公开(公告)号：CN105514301A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610039759.X

申请日：2016-01-21

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 沐俊应

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L21/31 ,  C23C14/24

CPC分类号： B32B43/006 ,  B32B38/10 ,  B32B2307/20 ,  B32B2307/40 ,  B32B2457/14 ,  B32B2457/206 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68742 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1917 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1983 ,  H01L51/56 ,  C23C14/24 ,  H01L21/31

摘要： 本发明提供一种蒸镀装置，包括载台、底座和光源，所述载台放置于所述底座上，所述底座上还设置有真空针脚，所述真空针脚能够相对所述底座移动，所述载台上设置有针孔，所述真空针脚穿过所述针孔以吸附基板，所述载台远离所述底座的一侧涂覆有光敏粘合剂，所述光源用于照射介于所述载台与所述基板之间的所述光敏粘合剂，使其粘性下降，以便将基板与载台分离，从而实现较小的形变，达到提升产品良率的技术效果。本发明的蒸镀方法在基板与间隔垫分离时能实现较小的形变，达到提升产品良率的技术效果。

公开(公告)号：CN104167350A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410186521.0

申请日：2014-05-05

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·科勒 ,  F·玛利亚尼 ,  K·乌明格

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67132 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T156/1917 ,  Y10T156/1994 ,  H01L21/67028

摘要： 本发明涉及从载体去除衬底，提供了从载体去除衬底方法和装置，其中向衬底的至少一个部分施加脱模剂。从载体去除衬底的至少一个部分。

公开(公告)号：CN102129955A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010599722.5

申请日：2010-12-14

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 山本雅之 ,  入江胜

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67132 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1917

摘要： 本发明提供粘合带剥离方法及其装置。利用二极管向粘贴在晶圆上的保护带照射紫外线，在该紫外线照射的同时，利用加热器将保护带加热至设定温度。根据二极管的紫外线的反应和加热器的加热的反应，可靠地促进了聚合反应，使仅靠紫外线不能完全固化的粘合剂固化。其结果，该保护带的粘接力充分地减弱。在该二极管的紫外线照射和加热器的加热之后，保护带剥离机构将保护带从晶圆上剥离下来，因此能够高精度地剥离粘贴在晶圆上的保护带。

公开(公告)号：CN101868349A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200880116882.0

申请日：2008-11-17

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 西尾昭德 ,  木内一之

IPC分类号： B32B27/08 ,  B29C61/06 ,  B32B7/02 ,  B32B27/00 ,  B32B27/30 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  B29K105/02 ,  B29L7/00 ,  B29L9/00

CPC分类号： B29C53/32 ,  B29C63/0013 ,  B29K2995/0049 ,  B29L2009/00 ,  B32B7/02 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B25/08 ,  B32B25/14 ,  B32B27/08 ,  B32B27/16 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B27/22 ,  B32B27/281 ,  B32B27/283 ,  B32B27/285 ,  B32B27/30 ,  B32B27/302 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/325 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/40 ,  B32B37/12 ,  B32B37/144 ,  B32B2038/1891 ,  B32B2250/24 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/26 ,  B32B2255/28 ,  B32B2264/02 ,  B32B2264/101 ,  B32B2270/00 ,  B32B2307/308 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/518 ,  B32B2307/736 ,  B32B2307/748 ,  B32B2307/75 ,  B32B2405/00 ,  B32B2457/00 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/162 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68386 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1917 ,  Y10T156/1978 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/2848

摘要： 本发明的粘合片，其为一种树脂层压体，所述树脂层压体是将热收缩率相对大的高热收缩基材层和热收缩率相对小的低热收缩基材层隔着粘接剂层接合而成的，其中，所述高热收缩基材层的在主要收缩方向的收缩率[A％]和在与主要收缩方向垂直的方向的收缩率[B％]之比(A∶B)为1∶1～10∶1，其中，通过从任意的一个方向加热而向高热收缩基材层侧翘曲，通过进一步加热而能从1个端部向1个方向主动卷绕而形成1个筒状卷绕体。根据该粘合片，通过从任意的一个方向加热而能从被粘物顺畅地剥离。因此，可用于半导体晶圆研磨用粘合片等。

公开(公告)号：CN103854973B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310624785.5

申请日：2013-11-28

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 党兵 ,  J·U·尼克伯克 ,  C·K-I·曾

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02002 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y10S977/902 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1917 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678

摘要： 一种操作器件晶片和叠层结构的方法和处理叠层结构的装置。提供用于通过使用包含一个或多个可释放层的接合结构暂时使操作器晶片与器件晶片接合的结构和方法，这些可释放层吸收长波长红外辐射以通过红外辐射烧蚀实现晶片脱粘。

公开(公告)号：CN105659356A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480042228.5

申请日：2014-07-29

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 党兵 ,  J·U·尼克博克 ,  C·K-I·曾

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/67132 ,  B23K26/36 ,  B23K26/57 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/941 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1917

摘要： 本发明提供使用接合结构将处理物晶片临时接合至器件晶片的结构及方法，所述接合结构包括使用中波长红外辐射可激光烧蚀的一个或多个可释放层。

公开(公告)号：CN102005365B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010272021.0

申请日：2010-08-31

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 长谷幸敏 ,  山本雅之

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67132 ,  Y10T156/1147 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1917

摘要： 本发明提供一种保护带剥离方法及其装置，吸盘台从在粘贴有保护带状态下进行了切割处理后的安装框的背面吸附保持该安装框，并且通过将埋设有加热器的吸附板抵接于安装框并进行对安装框加热，使得粘接层发泡膨胀并丧失粘着力，随后，一边维持吸附力一边使吸附板上升，进而从所有芯片元件剥离保护带。

公开(公告)号：CN104362112A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410479471.5

申请日：2010-03-16

申请人： EV集团有限责任公司

发明人： E.塔尔纳

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： B32B43/006 ,  H01L21/67092 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/931 ,  Y10S156/932 ,  Y10S156/941 ,  Y10S156/943 ,  Y10T156/1111 ,  Y10T156/19 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1917 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1967 ,  H01L21/67011 ,  H01L2221/67

摘要： 一种用于从通过连接层与晶片相连接的载体中分离晶片的装置，其带有用于接收由载体与晶片构成的载体晶片复合体的接收装置、用于解开载体与晶片之间的通过连接层设置的连接的解开连接器件和用于从载体中分离晶片或者从晶片中分离载体的分离器件，其中，解开连接器件构造成在0至350°C的、尤其10至200°C的、优选地20至80°C的温度范围中、还更优选地在环境温度下工作。

公开(公告)号：CN102005364B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201010271996.1

申请日：2010-08-31

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 杉村敏正 ,  西尾昭德 ,  木内一之

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/78

CPC分类号： B32B38/10 ,  B32B2038/1891 ,  B32B2310/028 ,  B32B2310/04 ,  B32B2310/0825 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68386 ,  Y10T156/1121 ,  Y10T156/1137 ,  Y10T156/1142 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1917 ,  Y10T156/1922 ,  Y10T156/1939

摘要： 本发明提供一种方法，在切割工序中，在被切断物表面上粘贴表面保护胶带，通过与被切断物一并切断，而保护被切断物表面免受因切屑等粉尘等的附着所引起的污染，并且在切割工序后，可容易地从各个基片剥离除去表面保护胶带。还提供一种方法，在被切断物表面上粘贴表面保护胶带，将其与所述被切断物一起切断后，在使被切断物倾斜的状态下除去该切割表面保护胶带。

公开(公告)号：CN102027086A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980116996.X

申请日：2009-05-01

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 西尾昭德 ,  木内一之

IPC分类号： C09J7/02 ,  C09J4/00 ,  C09J133/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC分类号： C09J133/10 ,  C09J7/29 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  Y10T156/1142 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1917 ,  Y10T428/2495

摘要： 本发明提供一种粘合片，其为依次层叠下述材料而成的：基材层A：25℃下的杨氏模量与基材厚度的积为1.0×105～4.0×105N/m、80℃下的杨氏模量与基材厚度的积为2.8×105N/m以下；粘合剂层A：80℃下的剪切模量为0.2MPa以下；基材层B：25℃下的杨氏模量与基材厚度的积小于25℃下的基材层A的杨氏模量与基材厚度的积、在80℃下加热所引起的MD收缩率和TD收缩率均为20％以上；粘合剂层B：80℃下的杨氏模量为10MPa以上、对晶片的粘合力为0.2N/10mm以下。