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公开(公告)号：CN103155111A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048141.5
申请日：2011-10-03
Inventor： J·B·常 , L·查恩斯 , J·E·康明斯 , M·A·古罗恩 , L·J·胡卡 , D·科里 , 金野智久 , M·克里希南 , M·F·罗法洛 , J·W·那拉克斯基 , 野田昌宏 , D·K·潘尼加拉帕提 , 山中达也
IPC: H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L29/517 , H01L29/6653 , H01L29/66545
Abstract: 一种平面化方法包括在第一化学机械抛光步骤中对半导体晶片进行平面化，以去除覆盖层并将顶层平面化，在下伏层上方留下一厚度的顶层材料。在第二化学机械抛光步骤中对所述顶层材料进行平面化，以进一步去除所述顶层，并使第二材料和第三材料的下伏层暴露，使得所述顶层材料对所述第二材料、对所述第三材料的选择比介于约1:1:1至约2:1:1之间，以提供平面的形貌。
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公开(公告)号：CN103155122B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201180048114.8
申请日：2011-10-03
Inventor： 安藤崇志 , L·查恩斯 , J·康明斯 , J·J·胡卡 , D·R·科里 , 金野智久 , M·克里希南 , M·F·罗法洛 , J·那拉克斯基 , 野田昌宏 , D·K·潘尼加拉帕提 , 山中达也
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L29/517 , H01L29/6653 , H01L29/66545
Abstract: 一种用于抛光多个介电层以形成置换型金属栅极结构的方法包括第一化学机械抛光步骤，该步骤去除过载物并平坦化顶层，以在栅极结构之上留下经平坦化的厚度。第二化学机械抛光步骤包括使用浆料去除该厚度，以将栅极结构的电介质的下面受覆盖的表面暴露，所述浆料被配置为基本上相等地抛光所述顶层和所述下面受覆盖的表面以完成平坦的形貌。采用第三化学机械抛光步骤去除栅极结构的电介质并暴露栅极导体。
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公开(公告)号：CN101119823B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200580047087.7
申请日：2005-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： P·C·安德里卡科斯 , D·F·卡纳佩里 , E·I·库珀 , J·M·科特 , H·德利吉安尼 , L·埃科诺米可斯 , D·C·埃德尔斯坦 , S·弗朗兹 , B·普拉纳萨蒂哈伦 , M·克里希南 , A·P·曼森 , E·G·沃尔顿 , A·C·韦斯特
IPC: B23H3/00
CPC classification number: C25F3/02 , B23H5/08 , C09G1/04 , H01L21/32125
Abstract: 提供了用于硅片互连材料(例如铜)的电-化学-机械抛光(e-CMP)的方法和组合物。该方法包括与具有多种构造的垫一起使用本发明的组合物。
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公开(公告)号：CN1503345A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310103454.3
申请日：2003-11-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/7684 , C25D5/18 , C25D7/123 , H01L21/2885 , H01L21/32115 , H01L21/32134 , H01L21/76879
Abstract: 本发明提供了一种在不使用化学机械抛光的情况下形成平坦的Cu互连的方法，即：控制铜互连结构的形状的方法，该方法具有以下步骤：使用第一镀覆方法在一镀液中以第一镀覆时间在铜籽晶层上镀覆具有预定最终形状的铜互连结构，其中第一镀覆时间小于镀覆全部最终形状所必需的总时间；以及在铜镀液中以第二时间段电处理镀覆的铜互连结构，第二时间段至少足够形成预定最终形状。
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公开(公告)号：CN103155122A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048114.8
申请日：2011-10-03
Inventor： 安藤崇志 , L·查恩斯 , J·康明斯 , J·J·胡卡 , D·R·科里 , 金野智久 , M·克里希南 , M·F·罗法洛 , J·那拉克斯基 , 野田昌宏 , D·K·潘尼加拉帕提 , 山中达也
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L29/517 , H01L29/6653 , H01L29/66545
Abstract: 一种用于抛光多个介电层以形成置换型金属栅极结构的方法包括第一化学机械抛光步骤，该步骤去除过载物并平坦化顶层，以在栅极结构之上留下经平坦化的厚度。第二化学机械抛光步骤包括使用浆料去除该厚度，以将栅极结构的电介质的下面受覆盖的表面暴露，所述浆料被配置为基本上相等地抛光所述顶层和所述下面受覆盖的表面以完成平坦的形貌。采用第三化学机械抛光步骤去除栅极结构的电介质并暴露栅极导体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100424804C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200480019233.0
申请日：2004-06-02
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： H·德利吉安尼 , P·安德里查科斯 , P·布赫瓦尔特 , J·科特 , C·雅内斯 , M·克里希南 , J·梅格莱因 , K·施泰因 , R·沃朗特 , J·托尔内洛 , J·伦德
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H2001/0052 , Y10T29/49156 , Y10T29/49165 , Y10T29/49204
Abstract: 本发明描述了一种具有贵金属接触的半导体微机电系统(MEMS)开关，贵金属接触用作铜电极的氧阻挡层。该MEMS开关完全集成在CMOS半导体制造线中。该集成技术、材料和工艺与铜芯片金属化工艺完全兼容以及典型地是低成本和低温工艺(低于400℃)。该MEMS开关包括：空腔内的可移动梁，所述可移动梁在其一端或两端固定到所述空腔的壁；嵌入所述可移动梁的第一电极；以及在所述空腔的壁中并面对所述第一电极的第二电极，其中所述第一和第二电极分别被贵金属接触覆盖。
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公开(公告)号：CN104103713B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410140680.7
申请日：2014-04-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/022466 , H01L31/0322 , H01L31/0326 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , H01L31/1884 , Y02E10/541
Abstract: 本发明涉及用于多晶薄膜太阳能电池的保护性绝缘层和化学机械抛光。一种形成光伏器件的方法，包括：在导电层上形成具有粒状结构的吸收体层；在所述吸收体层上共形地沉积绝缘保护层以在所述吸收体层的晶粒之间进行填充；以及平面化所述保护层和所述吸收体层。在所述吸收体层上形成缓冲层，并且在所述缓冲层上形成顶部透明导体层。
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公开(公告)号：CN103155111B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201180048141.5
申请日：2011-10-03
Inventor： J·B·常 , L·查恩斯 , J·E·康明斯 , M·A·古罗恩 , L·J·胡卡 , D·科里 , 金野智久 , M·克里希南 , M·F·罗法洛 , J·W·那拉克斯基 , 野田昌宏 , D·K·潘尼加拉帕提 , 山中达也
IPC: H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L29/517 , H01L29/6653 , H01L29/66545
Abstract: 一种平面化方法包括在第一化学机械抛光步骤中对半导体晶片进行平面化，以去除覆盖层并将顶层平面化，在下伏层上方留下一厚度的顶层材料。在第二化学机械抛光步骤中对所述顶层材料进行平面化，以进一步去除所述顶层，并使第二材料和第三材料的下伏层暴露，使得所述顶层材料对所述第二材料、对所述第三材料的选择比介于约1:1:1至约2:1:1之间，以提供平面的形貌。
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公开(公告)号：CN104103713A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410140680.7
申请日：2014-04-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/0352 , H01L31/072
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/022466 , H01L31/0322 , H01L31/0326 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , H01L31/1884 , Y02E10/541
Abstract: 本发明涉及用于多晶薄膜太阳能电池的保护性绝缘层和化学机械抛光。一种形成光伏器件的方法，包括：在导电层上形成具有粒状结构的吸收体层；在所述吸收体层上共形地沉积绝缘保护层以在所述吸收体层的晶粒之间进行填充；以及平面化所述保护层和所述吸收体层。在所述吸收体层上形成缓冲层，并且在所述缓冲层上形成顶部透明导体层。
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公开(公告)号：CN101119823A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200580047087.7
申请日：2005-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： P·C·安德里卡科斯 , D·F·卡纳佩里 , E·I·库珀 , J·M·科特 , H·德利吉安尼 , L·埃科诺米可斯 , D·C·埃德尔斯坦 , S·弗朗兹 , B·普拉纳萨蒂哈伦 , M·克里希南 , A·P·曼森 , E·G·沃尔顿 , A·C·韦斯特
IPC: B23H3/00
CPC classification number: C25F3/02 , B23H5/08 , C09G1/04 , H01L21/32125
Abstract: 提供了用于硅片互连材料(例如铜)的电－化学－机械抛光(e－CMP)的方法和组合物。该方法包括与具有多种构造的垫一起使用本发明的组合物。
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