公开(公告)号：CN1503345A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310103454.3

申请日：2003-11-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 徐顺天 ,  曾伟志 ,  D·D·雷斯塔伊诺 ,  J·E·弗吕格尔 ,  R·O·亨利 ,  J·M·科特 ,  M·克里希南 ,  H·德利吉安尼 ,  P·M·韦雷肯 ,  S·E·格雷科

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C25D5/18 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76879

Abstract: 本发明提供了一种在不使用化学机械抛光的情况下形成平坦的Cu互连的方法，即：控制铜互连结构的形状的方法，该方法具有以下步骤：使用第一镀覆方法在一镀液中以第一镀覆时间在铜籽晶层上镀覆具有预定最终形状的铜互连结构，其中第一镀覆时间小于镀覆全部最终形状所必需的总时间；以及在铜镀液中以第二时间段电处理镀覆的铜互连结构，第二时间段至少足够形成预定最终形状。

公开(公告)号：CN1794441A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510105104.X

申请日：2005-09-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·D·雷斯塔伊诺 ,  D·F·卡纳佩里 ,  J·M·鲁比诺 ,  S·P·E·史密斯 ,  R·O·亨利 ,  J·弗吕格尔 ,  M·克里希南

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/288 ,  C23C18/16

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/50 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76874 ,  H05K3/244 ,  H05K2203/0716 ,  H05K2203/072

Abstract: 一种采用对可制造方法有效的可重复的方式，在铜上无电镀敷CoWP合金的方法。在该方法中，通过醋酸钯、醋酸和氯化物的引晶水溶液在所述铜上沉积钯(Pd)籽晶层。随后，施加络合溶液以去除在除了所述铜的表面上吸附的任何Pd离子。最后，将钴(Co)、钨(W)和磷(P)的镀液施加于所述铜上，以在所述Pd籽晶和铜上沉积一层CoWP。

公开(公告)号：CN1595634A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410062390.1

申请日：2004-07-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯坦 ,  A·格里尔 ,  V·V·帕特尔 ,  D·D·雷斯塔伊诺

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834

Abstract: 一种半导体器件结构及其制造方法，包括：具有顶部第一层的衬底；位于第一层顶部上的第二薄过渡层；以及位于过渡层顶部上的第三层，其中第二薄过渡层提供了该结构的第一和第三层之间的强粘附性和内聚强度。此外，半导体器件结构及其制造方法包括含有多个介质和导电层的绝缘结构，通过设置各过渡粘附层可以提高不同层之间的界面强度。此外，电子器件结构引入了多个绝缘层和导电材料层作为后段制程(“BEOL”)布线结构中层内或层间介质，其中通过薄中间过渡粘附层提高了不同两介质膜之间的界面强度。

公开(公告)号：CN100356547C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200510105104.X

申请日：2005-09-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·D·雷斯塔伊诺 ,  D·F·卡纳佩里 ,  J·M·鲁比诺 ,  S·P·E·史密斯 ,  R·O·亨利 ,  J·弗吕格尔 ,  M·克里希南

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/288 ,  C23C18/16

Abstract: 一种采用对可制造方法有效的可重复的方式，在铜上无电镀敷CoWP合金的方法。在该方法中，通过醋酸钯、醋酸和氯化物的引晶水溶液在所述铜上沉积钯(Pd)籽晶层。随后，施加络合溶液以去除在除了所述铜的表面上吸附的任何Pd离子。最后，将钴(Co)、钨(W)和磷(P)的镀液施加于所述铜上，以在所述Pd籽晶和铜上沉积一层CoWP。

公开(公告)号：CN1319148C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200410062390.1

申请日：2004-07-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯坦 ,  A·格里尔 ,  V·V·帕特尔 ,  D·D·雷斯塔伊诺

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834

Abstract: 一种半导体器件结构及其制造方法，包括：具有顶部第一层的衬底；位于第一层顶部上的第二薄过渡层；以及位于过渡层顶部上的第三层，其中第二薄过渡层提供了该结构的第一和第三层之间的强粘附性和内聚强度。此外，半导体器件结构及其制造方法包括含有多个介质和导电层的绝缘结构，通过设置各过渡粘附层可以提高不同层之间的界面强度。此外，电子器件结构引入了多个绝缘层和导电材料层作为后段制程(“BEOL”)布线结构中层内或层间介质，其中通过薄中间过渡粘附层提高了不同两介质膜之间的界面强度。

公开(公告)号：CN1292471C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200310103454.3

申请日：2003-11-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 徐顺天 ,  曾伟志 ,  D·D·雷斯塔伊诺 ,  J·E·弗吕格尔 ,  R·O·亨利 ,  J·M·科特 ,  M·克里希南 ,  H·德利吉安尼 ,  P·M·韦雷肯 ,  S·E·格雷科

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C25D5/18 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76879

Abstract: 本发明提供了一种在不使用化学机械抛光的情况下形成平坦的Cu互连的方法，即：控制铜互连结构的形状的方法，该方法具有以下步骤：使用第一镀覆方法在一镀液中以第一镀覆时间在铜籽晶层上镀覆具有预定最终形状的铜互连结构，其中第一镀覆时间小于镀覆全部最终形状所必需的总时间；以及在铜镀液中以第二时间段电处理镀覆的铜互连结构，第二时间段至少足够形成预定最终形状。