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公开(公告)号：CN106291405B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201610774690.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种一次成型螺线管线圈微型磁通门的制备方法，即分别在两个高阻硅片上进行刻蚀处理，以使得两个高阻硅片键合后能够形成铁芯腔和多个围绕在铁芯腔外周的螺线管腔，并且螺线管腔在至少一个高阻硅片上形成有填充口。两个高阻硅片键合前，在铁芯腔对应在两个高阻硅片上的刻蚀槽内沉积铁芯层，两个高阻硅片键合后，自填充口向螺线管腔内填充线圈材料，从而在螺线管腔中形成螺线管线圈；然后在所述填充口上覆盖保护层并在保护层上开设通至所述螺线管线圈的电极窗口。本发明使用两个高阻硅片键合的方式制备微型磁通门，提高了制备成品率，减少了电镀工艺的毒害性。还可以方便调整铁芯腔的制备厚度，进而使得铁芯层的厚度不受制备工艺的限制。
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公开(公告)号：CN106291405A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610774690.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01R33/0052 , G01R33/04
Abstract: 本发明涉及一种一次成型螺线管线圈微型磁通门的制备方法，即分别在两个高阻硅片上进行刻蚀处理，以使得两个高阻硅片键合后能够形成铁芯腔和多个围绕在铁芯腔外周的螺线管腔，并且螺线管腔在至少一个高阻硅片上形成有填充口。两个高阻硅片键合前，在铁芯腔对应在两个高阻硅片上的刻蚀槽内沉积铁芯层，两个高阻硅片键合后，自填充口向螺线管腔内填充线圈材料，从而在螺线管腔中形成螺线管线圈；然后在所述填充口上覆盖保护层并在保护层上开设通至所述螺线管线圈的电极窗口。本发明使用两个高阻硅片键合的方式制备微型磁通门，提高了制备成品率，减少了电镀工艺的毒害性。还可以方便调整铁芯腔的制备厚度，进而使得铁芯层的厚度不受制备工艺的限制。
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公开(公告)号：CN205958729U
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201621017090.6
申请日：2016-08-31
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种螺线管线圈微型磁通门，包括相互键合的第一高阻硅片和第一高阻硅片，第一高阻硅片和第二高阻硅片的对合面之间具有一内置铁芯层的铁芯腔，铁芯腔的外周围绕设置有多个填充有线圈材料的螺线管腔，螺线管腔在第一高阻硅片和/或第二高阻硅片的外表面上形成有填充口，填充口上覆盖设置有保护层，保护层上开设有通至螺线管线圈的电极窗口。该螺线管线圈微型磁通门环保性好、制备简单、成品率高。
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公开(公告)号：CN107093989B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201710259200.2
申请日：2017-04-19
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种基于斩波二阶补偿的片上霍尔信号放大器，包括：信号输入模块，用于提供霍尔正相输入信号和反相输入信号；与所述信号输入模块的两个输出端连接的斩波调制模块，配置为对所述正相输入信号和反相输入信号进行调制、输出；时钟模块，用于为所述斩波调制模块提供切换频率与调制频率；与所述斩波调制模块的两个输出端连接的运放模块，用于放大所述斩波调制模块的输出信号；还包括与所述运放模块输出端、时钟模块连接的二阶补偿模块，用于对所述运放模块的输出信号进行补偿，并反馈给所述运放模块的反相输入端。本发明相比现有技术，能有效实现全温度范围消除失调，并通过二阶补偿提升输出信号的线性度。
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公开(公告)号：CN107843279B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201711063334.3
申请日：2017-11-02
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01D18/00
Abstract: 本发明涉及一种具有自检测故障及自我调节功能的传感器电路，包括用于对传感器的检测信号进行处理的信号处理电路，用于检测传感器检测信号的故障并对故障进行提示的故障提示电路，以及用于检测传感器信号的故障并能够将传感器检测信号调节至正常状态的故障调节电路，故障提示电路与信号处理电路的输出端相连接，故障调节电路与信号处理电路的输出端相连接。本发明中的具有自检测故障及自我调节功能的传感器电路除了检测传感器的异常信息还能够对部分异常进行反馈，使传感器重新恢复到正常工作状态，对于增强传感器的抗干扰能力有一定的作用。本发明中传感器能主动反馈异常信息，对于系统产品的异常情况溯源追根很有帮助，方便更快查找到故障原因。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105424976B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201510937491.7
申请日：2015-12-15
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种列车绝对速度测量装置，设置在列车上靠近轨道的上方位置，包括基体、设置在基体上且位于轨道上方的光学镜头、设置在光学镜头外侧的光源、能够以高频率和小数据量采集轨道图像的数据采集单元以及用于处理图像以获取速度和方向信息的信号处理单元。数据采集单元设置在基体内且位于光学镜头上方，信号处理单元设置在基体内且与数据采集单元相连接。本发明还涉及一种列车速度计算方法，采用空间滤波的方法计算列车的绝对速度值，采用傅里叶算法、D触发器的识别方法或者在列车上安装加速度传感器识别列车的速度方向。该列车绝对速度测量装置和速度计算方法能够实时、精确列车相对于地面的绝对速度，且测量死区小、不受气候条件影响。
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公开(公告)号：CN105512423B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201510963424.2
申请日：2015-12-21
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种磁芯磁滞回线SPICE建模方法，考虑磁芯截面磁场非均匀性的因素，将磁芯薄片分割为2n层磁芯薄片单元，利用法拉第定律、欧姆定律以及安培环路定理计算出每层磁芯薄片的磁场合磁场强度，进而建立磁芯薄片的数据模型为根据该数据模型建立磁芯薄片的SPICE模型。该磁芯磁滞回线SPICE建模方法，符合实际的磁芯磁场情况，建立的SPICE模型准确性更高，并且通过该磁芯磁滞回线SPICE建模方法建立的SPICE模型对空间不需要进行微分，形式简单，易于在SPICE模型中实现和求解。
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公开(公告)号：CN107860959A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710986544.3
申请日：2017-10-20
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
CPC classification number: G01R19/0092 , G01R15/18
Abstract: 本发明涉及一种基于磁通门芯片的开环电流传感器，包括母排、电路板和两个磁通门芯片，母排的上开设有开孔。沿母排的宽度方向，开孔的孔心距离母排两侧边缘的距离相等。电路板垂直于母排插设在开孔内，并且母排的长度轴线与电路板的板面相平行，两个磁通门芯片对称连接在电路板的两侧并位于开孔内。该基于磁通门芯片的开环电流传感器直接在原边母排上开设开孔，则母排开孔中心两侧会产生磁场，该磁场的大小与原边母排中的电流成正比，进而磁通门芯片通过感应原边母排的磁场强度后进行信号放大输出，该结构中无需使用铁芯，有效消除了铁芯带来的干扰影响。不仅可以提高传感器的精度和线性度，还具有剩磁小、温漂性能好、成本低、体积小等优点。
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公开(公告)号：CN107843279A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711063334.3
申请日：2017-11-02
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01D18/00
Abstract: 本发明涉及一种具有自检测故障及自我调节功能的传感器电路，包括用于对传感器的检测信号进行处理的信号处理电路，用于检测传感器检测信号的故障并对故障进行提示的故障提示电路，以及用于检测传感器信号的故障并能够将传感器检测信号调节至正常状态的故障调节电路，故障提示电路与信号处理电路的输出端相连接，故障调节电路与信号处理电路的输出端相连接。本发明中的具有自检测故障及自我调节功能的传感器电路除了检测传感器的异常信息还能够对部分异常进行反馈，使传感器重新恢复到正常工作状态，对于增强传感器的抗干扰能力有一定的作用。本发明中传感器能主动反馈异常信息，对于系统产品的异常情况溯源追根很有帮助，方便更快查找到故障原因。
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公开(公告)号：CN105088153B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510504862.2
申请日：2015-08-17
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/165 , C23C14/022 , C23C14/34 , H01L21/02052 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02631
Abstract: 一种半导体硅锗薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：对单晶硅基片进行清洗，清洗后置于衬底台上；分别进行溅射硅的单一薄膜和锗的单一薄膜；采用共溅法，在又一单晶硅基片沉积不同成分的硅锗合金薄膜，测得所沉积薄膜的厚度，得到具有不同成分比的硅锗合金薄膜。与现有技术相比，本发明的优点在于：采用偏置靶材离子束沉积，结合了离子束沉积技术和磁控溅射沉积技术的优点，能够有效克服磁控溅射沉积技术和离子束沉积技术两者的缺点。
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