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公开(公告)号：CN103155122A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048114.8
申请日：2011-10-03
Inventor： 安藤崇志 , L·查恩斯 , J·康明斯 , J·J·胡卡 , D·R·科里 , 金野智久 , M·克里希南 , M·F·罗法洛 , J·那拉克斯基 , 野田昌宏 , D·K·潘尼加拉帕提 , 山中达也
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L29/517 , H01L29/6653 , H01L29/66545
Abstract: 一种用于抛光多个介电层以形成置换型金属栅极结构的方法包括第一化学机械抛光步骤，该步骤去除过载物并平坦化顶层，以在栅极结构之上留下经平坦化的厚度。第二化学机械抛光步骤包括使用浆料去除该厚度，以将栅极结构的电介质的下面受覆盖的表面暴露，所述浆料被配置为基本上相等地抛光所述顶层和所述下面受覆盖的表面以完成平坦的形貌。采用第三化学机械抛光步骤去除栅极结构的电介质并暴露栅极导体。
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公开(公告)号：CN103155122B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201180048114.8
申请日：2011-10-03
Inventor： 安藤崇志 , L·查恩斯 , J·康明斯 , J·J·胡卡 , D·R·科里 , 金野智久 , M·克里希南 , M·F·罗法洛 , J·那拉克斯基 , 野田昌宏 , D·K·潘尼加拉帕提 , 山中达也
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L29/517 , H01L29/6653 , H01L29/66545
Abstract: 一种用于抛光多个介电层以形成置换型金属栅极结构的方法包括第一化学机械抛光步骤，该步骤去除过载物并平坦化顶层，以在栅极结构之上留下经平坦化的厚度。第二化学机械抛光步骤包括使用浆料去除该厚度，以将栅极结构的电介质的下面受覆盖的表面暴露，所述浆料被配置为基本上相等地抛光所述顶层和所述下面受覆盖的表面以完成平坦的形貌。采用第三化学机械抛光步骤去除栅极结构的电介质并暴露栅极导体。
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公开(公告)号：CN119769189A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380061644.9
申请日：2023-05-17
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种半导体器件，包括铁电随机存取存储器(FeRAM)单元。所述FeRAM包括铁电电介质，所述铁电电介质通过引导的电流流动及加热过程进行退火，以达到其铁电相。电流流动可以被引导通过使所述FeRAM单元加热的临时导线。对所述铁电电介质产生的加热或退火可以使所述铁电电介质结晶，以体现或导致具有铁电性质。与其中整个半导体器件或半导体器件的相对更大的区域被加热到铁电电介质的退火温度的全局加热或退火过程不同，引导的电流流动和加热过程基本上局限于所述FeRAM单元以及其中的铁电电介质。
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公开(公告)号：CN117120970A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280023227.0
申请日：2022-03-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F7/544
Abstract: 在用于形成非易失性可调谐电容器装置的方法中，第一电极层与第二电极层相对地向远侧形成，第一电极层被配置为形成第一电连接，第二电极层被配置为形成第二电连接。介电层设置在第一电极层之间并且与第二电极层相邻。相变材料(PCM)层邻近介电层设置在第一电极层与第二电极层之间。提供激励部件以加热PCM层以改变PCM层的相位。该激励部件可以包括与该PCM层直接接触的加热元件或电探针，当被激励时该加热元件或电探针被配置成用于向该PCM层施加热量。PCM层的相在非晶相与结晶相之间是可改变的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116649003A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202180083411.X
申请日：2021-11-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H10B51/00
Abstract: 一种器件包括非易失性存储器和控制系统。该非易失性存储器包括非易失性存储器单元的阵列，其中至少一个非易失性存储器单元包括铁电场效应晶体管(FeFET)器件。FeFET器件包括第一和第二源极/漏极区，以及包括铁电层和设置在铁电层之上的栅极电极的栅极结构。铁电层包括邻近于第一源极/漏极区的第一区和邻近于第二源极/漏极区的第二区。控制系统可操作地耦合到所述非易失性存储器，以将FeFET器件编程为具有多个不同逻辑状态中的逻辑状态。多个不同逻辑状态中的至少一个逻辑状态对应于FeFET器件的极化状态，其中铁电层的第一区和第二区具有极性相反的相应剩余极化。
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公开(公告)号：CN116250042A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180059343.3
申请日：2021-07-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 通过在集成电路上面部分的金属布线层之间放置固态存储器阵列来形成防篡改存储器(后端生产线)。金属层形成围绕存储器阵列的网格，以保护其免受皮秒成像电路分析、旁道攻击和电测量的去层级化。存储器单元及其测量电路之间的互连被设计成保护下方的每一层，即特定金属层中的互连金属部分不小于下一个下面层中的互连金属部分。测量电路被金属网覆盖。衬底、金属层和存储器阵列是单个单片结构一部分。适用于芯片标识协议的存储器阵列包含唯一标识防篡改集成电路的物理不可克隆功能标识符、对称加密密钥和释放密钥。
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公开(公告)号：CN115191030A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202180017547.0
申请日：2021-03-19
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种技术涉及使用控制系统(220)在中间范围条件下偏置电阻处理单元(102)的交叉阵列(100)，所述中间范围条件使得所述电阻处理单元(102)的电阻产生具有大约相等的比例的低值和高值的随机输出。控制系统(220)通过将电阻处理单元(102)的电阻设置为迫使低值和高值已经由中间范围条件导致的状态来加强随机输出的低值和高值。加强低值和高值使得即使当电阻处理单元(102)的交叉阵列(100)未在中间范围条件下被偏置时，随机输出也是永久的。控制系统(220)响应于加强随机输出的低值和高值而记录随机输出的低值和高值的序列。
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公开(公告)号：CN111295747B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201880070633.6
申请日：2018-10-12
IPC: H01L21/8238
Abstract: 一种用于半导体器件的有效功函数调节的栅极结构，该栅极结构包括在半导体器件的沟道区域上的栅极电介质；与栅极电介质直接接触的第一金属氮化物；铝含量大于30原子％的铝的保形碳化物材料层；与含保形铝(Al)和碳(C)的材料层直接接触的第二金属氮化物层。铝(Al)的共形碳化物层包括碳化铝或Al4C3，在厚度小于2.5nm时，铝(Al)含量最高为57原子百分比(原子％)，功函数设定为3.9eV至5.0eV。与现有技术的功函数电极相比，这样的结构可以呈现低于25nm的金属栅极长度缩放和电阻的益处。
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