公开(公告)号：CN104043917A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410087910.8

申请日：2014-03-11

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： A·I·阿明 ,  H·哈米德

IPC: B23K37/00 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/68778 ,  H01L2221/68386 ,  Y10S156/932 ,  Y10S156/943 ,  Y10T29/49826 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1744 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1983

Abstract: 本发明公开了用于芯片焊接机的芯片排出组件（45），其可以包括搅拨销（50），搅拨销（50）具有细长轴部（52），细长轴部（52）带有第一端（54）和第二端（56）。搅拨销（50）还包括基部（62），其具有第一端（64）和第二端（72）。基部（62）具有大于细长轴部（52）最大直径的最大直径。细长轴部（52）的第一端（54）被固定地附接至基部（62）的第二端（72）。

公开(公告)号：CN103325715A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310096571.5

申请日：2010-03-16

Applicant: EV集团有限责任公司

Inventor： E.塔尔纳

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: B32B43/006 ,  H01L21/67092 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/931 ,  Y10S156/932 ,  Y10S156/941 ,  Y10S156/943 ,  Y10T156/1111 ,  Y10T156/19 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1917 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1967

Abstract: 一种用于从通过连接层与晶片相连接的载体中分离晶片的装置，其带有用于接收由载体与晶片构成的载体晶片复合体的接收装置、用于解开载体与晶片之间的通过连接层设置的连接的解开连接器件和用于从载体中分离晶片或者从晶片中分离载体的分离器件，其中，解开连接器件构造成在0至350℃的、尤其10至200℃的、优选地20至80℃的温度范围中、还更优选地在环境温度下工作。此外本发明涉及一种用于从通过连接层与晶片相连接的载体中分离晶片的方法，其带有以下步骤：在接收装置上接收由载体和晶片构成的载体晶片复合体、通过解开连接器件解开载体与晶片之间的通过连接层设置的连接并且通过分离器件从载体中分离晶片或者从晶片中分离载体，其中，解开连接器件在直至350℃的、尤其10至200℃的、优选地20至80℃的温度范围中、还更优选地在环境温度下工作。

公开(公告)号：CN102148142B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201110030866.3

申请日：2011-01-28

Applicant: 先进自动器材有限公司

Inventor： 叶少萍 ,  庄智明 ,  陈文炜 ,  黄国威

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/6838 ,  Y10S156/931 ,  Y10S156/932 ,  Y10S156/941 ,  Y10S156/943 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1142 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1195 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1978 ,  Y10T156/1989 ,  Y10T156/1994

Abstract: 本发明公开了一种用于从粘性带体处分离晶粒的方法，该晶粒装配在粘性带体上，该方法包含有以下步骤：使用支撑表面支撑晶粒和粘性带体相接触的第一侧面的内部和外部；使用夹体接触晶粒的和第一侧面相对的第二侧面的内部和外部；在支撑表面仅仅支撑晶粒的内部的同时，从晶粒的外部撤去支撑，以便于晶粒的第二侧面的外部弯曲离开夹体；施加来自夹体的真空吸附以朝向夹体吸引晶粒的外部，并监测真空吸附压力直到达到表明晶粒的外部正与夹体接触的临界压力；其后在夹体使用真空吸附固定晶粒的同时提升夹体，以将晶粒从粘性带体处完全脱离。

公开(公告)号：CN1210760C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN02108058.5

申请日：2002-03-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉本和浩 ,  手代木和雄 ,  吉田英治

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L2221/68322 ,  Y10S156/943 ,  Y10S438/976 ,  Y10T29/49824 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/19 ,  Y10T156/1983

Abstract: 在半导体制造工艺中，半导体晶片被切割成多个半导体芯片，然后用剥离装置将这些芯片从切割带上剥离下来。该剥离装置包括多个从外到里前后配置的可位移接触部件，该可位移接触部件可以被操作，使得半导体芯片可以连续地剥离切割带，从其外周部分向其中心部分剥离。

公开(公告)号：CN1414602A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN02108058.5

申请日：2002-03-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉本和浩 ,  手代木和雄 ,  吉田英治

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L2221/68322 ,  Y10S156/943 ,  Y10S438/976 ,  Y10T29/49824 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/19 ,  Y10T156/1983

Abstract: 在半导体制造工艺中，半导体晶片被切割成许多半导体芯片，然后用剥离装置将这些芯片从切割带上剥离下来。该剥离装置包括许多从外到里前后配置的环形接触部件，该环形接触部件可以被操作，使得半导体芯片可以连续地剥离切割带，从其外周部分向其中心部分剥离。

公开(公告)号：CN103681406B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310061127.X

申请日：2013-02-27

Applicant: 捷进科技有限公司

Inventor： 山本启太 ,  冈本直树

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67121 ,  H01L21/67132 ,  H01L2221/68381 ,  Y10S156/932 ,  Y10S156/943 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1744 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1983

Abstract: 本发明提供裸片的破损少的裸片拾取方法、能够可靠地进行裸片接合且可靠性高的裸片接合装置及裸片拾取装置。晶圆供给部具有从切割带的下方顶出裸片以从切割带剥离裸片的顶出单元，上述顶出单元具有真空吸附上述切割带的吸附孔部、由封入流体或粉体的弹性体构成且顶出上述切割带的顶出部、对上述顶出部施加压力的汽缸、以及供给用于通过控制上述控制部而变更上述汽缸内的压力的空气的空气供给机构。

公开(公告)号：CN102388431B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080013539.0

申请日：2010-03-16

Applicant: EV集团有限责任公司

Inventor： E·塔尔纳

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B32B43/006 ,  H01L21/67092 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/931 ,  Y10S156/932 ,  Y10S156/941 ,  Y10S156/943 ,  Y10T156/1111 ,  Y10T156/19 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1917 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1967

Abstract: 一种用于从通过连接层与晶片相连接的载体中分离晶片的装置，其带有用于接收由载体与晶片构成的载体晶片复合体的接收装置、用于解开载体与晶片之间的通过连接层设置的连接的解开连接器件和用于从载体中分离晶片或者从晶片中分离载体的分离器件，其中，解开连接器件构造成在0至350℃的、尤其10至200℃的、优选地20至80℃的温度范围中、还更优选地在环境温度下工作。此外本发明涉及一种用于从通过连接层与晶片相连接的载体中分离晶片的方法，其带有以下步骤：在接收装置上接收由载体和晶片构成的载体晶片复合体、通过解开连接器件解开载体与晶片之间的通过连接层设置的连接并且通过分离器件从载体中分离晶片或者从晶片中分离载体，其中，解开连接器件在直至350℃的、尤其10至200℃的、优选地20至80℃的温度范围中、还更优选地在环境温度下工作。

公开(公告)号：CN102460677A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080026829.9

申请日：2010-04-15

Applicant: 休斯微技术股份有限公司

Inventor： 格雷戈里·乔治 ,  黑尔·约翰逊 ,  帕特里克·格伦 ,  埃米特·休利特 ,  詹姆斯·赫曼奥斯基 ,  马修·斯泰尔斯 ,  迈克尔·库亨勒 ,  丹尼斯·帕特里西奥

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B32B38/1858 ,  B32B43/006 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/673 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/932 ,  Y10S156/941 ,  Y10S156/942 ,  Y10S156/943 ,  Y10T29/49817 ,  Y10T29/53274 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1189 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1917 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1972 ,  Y10T156/1978 ,  Y10T279/18 ,  Y10T279/21 ,  Y10T279/26 ,  Y10T279/29

Abstract: 一种用于临时晶片接合的改进装置，包括临时连接器群和剥离器群。临时连接器群包括临时连接器模组，其执行电子晶片接合工序，该工序包括粘胶层接合、粘胶层与释放层接合的组合和紫外光可固化粘胶层与激光吸收释放层接合的组合。剥离器群包括热滑动剥离器、机械剥离器和辐射剥离器。

公开(公告)号：CN102148142A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110030866.3

申请日：2011-01-28

Applicant: 先进自动器材有限公司

Inventor： 叶少萍 ,  庄智明 ,  陈文炜 ,  黄国威

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/6838 ,  Y10S156/931 ,  Y10S156/932 ,  Y10S156/941 ,  Y10S156/943 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1142 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1195 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1978 ,  Y10T156/1989 ,  Y10T156/1994

Abstract: 本发明公开了一种用于从粘性带体处分离晶粒的方法，该晶粒装配在粘性带体上，该方法包含有以下步骤：使用支撑表面支撑晶粒和粘性带体相接触的第一侧面的内部和外部；使用夹体接触晶粒的和第一侧面相对的第二侧面的内部和外部；在支撑表面仅仅支撑晶粒的内部的同时，从晶粒的外部撤去支撑，以便于晶粒的第二侧面的外部弯曲离开夹体；施加来自夹体的真空吸附以朝向夹体吸引晶粒的外部，并监测真空吸附压力直到达到表明晶粒的外部正与夹体接触的临界压力；其后在夹体使用真空吸附固定晶粒的同时提升夹体，以将晶粒从粘性带体处完全脱离。

公开(公告)号：CN1199251C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN01143553.4

申请日：2001-12-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 黑泽哲也

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L2221/68322 ,  Y10S156/943 ,  Y10S438/976 ,  Y10T29/49824 ,  Y10T156/1028 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1983

Abstract: 从粘性薄片上剥离被粘贴在粘性薄片上的半导体芯片的拾取用夹具，具备：第1以及第2上突销群，和安装这些第1以及第2上突销群的根基部分的销座。上述第1上突销群，被配置成与半导体芯片的各角部对应，隔着粘性薄片用尖端部分向上顶半导体芯片。上述第2上突销群，被配置成与上述半导体芯片的中央部分对应，尖端部分比上述第1上突销群的尖端部分低，隔着上述粘性薄片用前端向上顶半导体芯片。