公开(公告)号：CN116601708A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180083291.3

申请日：2021-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龚南博 ,  安藤崇志

IPC: G11C11/22

Abstract: 一种器件包括非易失性模拟电阻式存储器基元。非易失性模拟电阻式存储器器件包括电阻式存储器器件和选择晶体管。电阻式存储器器件包括第一端子和第二端子。电阻式存储器器件具有可调节电导。选择晶体管是包括栅极端子、源极端子和漏极端子的铁电场效应晶体管(FeFET)器件。FeFET器件的栅极端子连接到字线。FeFET器件的源极端子连接到源极线。FeFET器件的漏极端子连接到电阻式存储器器件的第一端子。电阻式存储器器件的第二端子连接到位线。

公开(公告)号：CN116830201A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202180083147.X

申请日：2021-11-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  R·L·布鲁斯 ,  A·雷茨尼采克 ,  B·赫克马绍尔塔巴里

IPC: G11C13/00

Abstract: 一种结构，包括底部电极(104)、垂直对准的相变材料层(106)和在所述相变材料层(106)上方垂直对准的双向阈值切换层(106)。一种结构，包括底部电极(104)、相变材料层(106)和在所述相变材料层(106)上方垂直对准的双向阈值切换层(118)、以及第二阻挡层(120，所述第二阻挡层将所述双向阈值切换层(118)与顶部电极(122)物理地分离。一种方法，包括：形成包括衬里的结构，所述衬里在第一阻挡层(108)上方垂直对准，所述第一阻挡层(108)在相变材料层(106)上方垂直对准，所述相变材料层(106)在底部电极(104)上方垂直对准；形成围绕所述结构的电介质(114)；以及在所述第一阻挡层(108)上形成双向阈值切换层(118)，所述双向阈值切换层(118)的垂直侧表面与所述第一阻挡层(108)、所述相变材料层(106)和所述底部电极(104)垂直对准。

公开(公告)号：CN116472614A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202180077996.4

申请日：2021-11-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  G·科恩

IPC: H01L29/423

Abstract: 提供一种铁电场效晶体管(FeFET)。该FeFET包括掩埋氧化物(BOX)层；纳米线层，其包括在所述FeFET的源极和漏极区处的所述BOX层上形成的衬垫，以及在所述衬垫之间并且在所述BOX层中形成的凹陷之上延伸的纳米线芯；覆盖所述纳米线芯的金属电极；铁电层，其覆盖所述金属电极；界面层，覆盖该铁电层；以及形成在FeFET的沟道区之上的多晶硅层，该多晶硅层覆盖界面层。

公开(公告)号：CN116964676A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280018429.6

申请日：2022-02-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·M·科恩 ,  安藤崇志 ,  龚南博

IPC: G11C11/56

Abstract: 具有存储器单元的存储器阵列可具有在存储器单元之间集成到存储器阵列中的一个或多个加热器。与加热器通信的处理器可以通知加热器在触发事件发生时激活。

公开(公告)号：CN116711011A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202280009500.4

申请日：2022-01-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  G·M·科昂

IPC: G11C11/21

Abstract: 一种相变存储器(PCM)装置，所述装置包括底部电极、在所述底部电极上方的底部加热器、在所述底部加热器上方的底部缓冲层、在所述底部缓冲层上方的PCM区域、在所述PCM区域上方的顶部缓冲层、在所述顶部缓冲层上方的顶部加热器、以及在所述顶部加热器上方的顶部电极。

公开(公告)号：CN116601642A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180080220.8

申请日：2021-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  B·海克马特少塔巴瑞 ,  A·雷茨尼采克

IPC: G06N3/063

Abstract: 电路结构包括具有第一栅电极、第一源电极和第一漏电极的第一铁电场效应晶体管(FeFET)和具有第二栅电极、第二源电极和第二漏电极的第二FeFET。第一栅电极连接到字线，并且第一源电极和第二源电极连接到位线。第一漏电极连接至第二栅电极并且第二漏电极连接至偏压线。通过组合两个电路结构来构造权重突触结构。多个权重突触结构被结合到交叉式阵列中。

公开(公告)号：CN114665010A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111262203.4

申请日：2021-10-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·M·科恩 ,  安藤崇志 ,  龚南博

IPC: H01L45/00

Abstract: 本公开涉及基于传递长度相变材料(PCM)的桥接单元。一种可调谐非易失性电阻性元件，其中通过改变相变材料与电阻性衬垫之间的接触的长度来调制所述设备电导。通过选择小于传递长度的接触长度，获得电导的线性调制。

公开(公告)号：CN118742885A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380022858.5

申请日：2023-02-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·科恩 ,  安藤崇志 ,  龚南博

IPC: G06F7/58

Abstract: 一种包括电阻式随机存取存储器(RRAM)器件的随机数生成器，所述RRAM器件包括：第一电极；第二电极；位于第一和第二电极之间的第三电极；至少一个电绝缘层，其将所述第一电极和所述第二电极与所述第三电极隔离，其中所述至少一个电绝缘层具有基本上均匀的厚度；第一细丝，所述第一细丝是导电的并且延伸穿过所述至少一个电绝缘层；第二细丝，位于所述至少一个电绝缘层中并且不延伸穿过所述至少一个电绝缘层；电压源，被配置为向所述第一电极和所述第二电极中的至少一个施加电压；以及电压传感器，其被配置为感测第三电极的电压，以便确定第一细丝或第二细丝中的哪个更具电阻性。

公开(公告)号：CN116670765A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180085602.X

申请日：2021-10-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龚南博 ,  G·M·科恩 ,  安藤崇志 ,  李宇龙

IPC: G11C13/00

Abstract: 一种电子电路包括：多条字线；多条位线(703‑1，703‑2)，其在多个网格点处与所述多个字线(701‑1，701‑2)相交；以及多个存储器内处理单元，其位于所述多个网格点处。所述存储器内处理单元中的每个包括第一开关，所述第一开关具有耦合到所述字线中的对应字线的第一端子和第二端子；第二开关，所述第二开关具有耦合到所述第一开关的所述第二端子的第一端子和耦合到所述位线中的对应位线的第二端子；以及非易失性可调谐电容器，所述非易失性可调谐电容器具有耦合到所述第一开关的所述第二端子和所述开关的所述第一端子的一个电极，并且具有耦合到地的另一电极。

公开(公告)号：CN116601709A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180082357.7

申请日：2021-10-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安藤崇志 ,  龚南博 ,  G·M·科恩

IPC: G11C13/00 ,  H10B63/00 ,  H10N70/20

Abstract: 在使用或形成半导体结构的方法中。该半导体结构可包括具有第一电极和第二电极的电阻式随机存取存储器(RRAM)栅极。RRAM栅极还可包括开关层，该开关层包括具有开关层k值和开关层热导率的电介质材料。RRAM栅极还可包括互补开关(CS)缓解层，该CS缓解层具有低于开关层k值的CSk值和高于开关层热导率的CS热导率的材料。