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公开(公告)号：CN1711621A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380103007.6
申请日：2003-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/3266
Abstract: 一种等离子体蚀刻系统，具有带有磁体的晶片卡盘，所述磁体在晶片上施加磁场，以屏蔽晶片不受带电粒子的影响。该磁场与晶片平行，并在晶片表面附近最强。该磁场可以是直线的，或环形的。在操作中，电子被Lorentz力从晶片上偏移，晶片获得正电荷，而离子被静电排斥偏移。中性核素允许穿过磁场，并且它们与晶片碰撞。中性核素通常比带电粒子提供更多的各向同性和材料选择性蚀刻，因此本发明的磁场趋于增加蚀刻各向同性和材料选择性。同样，该磁场可以保护晶片不受设计用于从室表面清除多余膜的涂光工艺的影响，因为涂光工艺通常依赖于利用带电粒子的蚀刻。
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公开(公告)号：CN1705774A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200380101929.3
申请日：2003-11-14
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: C25D7/123 , C25D5/48 , C25D17/001 , H01L21/2885 , H01L21/3212 , H01L21/32125 , H01L21/7684 , Y10S205/917
Abstract: 本发明提供了一种用于在衬底上电镀金属层并CMP平面化该层的方法和设备。该设备包括：工作台(10)，用于支撑抛光衬垫(20)，并具有多个形成用于将电镀溶液施加到衬垫上的通道的孔(210、220)；电镀阳极(201、202、203)，设置在通道中并与电镀溶液接触；载体(12)，用于固定衬底与衬垫的顶表面基本上平行，并用于将压在衬垫上的可变的机械力施加到衬底，从而衬底和衬垫之间的间距在电镀期间小于在电蚀刻期间。
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公开(公告)号：CN111971698B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201980025928.6
申请日：2019-04-10
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N20/00 , G06F18/24 , G06V10/764 , G06N3/0464 , G06N3/09 , G06N3/088 , G06N3/0895
Abstract: 提供了机制用于评估经训练的机器学习模型以确定该机器学习模型是否具有后门触发。所述机制处理测试数据集以生成所述测试数据集的输出分类，并且基于通过处理所述测试数据集生成的输出，为所述测试数据集生成指示所述测试数据集内的元素的变化程度的梯度数据。所述机制分析所述梯度数据以识别所述测试数据集内指示后门触发的元素的模式。响应于识别指示后门触发的元素的模式的分析，所述机制生成指示在所述经训练的机器学习模型中存在后门触发的输出。
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公开(公告)号：CN112131568A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010552253.5
申请日：2020-06-17
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本发明涉及推理时对已训练模型的对抗性后门攻击的检测。提供了有助于在推理时检测对已训练模型的对抗性后门攻击的系统、计算机实现的方法和计算机程序产品。根据一个实施例，系统可以包括：存储计算机可执行组件的存储器；以及执行存储在所述存储器中的所述计算机可执行组件的处理器。所述计算机可执行组件可以包括日志组件，记录由已训练模型基于推理请求生成的预测和相应激活值。所述计算机可执行组件可以进一步包括分析组件，在推理时使用模型以基于所述预测和所述相应激活值来检测后门触发请求。在一些实施例中，所述日志组件记录来自所述已训练模型的一个或多个层的所述预测和所述相应激活值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100465352C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200380101929.3
申请日：2003-11-14
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: C25D7/123 , C25D5/48 , C25D17/001 , H01L21/2885 , H01L21/3212 , H01L21/32125 , H01L21/7684 , Y10S205/917
Abstract: 本发明提供了一种用于在衬底上电镀金属层并CMP平面化该层的方法和设备。该设备包括：工作台(10)，用于支撑抛光衬垫(20)，并具有多个形成用于将电镀溶液施加到衬垫上的通道的孔(210、220)；电镀阳极(201、202、203)，设置在通道中并与电镀溶液接触；载体(12)，用于固定衬底与衬垫的顶表面基本上平行，并用于将压在衬垫上的可变的机械力施加到衬底，从而衬底和衬垫之间的间距在电镀期间小于在电蚀刻期间。
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公开(公告)号：CN114625422A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111416877.5
申请日：2021-11-26
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本申请涉及根据存储排出合并唤醒存储相关加载的面积和功率高效机制。一种计算机系统包括保持存储条目的存储队列和保持在存储条目上休眠的加载条目的加载队列。处理器检测存储排空合并操作调用并生成一对存储标签，该对存储标签包括对应于要排空的第一存储条目的第一存储标签和对应于要排空的第二存储条目的第二存储标签。处理器确定该对存储标签：偶数类型存储标签或奇数类型存储标签。当检测到偶数类型存储标签对时，处理器禁用偶数类型存储标签对中包括的奇数存储标签，并且在禁用奇数存储标签的同时，基于偶数类型存储标签对中包括的偶数存储标签，唤醒依赖于偶数存储标签的第一加载条目和依赖于奇数存储标签的第二加载条目。
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公开(公告)号：CN111971698A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201980025928.6
申请日：2019-04-10
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N3/08
Abstract: 提供了机制用于评估经训练的机器学习模型以确定该机器学习模型是否具有后门触发。所述机制处理测试数据集以生成所述测试数据集的输出分类，并且基于通过处理所述测试数据集生成的输出，为所述测试数据集生成指示所述测试数据集内的元素的变化程度的梯度数据。所述机制分析所述梯度数据以识别所述测试数据集内指示后门触发的元素的模式。响应于识别指示后门触发的元素的模式的分析，所述机制生成指示在所述经训练的机器学习模型中存在后门触发的输出。
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公开(公告)号：CN100388409C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200380103007.6
申请日：2003-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/3266
Abstract: 一种等离子体蚀刻系统，具有带有磁体的晶片卡盘，所述磁体在晶片上施加磁场，以屏蔽晶片不受带电粒子的影响。该磁场与晶片平行，并在晶片表面附近最强。该磁场可以是直线的，或环形的。在操作中，电子被Lorentz力从晶片上偏移，晶片获得正电荷，而离子被静电排斥偏移。中性核素允许穿过磁场，并且它们与晶片碰撞。中性核素通常比带电粒子提供更多的各向同性和材料选择性蚀刻，因此本发明的磁场趋于增加蚀刻各向同性和材料选择性。同样，该磁场可以保护晶片不受设计用于从室表面清除多余膜的涂光工艺的影响，因为涂光工艺通常依赖于利用带电粒子的蚀刻。
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公开(公告)号：CN114625422B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202111416877.5
申请日：2021-11-26
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本申请涉及根据存储排出合并唤醒存储相关加载的面积和功率高效机制。一种计算机系统包括保持存储条目的存储队列和保持在存储条目上休眠的加载条目的加载队列。处理器检测存储排空合并操作调用并生成一对存储标签，该对存储标签包括对应于要排空的第一存储条目的第一存储标签和对应于要排空的第二存储条目的第二存储标签。处理器确定该对存储标签：偶数类型存储标签或奇数类型存储标签。当检测到偶数类型存储标签对时，处理器禁用偶数类型存储标签对中包括的奇数存储标签，并且在禁用奇数存储标签的同时，基于偶数类型存储标签对中包括的偶数存储标签，唤醒依赖于偶数存储标签的第一加载条目和依赖于奇数存储标签的第二加载条目。
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