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公开(公告)号:CN118731448B
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202411230411.X
申请日:2024-09-04
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01R15/20 , G01R19/00 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种IGBT集成一体化电流传感器,IGBT框架模块包括母排以及注塑成型在母排外周的框架部,框架部的上端设有容置空间,母排设有镂空槽,框架部设有与镂空槽相对应的镂空腔,容置空间与镂空腔相连通;电流传感器模块包括包覆体、电路板、电性连接部件以及磁场感应芯片,磁场感应芯片固定连接于电路板,磁场感应芯片设置与电路板电性连接,磁场感应芯片设置在镂空腔内,电性连接部件的第一端与电路板电性连接;电控驱动模块固定安装在包覆体上端,电控驱动模块电性连接于电性连接部件的第二端,该电流传感器装配更加稳固、可靠性更高,在振动情况下能够保证测量精度,另外解决了现有磁场感应芯片注塑成型时的高温高压对磁场感应芯片的影响。
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公开(公告)号:CN118888324A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202411128457.0
申请日:2024-08-16
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种三明治结构的叉指湿敏电容及制备方法,其中三明治结构的叉指湿敏电容设置有衬底、下湿敏层、上湿敏层和叉指湿敏电极,所述下层湿敏层设置于所述衬底的上表面,所述叉指湿敏电极分别设置有所述衬底的上表面以及所述下湿敏层的上表面,所述上湿敏层分别设置于所述叉指湿敏电极的上表面以及所述下湿敏层的上表面。本发明的叉指湿敏电容的结构简单,通过使用下湿敏层和上湿敏层设置在叉指湿敏电极的上下表面,当环境湿度发生变化的时候,下湿敏层和上湿敏层同时吸收水分使介电常数的增大,从而显著提高电容变化量和灵敏度。而且本发明仅通过3个步骤即可制备得到该叉指湿敏电容,工艺简单且容易实现。
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公开(公告)号:CN119110671A
公开(公告)日:2024-12-10
申请号:CN202411569966.7
申请日:2024-11-06
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种化合物霍尔集成芯片及其制备方法,其中制备方法为在器件制造工序完成后的硅基信号调理芯片的晶圆表面通过黄光和蚀刻形成凹槽,在凹槽内分别沉积介质薄膜和有机粘接胶,然后将化合物霍尔元件装配至凹槽的内部,再使用介质层填充凹槽,最后利用CONTACT、VIA、互连线实现化合物霍尔元件与硅基信号调理芯片的调理电路之间的信号连接,最终得到化合物霍尔集成芯片。本发明通过异质集成将化合物霍尔元件和硅基信号调理芯片集合在一起形成一个单独的化合物霍尔集成芯片,相比于单芯片硅基霍尔来说具有灵敏度和温漂特性等性能优势。
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公开(公告)号:CN118914954A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202411409511.9
申请日:2024-10-10
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电流传感器的测试装置,支撑架上设有多个电流传感器检测位;安装座固定设置在支撑架上端,安装座设有多个;每一安装座上设有两组间隔设置的减阻块对,减阻块对在拉簧的作用下其夹持端保持打开的状态,每一安装座上的两组减阻块对配合夹持母排两端引脚,减阻块对上连接有温度传感器;顶升机构固定连接于支撑架,顶升机构设有多个且与减阻块对一一对应,顶升机构设有楔形电流传导块,顶升机构驱使楔形电流传导块上顶以使减阻块对的夹持端向中间闭合,相邻安装座之间的相邻楔形电流传导块通过第一线缆串联,首尾两端的楔形电流传导块通过第二线缆连接在测试电源正负端从而构成电流回路,解决传感器测试母排回路接触电阻大的问题。
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公开(公告)号:CN118731448A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202411230411.X
申请日:2024-09-04
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01R15/20 , G01R19/00 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种IGBT集成一体化电流传感器,IGBT框架模块包括母排以及注塑成型在母排外周的框架部,框架部的上端设有容置空间,母排设有镂空槽,框架部设有与镂空槽相对应的镂空腔,容置空间与镂空腔相连通;电流传感器模块包括包覆体、电路板、电性连接部件以及磁场感应芯片,磁场感应芯片固定连接于电路板,磁场感应芯片设置与电路板电性连接,磁场感应芯片设置在镂空腔内,电性连接部件的第一端与电路板电性连接;电控驱动模块固定安装在包覆体上端,电控驱动模块电性连接于电性连接部件的第二端,该电流传感器装配更加稳固、可靠性更高,在振动情况下能够保证测量精度,另外解决了现有磁场感应芯片注塑成型时的高温高压对磁场感应芯片的影响。
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