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公开(公告)号：CN1503345A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310103454.3
申请日：2003-11-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/7684 , C25D5/18 , C25D7/123 , H01L21/2885 , H01L21/32115 , H01L21/32134 , H01L21/76879
Abstract: 本发明提供了一种在不使用化学机械抛光的情况下形成平坦的Cu互连的方法，即：控制铜互连结构的形状的方法，该方法具有以下步骤：使用第一镀覆方法在一镀液中以第一镀覆时间在铜籽晶层上镀覆具有预定最终形状的铜互连结构，其中第一镀覆时间小于镀覆全部最终形状所必需的总时间；以及在铜镀液中以第二时间段电处理镀覆的铜互连结构，第二时间段至少足够形成预定最终形状。
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公开(公告)号：CN101685476A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910175529.6
申请日：2009-09-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及在集成电路设计期间快速模拟制造影响的设备、方法和系统。方法、设备和计算机程序产品提供了一种快速和准确的模型，用于模拟在集成电路制造期间的化学机械抛光(CMP)步骤的影响，通过产生集成电路的设计；在产生所述集成电路的设计时，使用简化的模型来预测所述集成电路的由在所述集成电路的制造期间将要使用的CMP处理步骤引起的至少一个物理特性，其中所述简化的模型源于在使用综合模拟程序的设计产生活动之前进行的模拟，所述综合模拟程序用于对所述物理特性进行建模；使用所述预测的物理特性来预测所述集成电路的性能；以及根据所述性能预测来调整所述集成电路的设计。
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公开(公告)号：CN101685476B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200910175529.6
申请日：2009-09-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及在集成电路设计期间快速模拟制造影响的设备、方法和系统。方法、设备和计算机程序产品提供了一种快速和准确的模型，用于模拟在集成电路制造期间的化学机械抛光(CMP)步骤的影响，通过产生集成电路的设计；在产生所述集成电路的设计时，使用简化的模型来预测所述集成电路的由在所述集成电路的制造期间将要使用的CMP处理步骤引起的至少一个物理特性，其中所述简化的模型源于在使用综合模拟程序的设计产生活动之前进行的模拟，所述综合模拟程序用于对所述物理特性进行建模；使用所述预测的物理特性来预测所述集成电路的性能；以及根据所述性能预测来调整所述集成电路的设计。
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公开(公告)号：CN1292471C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200310103454.3
申请日：2003-11-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/7684 , C25D5/18 , C25D7/123 , H01L21/2885 , H01L21/32115 , H01L21/32134 , H01L21/76879
Abstract: 本发明提供了一种在不使用化学机械抛光的情况下形成平坦的Cu互连的方法，即：控制铜互连结构的形状的方法，该方法具有以下步骤：使用第一镀覆方法在一镀液中以第一镀覆时间在铜籽晶层上镀覆具有预定最终形状的铜互连结构，其中第一镀覆时间小于镀覆全部最终形状所必需的总时间；以及在铜镀液中以第二时间段电处理镀覆的铜互连结构，第二时间段至少足够形成预定最终形状。
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