在保护层与衬底之间，有源区侧面形成有隔离结构，能够形成对有源区的绝缘隔离，当将形成的芯片结构连接到其他组件上时，无论是采用芯片引线键合或者是倒装焊焊接等方式，在芯片正面或背面都无需额外引入绝缘材料，通过有源区背向衬底的一侧与保护层键合连接，能够减少异种材料使用，提高绝缘性能的同时，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN115663774A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211362334.4
申请日：2022-11-02
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本申请公开了一种ESD保护电路、电子设备，应用于电路领域。本申请所提供的一种ESD保护电路，包括：带动态检测功能的ESD电源钳位电路；而带动态检测功能的ESD电源钳位电路包括：放电通路、电源动态检测RC时间常数控制电路；放电通路与ESD保护电路的电源以及地相连，放电通路导通时，ESD保护电路的电源以及地导通；电源动态检测RC时间常数控制电路与放电通路相连，用于在ESD保护电路的电压在电源电压以及地的电压之间时，控制放电通路导通。本申请在已有的ESD电路集成上，增加一个带动态检测功能的ESD电源钳位电路设计，提升芯片的ESD保护电路的防护等级以及增强芯片抗EOS能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113703512A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111281765.3
申请日：2021-11-01
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种霍尔传感器温度补偿电路及其补偿方法，属于传感器技术领域，包括霍尔传感模块，根据外部磁场和电流产生模拟电压信号；模拟补偿模块，与霍尔传感模块相连接，用于对产生的模拟电压信号进行模拟补偿；数字补偿模块，包括补偿计算单元，补偿计算单元根据外界环境温度信息获得补偿码字，进而由补偿码字对模拟补偿过程进行增益补偿，并对模数转换过程进行漂移补偿。本发明采用数字和模拟补偿相结合的方式进行温度补偿，对工艺依赖性低，使得霍尔传感器的精度更高，电路一致性更好，所需存储空间小，输出信号的响应速度更快，且补偿范围更大，便于设计实现以及客户应用。
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公开(公告)号：CN109360595B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201811008575.2
申请日：2018-08-31
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种基于熔丝技术的芯片参数多次编程电路，包括：烧断指令器；四根熔丝；四个MOS管，每个MOS管的栅极与烧断指令器连接，接收烧断指令；第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极之间连接第一熔丝，第一MOS管的源极与第二MOS管的源极之间连接第二熔丝，第一MOS管的漏极接第二电阻、第二MOS管的漏极接第一电阻，第一MOS管的源极接第三电阻、第二MOS管的源极接第四电阻合并接入比较器的正极；第三MOS管的漏极与第四MOS管的漏极之间连接第三熔丝，第三MOS管的源极与第四MOS管的源极之间连接第四熔丝，第三MOS管的漏极接第六电阻、第四MOS管的漏极接第五电阻，第三MOS管的源极接第七电阻、第二MOS管的源极接第八电阻合并接入比较器的负极。
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公开(公告)号：CN107093989B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201710259200.2
申请日：2017-04-19
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种基于斩波二阶补偿的片上霍尔信号放大器，包括：信号输入模块，用于提供霍尔正相输入信号和反相输入信号；与所述信号输入模块的两个输出端连接的斩波调制模块，配置为对所述正相输入信号和反相输入信号进行调制、输出；时钟模块，用于为所述斩波调制模块提供切换频率与调制频率；与所述斩波调制模块的两个输出端连接的运放模块，用于放大所述斩波调制模块的输出信号；还包括与所述运放模块输出端、时钟模块连接的二阶补偿模块，用于对所述运放模块的输出信号进行补偿，并反馈给所述运放模块的反相输入端。本发明相比现有技术，能有效实现全温度范围消除失调，并通过二阶补偿提升输出信号的线性度。
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公开(公告)号：CN111238673A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010009982.6
申请日：2020-01-06
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01K7/21
Abstract: 本发明提出了一种薄膜温度传感器的测量电路，涉及薄膜温度传感器技术领域，包括：第一运算放大器的反相输入端和输出端均连接到薄膜电阻的第一端；薄膜电阻的第二端连接到一恒流源；第一电阻的第一端与第一运算放大器的输出端相连，第二端与第一运算放大器的同相输入端相连；第一电阻的第二端通过第二电阻接地；第二运算放大器的输出端连接到电位器的第一端；电位器的第二端分别连接到所述恒流源和第二运算放大器的同相输入端；第三电阻的第一端与第二运算放大器的输出端相连，第二端与第二运算放大器的反相输入端相连；第三电阻的第二端通过第四电阻接地；电位器的第二端的电压值为输出信号。该测量电路可满足不同传感器的互换性使用要求。
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公开(公告)号：CN110146832B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910555343.7
申请日：2019-06-25
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01R33/06
Abstract: 本发明提供了一种微型磁通门传感器，涉及磁场检测传感器技术领域，用以解决目前磁通门传感器体积尺寸大、批量生产成本高，装配误差较大，电路复杂，小型化难度大的问题，本微型磁通门传感器包括双铁芯组件、自振荡模块、电流叠加与放大模块以及电压采集模块；所述双铁芯组件包括第一铁芯和第二铁芯，所述第一铁芯上有第一绕组线圈，第二铁芯上有第二绕组线圈，所述第一绕组线圈和第二绕组线圈分别和自振荡模块的输入端连接，自振荡模块的输出端分别和电流叠加与放大模块以及电压采集模块连接。本磁通门传感器处理电路简单，不需要人为调试，容易集成化。
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