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公开(公告)号：CN1184362C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN01137197.8
申请日：2001-10-25
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: C25F3/02 , H01L21/32134 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05184 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/11009 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/1357 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/05655 , H01L2924/00014 , H01L2224/05147 , H01L2924/013
Abstract: 一种含水的电化学腐蚀剂，在存在有一种或多种不打算腐蚀的金属的情况下用来对一些金属进行腐蚀，该腐蚀剂包括：甘油，其浓度为1.30-1.70M；硫酸盐化合物，其硫酸根的离子浓度为0-0.5M；磷酸盐化合物，其磷酸根的离子浓度为0.1-0.5M。
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公开(公告)号：CN101217118B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200710165838.6
申请日：2007-11-05
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： J·U·尼克博克 , H·德利吉安尼 , V·S·巴斯克 , J·M·科特 , K·T·科维特尼亚克
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/433 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/055 , H01L23/481 , H01L25/0655 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/73253 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 提供了用于制造具有导电通孔的硅载体的方法其允许高产量制造低缺陷密度的硅载体。具体而言，提供了这样的方法，其对于小于10微米到大于300微米的垂直厚度能够制造具有例如1到10微米的直径的过孔直径的硅载体，其对于制造期间的热机械应力足够坚固以显著地最小化在过孔侧壁界面处的硅、绝缘体、衬里以及导体材料之间的热机械移动。
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公开(公告)号：CN1354285A
公开(公告)日：2002-06-19
申请号：CN01137197.8
申请日：2001-10-25
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: C25F3/02 , H01L21/32134 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05184 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/11009 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/1357 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/05655 , H01L2924/00014 , H01L2224/05147 , H01L2924/013
Abstract: 一种含水的电化学腐蚀剂,在存在有一种或多种不打算腐蚀的金属的情况下用来对一些金属进行腐蚀,该腐蚀剂包括:甘油,其浓度为1.30－1.70M;硫酸盐化合物,其硫酸根的离子浓度为0－0.5M;磷酸盐化合物,其磷酸根的离子浓度为0.1－0.5M。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110574158A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201780089942.3
申请日：2017-11-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 半导体结构和形成该半导体结构的方法包括与衬底通孔自对准的焊料凸块，其中，焊料凸块和衬底通孔由导电金属材料形成，并且其中衬底通孔耦合到由不同的导电金属材料形成的掩埋金属化层。
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公开(公告)号：CN1705774A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200380101929.3
申请日：2003-11-14
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: C25D7/123 , C25D5/48 , C25D17/001 , H01L21/2885 , H01L21/3212 , H01L21/32125 , H01L21/7684 , Y10S205/917
Abstract: 本发明提供了一种用于在衬底上电镀金属层并CMP平面化该层的方法和设备。该设备包括：工作台(10)，用于支撑抛光衬垫(20)，并具有多个形成用于将电镀溶液施加到衬垫上的通道的孔(210、220)；电镀阳极(201、202、203)，设置在通道中并与电镀溶液接触；载体(12)，用于固定衬底与衬垫的顶表面基本上平行，并用于将压在衬垫上的可变的机械力施加到衬底，从而衬底和衬垫之间的间距在电镀期间小于在电蚀刻期间。
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公开(公告)号：CN110574158B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201780089942.3
申请日：2017-11-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 半导体结构和形成该半导体结构的方法包括与衬底通孔自对准的焊料凸块，其中，焊料凸块和衬底通孔由导电金属材料形成，并且其中衬底通孔耦合到由不同的导电金属材料形成的掩埋金属化层。
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公开(公告)号：CN110622297A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201780090283.5
申请日：2017-12-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 半导体结构和形成该半导体结构的方法通常包括提供夹在第一硅衬底和第二硅衬底之间的热压结合的超导金属层。第二衬底包括到热压结合的超导金属层的多个硅通孔。在电镀过程中，使用热压结合的超导金属层作为底部电极，将第二种超导金属电镀到硅通孔中，其中填充是从底部向上进行的。
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公开(公告)号：CN101119823B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200580047087.7
申请日：2005-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： P·C·安德里卡科斯 , D·F·卡纳佩里 , E·I·库珀 , J·M·科特 , H·德利吉安尼 , L·埃科诺米可斯 , D·C·埃德尔斯坦 , S·弗朗兹 , B·普拉纳萨蒂哈伦 , M·克里希南 , A·P·曼森 , E·G·沃尔顿 , A·C·韦斯特
IPC: B23H3/00
CPC classification number: C25F3/02 , B23H5/08 , C09G1/04 , H01L21/32125
Abstract: 提供了用于硅片互连材料(例如铜)的电-化学-机械抛光(e-CMP)的方法和组合物。该方法包括与具有多种构造的垫一起使用本发明的组合物。
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