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公开(公告)号：CN103946975B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280050854.X
申请日：2012-10-25
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/3212 , H01L21/76802 , H01L21/76813 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在衬底上形成自下而上包括含氮电介质层、互连层面电介质材料层和硬掩模层的叠层。通过蚀刻图形化所述硬掩模层和互连层面电介质材料层。采用图形化的硬掩模材料作为蚀刻掩模，通过穿透性的各向异性蚀刻图形化所述含氮电介质层，该各向异性蚀刻使用含氟代烃的等离子体穿透所述含氮电介质层。用于产生所述含氟代烃的等离子体的氟代烃气体产生富碳的聚合物残留物，该残留物与所述含氮电介质层反应以形成挥发性化合物。等离子体能量可以被降低到100eV以下，从而减少了对互连层面电介质材料层的物理暴露表面的损伤。
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公开(公告)号：CN105845622B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201610066551.7
申请日：2016-01-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/41
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L21/7684 , H01L21/76864 , H01L23/528 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1253 , H01L45/16
Abstract: 本发明涉及半导体结构及其形成方法。提供包括交替的第一U形电极和第二U形电极、以及将第一和第二U形电极互连的接触衬垫的结构。每个第一U形电极包括通过位于衬底的一端的弯折部而连接的基本平行的直部。每个第二U形电极包括通过位于衬底的相反另一端的弯折部而连接的基本平行的直部。邻近的第一和第二U形电极的每个相邻的直部构成具有亚光刻间距的电极对。每个接触衬垫与第一和第二U形电极中的一个的弯折部重叠并且接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103946954B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201280052536.7
申请日：2012-10-24
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/091 , G03F7/40 , H01L21/0332 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , Y10T428/24479
Abstract: 在衬底上形成硬掩膜层、软掩膜层和光致抗蚀剂的叠层。对所述光致抗蚀剂进行构图以包括至少一个开口。通过各向异性蚀刻将所述图形转移到所述软掩膜层中，该各向异性蚀刻形成包含比氟多的碳的富碳聚合物。可以通过采用利用包含比氟多的氢的氟代烃分子产生的包含氟代烃的等离子体，形成所述富碳聚合物。所述富碳聚合物涂覆所述软掩膜层的侧壁，并且防止转移到所述软掩膜中的图形被加宽。随后去除所述光致抗蚀剂，并且将所述软掩膜层中的图形转移到所述硬掩膜层中。所述硬掩膜层的侧壁被所述富碳聚合物涂覆，以防止转移到所述硬掩膜中的图形被加宽。
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公开(公告)号：CN105845622A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610066551.7
申请日：2016-01-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/41
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L21/7684 , H01L21/76864 , H01L23/528 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1253 , H01L45/16 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/41 , H01L29/413
Abstract: 本发明涉及半导体结构及其形成方法。提供包括交替的第一U形电极和第二U形电极、以及将第一和第二U形电极互连的接触衬垫的结构。每个第一U形电极包括通过位于衬底的一端的弯折部而连接的基本平行的直部。每个第二U形电极包括通过位于衬底的相反另一端的弯折部而连接的基本平行的直部。邻近的第一和第二U形电极的每个相邻的直部构成具有亚光刻间距的电极对。每个接触衬垫与第一和第二U形电极中的一个的弯折部重叠并且接触。
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公开(公告)号：CN103946975A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280050854.X
申请日：2012-10-25
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/3212 , H01L21/76802 , H01L21/76813 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在衬底上形成自下而上包括含氮电介质层、互连层面电介质材料层和硬掩模层的叠层。通过蚀刻图形化所述硬掩模层和互连层面电介质材料层。采用图形化的硬掩模材料作为蚀刻掩模，通过穿透性的各向异性蚀刻图形化所述含氮电介质层，该各向异性蚀刻使用含氟代烃的等离子体穿透所述含氮电介质层。用于产生所述含氟代烃的等离子体的氟代烃气体产生富碳的聚合物残留物，该残留物与所述含氮电介质层反应以形成挥发性化合物。等离子体能量可以被降低到100eV以下，从而减少了对互连层面电介质材料层的物理暴露表面的损伤。
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公开(公告)号：CN103946954A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280052536.7
申请日：2012-10-24
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/091 , G03F7/40 , H01L21/0332 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , Y10T428/24479
Abstract: 在衬底上形成硬掩膜层、软掩膜层和光致抗蚀剂的叠层。对所述光致抗蚀剂进行构图以包括至少一个开口。通过各向异性蚀刻将所述图形转移到所述软掩膜层中，该各向异性蚀刻形成包含比氟多的碳的富碳聚合物。可以通过采用利用包含比氟多的氢的氟代烃分子产生的包含氟代烃的等离子体，形成所述富碳聚合物。所述富碳聚合物涂覆所述软掩膜层的侧壁，并且防止转移到所述软掩膜中的图形被加宽。随后去除所述光致抗蚀剂，并且将所述软掩膜层中的图形转移到所述硬掩膜层中。所述硬掩膜层的侧壁被所述富碳聚合物涂覆，以防止转移到所述硬掩膜中的图形被加宽。
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公开(公告)号：CN119769189A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380061644.9
申请日：2023-05-17
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种半导体器件，包括铁电随机存取存储器(FeRAM)单元。所述FeRAM包括铁电电介质，所述铁电电介质通过引导的电流流动及加热过程进行退火，以达到其铁电相。电流流动可以被引导通过使所述FeRAM单元加热的临时导线。对所述铁电电介质产生的加热或退火可以使所述铁电电介质结晶，以体现或导致具有铁电性质。与其中整个半导体器件或半导体器件的相对更大的区域被加热到铁电电介质的退火温度的全局加热或退火过程不同，引导的电流流动和加热过程基本上局限于所述FeRAM单元以及其中的铁电电介质。
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