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公开(公告)号：CN116373209A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310653852.X
申请日：2023-06-05
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 本发明涉及电流检测领域，特别是涉及一种塑封电流检测装置的制作方法及塑封电流检测装置，通过制备一体化框架；所述一体化框架包括原边母排、连筋及次边区；所述次边区包括电气引脚及引线框架；所述原边母排仅通过所述连筋与所述次边区电连接；将磁敏感单元固定于所述引线框架内，并将磁敏感单元与所述引线框架电连接，得到一次塑封前置物；将所述一次塑封前置物进行第一次塑封，得到一次塑封体；对所述一次塑封体的预设位置进行切割，将所述连筋切断；将聚磁铁芯固定于切断所述连筋的一次塑封体上，得到二次塑封前置物；将所述二次塑封前置物进行第二次塑封，得到塑封电流检测装置。本发明使得电流检测装置的测量准确度和工作稳定性都得到提升。
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公开(公告)号：CN116314059A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310465497.3
申请日：2023-04-27
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种封装芯片及电流传感器，应用于芯片封装领域，该封装芯片包括：衬底、与衬底相同材质的保护层和在衬底一侧表面制备的有源区，有源区背向衬底的一侧，与保护层键合连接，保护层与衬底之间，在有源区侧面形成有隔离结构。本发明通过在衬底上制备的有源区，背向衬底的一侧连接保护层，并在保护层与衬底之间，有源区侧面形成有隔离结构，能够形成对有源区的绝缘隔离，当将形成的芯片结构连接到其他组件上时，无论是采用芯片引线键合或者是倒装焊焊接等方式，在芯片正面或背面都无需额外引入绝缘材料，通过有源区背向衬底的一侧与保护层键合连接，能够减少异种材料使用，提高绝缘性能的同时，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN113391787B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110655921.1
申请日：2021-06-11
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G06F7/535
Abstract: 本申请公开了一种除法器及除法处理方法，包括：预处理模块，用于将被除数左移小数位宽加1个比特得到第一数据，将除数左移数据位宽个比特得到第二数据；数据位宽为小数位宽与输入数据位宽之和；迭代运算模块执行：步骤01：比较第一数据以及第二数据的大小，若第一数据小于第二数据，则将第一数据存入预设寄存器，否则，第一数据减去第二数据将差值加1的结果存入寄存器；步骤02：判断步骤01的执行次数是否达到数据位宽次，若否，则将寄存器的值左移1个比特并赋值给第一数据，重新执行步骤01，若是，则将寄存器的值作为输出结果输入输出处理模块进行处理，能够实现任意整数的除法运算，且降低综合后电路面积。
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公开(公告)号：CN110542870B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910729983.5
申请日：2019-08-08
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种霍尔传感器集成芯片中灵敏度和零点温漂的补偿电路，其包括霍尔敏感元件、放大器、加法器、缓冲器、增益调整模块、零点调整模块、温度传感器、应力传感器、ADC（模拟数字转换器）、控制处理电路、第一DAC、第二DAC、出厂温度补偿系数存储器、出厂应力补偿系数存储器、用户增益校正值存储器、用户零点偏移校正值存储器。还相应提供了一种霍尔传感器集成芯片中灵敏度和零点温漂的补偿电路。本发明大大提升了灵敏度和零点温漂补偿的精度，提升了传感器的性能指标，同时满足客户在传感器生产或使用过程中进行灵敏度和零点的温度补偿的需求，不仅实现了灵敏度的温度补偿，而且实现了零点温漂的补偿。还可以快速响应外部磁场的变化。
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公开(公告)号：CN111470470A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010509797.3
申请日：2020-06-08
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种磁通门芯片的制备方法，属于磁通门传感器技术领域，包括：首先选取两片高阻硅片，其中一片表面电镀铁磁芯，另一片表面开设铁磁芯腔，然后两片高阻硅片上下键合，接着在两片高阻硅片的相对一侧表面分别开设线圈槽、通槽以及电极窗口，形成硅片模具，最后在硅片模具表面填充合金。本发明提供的一种磁通门芯片的制备方法，通过电镀，后键合，最后刻蚀，一方面，使得形成的磁通门芯片的厚度较薄，并满足足够的强度，另一方面能够实现磁通门芯片的大规模批量生产，提高工作效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN110146832A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910555343.7
申请日：2019-06-25
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01R33/06
Abstract: 本发明提供了一种微型磁通门传感器，涉及磁场检测传感器技术领域，用以解决目前磁通门传感器体积尺寸大、批量生产成本高，装配误差较大，电路复杂，小型化难度大的问题，本微型磁通门传感器包括双铁芯组件、自振荡模块、电流叠加与放大模块以及电压采集模块；所述双铁芯组件包括第一铁芯和第二铁芯，所述第一铁芯上有第一绕组线圈，第二铁芯上有第二绕组线圈，所述第一绕组线圈和第二绕组线圈分别和自振荡模块的输入端连接，自振荡模块的输出端分别和电流叠加与放大模块以及电压采集模块连接。本磁通门传感器处理电路简单，不需要人为调试，容易集成化。
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公开(公告)号：CN109115358A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811134462.7
申请日：2018-09-27
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种微机电系统阵列式铂薄膜温度传感器，包括绝缘基底、铂薄膜电阻温度传感器、聚酰亚胺薄膜，绝缘基底为硅基底或氧化铝陶瓷基底上沉积氧化硅绝缘层制成，绝缘基底之上沉积有铂薄膜电阻温度传感器，铂薄膜电阻温度传感器呈阵列分布，铂薄膜电阻温度传感器上由聚酰亚胺薄膜保护层覆盖，铂薄膜电阻温度传感器与基底绝缘层之间有一层钛金属层，钛金属层的厚度为10nm~20nm。还公开了所述微机电系统阵列式铂薄膜温度传感器的制备方法。
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公开(公告)号：CN107367288A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710624004.0
申请日：2017-07-27
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
CPC classification number: G01D5/12 , C23C16/402
Abstract: 本发明涉及一种微型磁通门传感器制备方法，选取两个高阻硅片，分别在两个高阻硅片上进行刻蚀，以使得两个高阻硅片键合后能够形成用于放置磁芯的磁芯腔、多个围绕在磁芯腔外周的螺线管腔以及与螺线管腔相连通的电极窗口。在螺线管腔内填充线圈材料，从而在螺线管腔内形成螺线管线圈。自磁芯腔中部的位置切割键合后的两个高阻硅片，使得磁芯腔一侧开口，自开口处将磁芯插入磁芯腔内，使用填充材料密封固定开口，从而完成微型磁通门传感器的制备。本发明中的微型磁通门传感器制备方法，螺线管线圈制作工艺简单，避免了使用微电镀工艺，降低了对环境的污染，缩减了成本。磁芯的设置方式，避免了对磁芯软磁性能的损害作用，提高磁芯的性能。
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公开(公告)号：CN106291405A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610774690.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01R33/0052 , G01R33/04
Abstract: 本发明涉及一种一次成型螺线管线圈微型磁通门的制备方法，即分别在两个高阻硅片上进行刻蚀处理，以使得两个高阻硅片键合后能够形成铁芯腔和多个围绕在铁芯腔外周的螺线管腔，并且螺线管腔在至少一个高阻硅片上形成有填充口。两个高阻硅片键合前，在铁芯腔对应在两个高阻硅片上的刻蚀槽内沉积铁芯层，两个高阻硅片键合后，自填充口向螺线管腔内填充线圈材料，从而在螺线管腔中形成螺线管线圈；然后在所述填充口上覆盖保护层并在保护层上开设通至所述螺线管线圈的电极窗口。本发明使用两个高阻硅片键合的方式制备微型磁通门，提高了制备成品率，减少了电镀工艺的毒害性。还可以方便调整铁芯腔的制备厚度，进而使得铁芯层的厚度不受制备工艺的限制。
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公开(公告)号：CN118858737B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411349801.9
申请日：2024-09-26
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种异形母排电流传感器及其电流测试方法，包括母排本体、内凹切口槽以及差分磁敏感芯片，内凹切口槽包括第一内切口和第二内切口，第二内切口沿母排本体的宽度方向对母排本体做减薄处理。本发明在内凹切口槽形成与磁敏感芯片相对应的阶梯结构，可以适应母排本体电流流通时电流分布高低频不同所产生的影响，解决带宽减少的问题，本发明还具有较好的通流能力和较小的位置误差，以增强电流检测的效果。
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