公开(公告)号：CN118103981A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280069837.4

申请日：2022-09-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·赫克玛特绍塔巴里 ,  A·雷兹尼彻 ,  T·宁

IPC: H01L27/082 ,  H03F3/00 ,  G01N27/414 ,  H01L29/00

Abstract: 公开了达林顿对传感器。达林顿对传感器具有放大/水平双极结型晶体管(BJT)和传感/垂直BJT，可用作生物传感器。放大双极结型晶体管(BJT)水平设置在衬底上。放大BJT具有水平发射极(652)、水平基极(550)、水平集电极(654)和公共非本征基极/集电极(350)。公共非本征基极/集电极是放大BJT的外部基极。感测BJT相对于放BJT具有垂直方向。感测BJT具有垂直发射极(2950)、垂直基极(1650)、非本征垂直基极(2450)和公共非本征基极/集电极(350，与放大BJT一样)。公共非本征基极/集电极充当感测BJT集电极。非本征垂直基极分为左非本征垂直基极(2450L)和右非本征垂直基极(2450R)，使感测BJT具有两个分开的(双)基极：感测基极和控制基极。达林顿对传感器具有高原位信号放大、低噪声并有效利用衬底空间。

公开(公告)号：CN114747016A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080084126.5

申请日：2020-11-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·雷茨尼采克 ,  K·巴拉克里希南 ,  B·赫克玛特绍塔巴里 ,  安藤崇志

IPC: H01L27/24 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体结构(100)可以包括：两个竖直传输场效应晶体管，该竖直传输场效应晶体管包括顶部源漏极(124)、底部源漏极(106)和外延沟道(120)；以及在两个竖直传输场效应晶体管之间的电阻式随机存取存储器，该电阻式随机存取存储器可以包括氧化物层(144)、顶部电极(146)和底部电极，其中，氧化物层(144)可以接触两个竖直场效应晶体管的顶部源漏极。顶部源漏极(124)可以用作电阻式随机存取存储器的底部电极。半导体结构(100)可以包括在两个竖直传输场效应晶体管之间的浅沟槽隔离(136)，该浅沟槽隔离(136)可以被嵌入在第一间隔物(108)、被掺杂的源极(106)、以及衬底(102)的一部分中。

公开(公告)号：CN103872185B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310629464.4

申请日：2013-11-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·E·福格尔 ,  B·赫克玛特绍塔巴里 ,  D·K·萨丹那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及场效应叉指背接触光伏器件及其形成方法。一种形成光伏器件的方法，包括：在衬底上对电介质层进行构图，以形成在形状之间具有本地间隔并且在形状组之间具有远程间隔的构图的电介质，以及在所述构图的电介质之上沉积掺杂的外延层，使得在所述外延层的与所述衬底接触的部分中发生选择性的晶体生长并且在所述外延层的与所述构图的电介质接触的部分中发生非晶体生长。在所述构图的电介质的所述本地间隔之上形成第一金属接触，并且在所述远程间隔之上形成第二金属接触。使用所述第一和第二金属接触作为蚀刻掩膜蚀刻所述非晶体生长的暴露部分，从而形成交替的叉指发射极和背接触叠层。

公开(公告)号：CN104008963A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410054708.5

申请日：2014-02-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  K·E·福格尔 ,  B·赫克玛特绍塔巴里 ,  P·A·劳罗 ,  D·K·萨达那 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02318 ,  H01L21/02002 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种在受控衬底剥脱期间促进开裂萌生的方法。提供了一种方法，其中，能够以受控方式剥脱包括不同的断裂韧度（KIc）的各种材料的衬底。特别地，在应力源层形成之前，在衬底的表面部分内形成表面台阶区域。在衬底的表面部分内的表面台阶区域的存在，能够控制在所述衬底内出现开裂萌生的深度和容易性。

公开(公告)号：CN103730403A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310478378.8

申请日：2013-10-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  B·赫克玛特绍塔巴里 ,  A·卡基菲鲁兹 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及半导体结构及其形成方法。提供了一种结构，与使用反向偏置pn结二极管相反，在该结构中背栅极区域彼此物理分开。在本公开中，背栅极区域可以首先穿过绝缘体上极薄半导体层（ETSOI）衬底的掩埋电介质材料形成。在掺杂剂激活之后，可以进行标准器件制造工艺。然后可以从原始ETSOI除去ETSOI衬底的半导体基层部分以暴露背栅极的表面。

公开(公告)号：CN103730403B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310478378.8

申请日：2013-10-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  B·赫克玛特绍塔巴里 ,  A·卡基菲鲁兹 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体结构及其形成方法。提供了一种结构，与使用反向偏置pn结二极管相反，在该结构中背栅极区域彼此物理分开。在本公开中，背栅极区域可以首先穿过绝缘体上极薄半导体层（ETSOI）衬底的掩埋电介质材料形成。在掺杂剂激活之后，可以进行标准器件制造工艺。然后可以从原始ETSOI除去ETSOI衬底的半导体基层部分以暴露背栅极的表面。

公开(公告)号：CN103227192B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310032841.6

申请日：2013-01-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·赫克玛特绍塔巴里 ,  D·K·萨达那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/201 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/7781

Abstract: 本发明涉及半导体衬底、形成半导体衬底和集成电路的方法。提供了一种在沟道和绝缘体之间采用宽带隙材料的改善的半导体衬底。一种半导体衬底包括由Ⅲ-Ⅴ族材料构成的沟道层；绝缘体层；以及在沟道层和绝缘体层之间的宽带隙材料，其中在沟道层和宽带隙材料之间的导带偏移（ΔEc）在0.05eV和0.8eV之间。沟道层可以由例如In1-xGaxAs或In1-xGaxSb构成，其中x从0到1变化。宽带隙材料可以由例如In1-yAlyAs、In1-yAlyP、Al1-yGayAs或In1-yGayP构成，其中y从0变化到1。

公开(公告)号：CN103928539A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410010911.2

申请日：2014-01-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  B·赫克玛特绍塔巴里 ,  D·K·萨达那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/078 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及多结III-V太阳能电池及其制造方法。一种多结太阳能电池结构包括包含III-V半导体材料的顶部光伏电池和硅基底部光伏电池。薄的富锗硅锗缓冲层设于所述顶部和底部电池之间。还提供了在硅衬底上制造与锗晶格匹配或者对于锗是赝晶的多结III-V太阳能电池结构的制造技术。所述硅电池的开路电压可以通过局部背表面场结构、局部背接触或基于非晶硅的异质结背接触来增强。

公开(公告)号：CN103872185A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310629464.4

申请日：2013-11-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·E·福格尔 ,  B·赫克玛特绍塔巴里 ,  D·K·萨丹那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202

Abstract: 本发明涉及场效应叉指背接触光伏器件及其形成方法。一种形成光伏器件的方法，包括：在衬底上对电介质层进行构图，以形成在形状之间具有本地间隔并且在形状组之间具有远程间隔的构图的电介质，以及在所述构图的电介质之上沉积掺杂的外延层，使得在所述外延层的与所述衬底接触的部分中发生选择性的晶体生长并且在所述外延层的与所述构图的电介质接触的部分中发生非晶体生长。在所述构图的电介质的所述本地间隔之上形成第一金属接触，并且在所述远程间隔之上形成第二金属接触。使用所述第一和第二金属接触作为蚀刻掩膜蚀刻所述非晶体生长的暴露部分，从而形成交替的叉指发射极和背接触叠层。

公开(公告)号：CN103872176A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310625437.X

申请日：2013-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  B·赫克玛特绍塔巴里 ,  D·K·萨达那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/05 ,  H01L27/142

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/1884

Abstract: 本发明涉及具有集成光伏电池的器件及其制造方法。一种用于制造具有集成光伏电池的器件的方法，包括：在第一处理衬底上支撑半导体衬底；以及对所述半导体衬底进行掺杂以形成具有相反导电性的交替区域。在所述半导体衬底的第一侧上形成掺杂层。在所述掺杂层上对导电材料进行构图以形成导电岛，使得所述导电岛与所述交替区域对准，从而在单片结构上界定串联连接的多个光伏电池。