公开(公告)号：CN116830201A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202180083147.X

申请日：2021-11-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  R·L·布鲁斯 ,  A·雷茨尼采克 ,  B·赫克马绍尔塔巴里

IPC: G11C13/00

Abstract: 一种结构，包括底部电极(104)、垂直对准的相变材料层(106)和在所述相变材料层(106)上方垂直对准的双向阈值切换层(106)。一种结构，包括底部电极(104)、相变材料层(106)和在所述相变材料层(106)上方垂直对准的双向阈值切换层(118)、以及第二阻挡层(120，所述第二阻挡层将所述双向阈值切换层(118)与顶部电极(122)物理地分离。一种方法，包括：形成包括衬里的结构，所述衬里在第一阻挡层(108)上方垂直对准，所述第一阻挡层(108)在相变材料层(106)上方垂直对准，所述相变材料层(106)在底部电极(104)上方垂直对准；形成围绕所述结构的电介质(114)；以及在所述第一阻挡层(108)上形成双向阈值切换层(118)，所述双向阈值切换层(118)的垂直侧表面与所述第一阻挡层(108)、所述相变材料层(106)和所述底部电极(104)垂直对准。

公开(公告)号：CN116615805A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202180082927.2

申请日：2021-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·雷兹尼切克 ,  康宗圣 ,  安藤崇志 ,  B·赫克马绍尔塔巴里

IPC: H01L29/66

Abstract: 提供一种形成半导体结构的方法。该半导体结构包括在衬底上的两个相邻鳍状物(4)。栅极堆叠体在两个相邻鳍状物中的每个鳍状物上。该半导体结构包括在两个相邻鳍状物中的每个鳍状物的第一端上的第一源极/漏极以及在两个相邻鳍状物中的每个鳍状物的第二端上的第二源极/漏极。半导体结构包括位于两个相邻鳍状物中的每个鳍状物的第一端上的至少第一源极/漏极上的开关层(110)和位于开关层上的顶部电极(111)。金属材料(116)在半导体结构中的顶部电极之上。

公开(公告)号：CN116264869A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202180068268.7

申请日：2021-09-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·赫克马绍尔塔巴里 ,  A·雷兹尼彻 ,  安藤崇志 ,  龚南博

IPC: H10B61/00 ,  H10N59/00

Abstract: 一种电路(400)包括与垂直场效应晶体管集成的低压闪速存储器(200)和非易失性存储器元件(100)。低压闪速存储器通过垂直场效应晶体管、一条或多条位线和一条或多条字线与非易失性存储器元件耦合。低压闪速存储器可以提供较低的显著电导，非易失性存储器元件可以提供较高的显著电导。低电压闪速存储器可以包括源极和漏极。源极可以通过外延通道与漏极分开。低压闪速存储器可以包括浮置栅极。浮置栅极可以通过第一电介质层与外延通道分开。低压闪速存储器可以包括控制栅极。控制栅极可以通过第二电介质层与浮置栅极分开。