公开(公告)号：CN118103981A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280069837.4

申请日：2022-09-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·赫克玛特绍塔巴里 ,  A·雷兹尼彻 ,  T·宁

IPC: H01L27/082 ,  H03F3/00 ,  G01N27/414 ,  H01L29/00

Abstract: 公开了达林顿对传感器。达林顿对传感器具有放大/水平双极结型晶体管(BJT)和传感/垂直BJT，可用作生物传感器。放大双极结型晶体管(BJT)水平设置在衬底上。放大BJT具有水平发射极(652)、水平基极(550)、水平集电极(654)和公共非本征基极/集电极(350)。公共非本征基极/集电极是放大BJT的外部基极。感测BJT相对于放BJT具有垂直方向。感测BJT具有垂直发射极(2950)、垂直基极(1650)、非本征垂直基极(2450)和公共非本征基极/集电极(350，与放大BJT一样)。公共非本征基极/集电极充当感测BJT集电极。非本征垂直基极分为左非本征垂直基极(2450L)和右非本征垂直基极(2450R)，使感测BJT具有两个分开的(双)基极：感测基极和控制基极。达林顿对传感器具有高原位信号放大、低噪声并有效利用衬底空间。

公开(公告)号：CN116264869A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202180068268.7

申请日：2021-09-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·赫克马绍尔塔巴里 ,  A·雷兹尼彻 ,  安藤崇志 ,  龚南博

IPC: H10B61/00 ,  H10N59/00

Abstract: 一种电路(400)包括与垂直场效应晶体管集成的低压闪速存储器(200)和非易失性存储器元件(100)。低压闪速存储器通过垂直场效应晶体管、一条或多条位线和一条或多条字线与非易失性存储器元件耦合。低压闪速存储器可以提供较低的显著电导，非易失性存储器元件可以提供较高的显著电导。低电压闪速存储器可以包括源极和漏极。源极可以通过外延通道与漏极分开。低压闪速存储器可以包括浮置栅极。浮置栅极可以通过第一电介质层与外延通道分开。低压闪速存储器可以包括控制栅极。控制栅极可以通过第二电介质层与浮置栅极分开。

公开(公告)号：CN116670836A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180086125.9

申请日：2021-11-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·雷兹尼彻 ,  苗欣 ,  李忠贤 ,  张婧芸

IPC: H01L29/66

Abstract: 一种半导体结构可以包括底部源漏、顶部源漏、栅极堆叠。顶部源漏在栅极堆叠上方，而底部源漏在栅极堆叠下方。半导体结构还可以包括底部隔离物和顶部隔离物。栅极堆叠在底部隔离物和顶部隔离物之间。底部隔离物和顶部隔离物各自包括偶极衬里。偶极衬里包括第一层和第二层。第二层可以与第一层直接接触。第二层可以由与第一层不同的材料制成。第一层可以由氧化硅制成。第二层可以由氮化硅或氧化铝制成。第一层可以与栅极堆叠、顶部源漏和底部源漏直接接触。