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公开(公告)号：CN1299450C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200310100254.2
申请日：2003-10-13
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本发明提供了一种形成用于插件和底板之间的光波导连接的阶梯形结构安排的装置和方法。具有光波导和电导体嵌入的插件具有终止于一个阶梯形结构的边缘，并有光纤带从该边缘中伸出。一个引导结构与该边缘连接并包含沟道来引导和对准光纤带。具有嵌入的光波导和电导体的底板也具有终止于一个阶梯形结构的边缘，以一个引导结构连接于该边缘和锥形开口，这些开口接收和引导光纤带使其紧密靠近光波导，并形成插件和底板之间连接的波导的阶梯形结构安排。
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公开(公告)号：CN103843134A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280048081.1
申请日：2012-09-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/52
CPC classification number: H01L24/81 , H01L23/367 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/552 , H01L23/60 , H01L24/09 , H01L25/0655 , H01L2224/08238 , H01L2224/16225 , H01L2224/81192 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/15738 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/19105 , H01L2924/00
Abstract: 一种插入物夹层结构包括封闭集成电路电子器件的顶插入物和底插入物，包括用于将器件附着到底插入物的装置以及将顶插入物连接到底插入物的互连结构。除底插入物之外，该顶插入物还可以直接连接到芯片载体。该结构提供了对小型化D封装中的器件的屏蔽和保护以抵抗静电放电（ESD）、电磁干扰（EMI）以及电磁传导（EMC）。
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公开(公告)号：CN101217118A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710165838.6
申请日：2007-11-05
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： J·U·尼克博克 , H·德利吉安尼 , V·S·巴斯克 , J·M·科特 , K·T·科维特尼亚克
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/433 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/055 , H01L23/481 , H01L25/0655 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/73253 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 提供了用于制造具有导电通孔的硅载体的方法，其允许高产量制造低缺陷密度的硅载体。具体而言，提供了这样的方法，其对于小于10微米到大于300微米的垂直厚度能够制造具有例如1到10微米的直径的过孔直径的硅载体，其对于制造期间的热机械应力足够坚固以显著地最小化在过孔侧壁界面处的硅、绝缘体、衬里以及导体材料之间的热机械移动。
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公开(公告)号：CN101877341B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010166770.5
申请日：2010-04-27
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/16146 , H01L2224/16235 , H01L2224/17181 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19103 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明涉及可返修的电子器件组件及方法。提供一种电子器件组件，其包括衬底、内插件以及集成电路芯片。所述衬底由具有第一热膨胀率的第一材料制成，并且所述内插件以及所述集成电路由具有第二热膨胀率的第二材料制成。所述第二热膨胀率不同于所述第一热膨胀率，因此在所述衬底与所述内插件或芯片之间存在热膨胀系数失配。所述内插件通过多个第一电接触和至少部分地包围所述电接触的底部填充粘合剂而被耦合到所述衬底，以将所述内插件接合到所述衬底并由此减轻在所述多个第一导电接触上的应变。通过多个第二电接触将所述集成电路芯片耦合到所述内插件而不使用包围所述多个第二电接触的粘合剂。
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公开(公告)号：CN1497875A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310100254.2
申请日：2003-10-13
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G02B6/30 , G02B6/2826 , G02B6/3817 , G02B6/3829 , G02B6/3839 , G02B6/43
Abstract: 本发明提供了一种形成用于插件和底板之间的光波导连接的阶梯形结构安排的装置和方法。具有光波导和电导体嵌入的插件具有终止于一个阶梯形结构的边缘，并有光纤带从该边缘中伸出。一个引导结构与该边缘连接并包含沟道来引导和对准光纤带。具有嵌入的光波导和电导体的底板也具有终止于一个阶梯形结构的边缘，以一个引导结构连接于该边缘和锥形开口，这些开口接收和引导光纤带使其紧密靠近光波导，并形成插件和底板之间连接的波导的阶梯形结构安排。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105659356A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480042228.5
申请日：2014-07-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67132 , B23K26/36 , B23K26/57 , H01L21/67092 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/6838 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , Y10S156/93 , Y10S156/941 , Y10T156/1158 , Y10T156/1917
Abstract: 本发明提供使用接合结构将处理物晶片临时接合至器件晶片的结构及方法，所述接合结构包括使用中波长红外辐射可激光烧蚀的一个或多个可释放层。
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公开(公告)号：CN104718605A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380053216.8
申请日：2013-09-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/02 , H01L21/2007 , H01L21/6835 , H01L29/00 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于加工半导体晶片的方法包括将释放层施加到透明操作体(S11)。在半导体晶片与其上施加有所述释放层的所述透明操作体之间施加不同于所述释放层的粘合层(S12)。使用所述粘合层将所述半导体晶片接合到所述透明操作体(S13)。在所述半导体晶片被接合到所述透明操作体时加工所述半导体晶片(S14)。通过使用激光器透过所述透明操作体照射所述释放层来烧蚀所述释放层(S16)。从所述透明操作体去除所述半导体晶片(S17)。
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公开(公告)号：CN101060091A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710096439.9
申请日：2007-04-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/50 , B23K1/20 , B23K3/06 , H05K3/34 , B23K101/40
CPC classification number: H05K3/3484 , B23K3/0607 , B23K2101/42 , H05K3/4038 , H05K2201/0305 , H05K2201/09472 , H05K2203/0126 , H05K2203/043 , H05K2203/0568
Abstract: 公开了一种向在电路支撑衬底中的多个空腔提供导电接合材料的系统，方法和装置。该方法包括设置填充器基本与电路支撑衬底接触。电路支撑衬底包括至少一个空腔。在填充器基本与电路支撑衬底接触时，向至少一个电路支撑衬底和填充器提供线性运动或旋转运动。将导电接合材料从填充器排向电路支撑衬底。在至少一个空腔邻近填充器的同时，向至少一个空腔提供导电接合材料。
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公开(公告)号：CN104718605B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201380053216.8
申请日：2013-09-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/02 , H01L21/2007 , H01L21/6835 , H01L29/00 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于加工半导体晶片的方法包括将释放层施加到透明操作体(S11)。在半导体晶片与其上施加有所述释放层的所述透明操作体之间施加不同于所述释放层的粘合层(S12)。使用所述粘合层将所述半导体晶片接合到所述透明操作体(S13)。在所述半导体晶片被接合到所述透明操作体时加工所述半导体晶片(S14)。通过使用激光器透过所述透明操作体照射所述释放层来烧蚀所述释放层(S16)。从所述透明操作体去除所述半导体晶片(S17)。
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公开(公告)号：CN101217118B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200710165838.6
申请日：2007-11-05
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： J·U·尼克博克 , H·德利吉安尼 , V·S·巴斯克 , J·M·科特 , K·T·科维特尼亚克
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/433 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/055 , H01L23/481 , H01L25/0655 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/73253 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 提供了用于制造具有导电通孔的硅载体的方法其允许高产量制造低缺陷密度的硅载体。具体而言，提供了这样的方法，其对于小于10微米到大于300微米的垂直厚度能够制造具有例如1到10微米的直径的过孔直径的硅载体，其对于制造期间的热机械应力足够坚固以显著地最小化在过孔侧壁界面处的硅、绝缘体、衬里以及导体材料之间的热机械移动。
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