发光二极管的制造设备与方法

    公开(公告)号:CN102388436B

    公开(公告)日:2014-01-15

    申请号:CN200980135714.0

    申请日:2009-09-21

    发明人: 柳炳韶

    IPC分类号: H01L21/268 H01L33/32

    摘要: 本发明公开了一种LED的制造设备和方法,所述设备和方法能够使垂直型LED中的薄膜与基底分离,所述设备包括:激光束源,用于发射激光束;网孔型掩膜,所述网孔型掩膜具有多个孔,用于使所述激光束有选择地通过;以及成像透镜,用于通过将穿过所述网孔型掩膜的激光束聚焦而形成多个束斑,从而将基底与形成在所述基底上的半导体层分离。

    发光二极管的制造设备与方法

    公开(公告)号:CN102388436A

    公开(公告)日:2012-03-21

    申请号:CN200980135714.0

    申请日:2009-09-21

    发明人: 柳炳韶

    IPC分类号: H01L21/268 H01L33/32

    摘要: 本发明公开了一种LED的制造设备和方法,所述设备和方法能够使垂直型LED中的薄膜与基底分离,所述设备包括:激光束源,用于发射激光束;网孔型掩膜,所述网孔型掩膜具有多个孔,用于使所述激光束有选择地通过;以及成像透镜,用于通过将穿过所述网孔型掩膜的激光束聚焦而形成多个束斑,从而将基底与形成在所述基底上的半导体层分离。

    激光加工装置以及利用该装置的激光加工方法

    公开(公告)号:CN102468120A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201010574502.7

    申请日:2010-12-06

    IPC分类号: H01L21/00 H01L21/02

    摘要: 本发明涉及一种利用激光加工材料的激光加工装置以及利用该装置的激光加工方法,更详细地说,公开了能够缩短工序时间、提高生产率的激光加工装置以及利用该装置的激光加工方法。该激光加工方法包括如下步骤:引出晶片步骤,所述送料机从安装在所述晶片盒升降器上的晶片盒中引出晶片并移送至所述晶片对准器;晶片排列及边缘检测步骤,所述晶片对准器对所述晶片的两侧面施压而排列晶片,然后所述边缘检测器动作而检测被固定在所述晶片对准器上的晶片的外轮廓形状图案;装载晶片步骤,所述转送臂动作,将已结束边缘检测的晶片移送至工作台;以及加工晶片步骤,所述工作台和所述激光加工部动作,加工晶片。

    拾取设备以及具有该拾取设备的发光二极管芯片分选设备

    公开(公告)号:CN102472790A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN200980160637.4

    申请日:2009-12-24

    申请人: QMC株式会社

    发明人: 柳炳韶

    IPC分类号: G01R31/26 H01L21/78

    CPC分类号: H01L21/67132 G01R31/2635

    摘要: 提供一种能够容易地拾取目标物的拾取设备以及具有该拾取设备的LED芯片分选设备。所述拾取设备包括:支撑部件,安装在承托部件的下方并在面向所述承托部件的表面上具有凹槽;支撑销,安装在所述支撑部件的所述凹槽的内部,以便朝着所述承托部件凸出,并且能够在穿过所述承托部件之后支撑所述目标物;以及拾取头,安装在所述目标物的上方,以便拾取所述目标物。另外,提供至少一个吸气孔,所述吸气孔穿通所述支撑部件的凹槽,以便空气流动。