公开(公告)号：CN103155122B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180048114.8

申请日：2011-10-03

Applicant: 国际商业机器公司 ,  JSR株式会社

Inventor： 安藤崇志 ,  L·查恩斯 ,  J·康明斯 ,  J·J·胡卡 ,  D·R·科里 ,  金野智久 ,  M·克里希南 ,  M·F·罗法洛 ,  J·那拉克斯基 ,  野田昌宏 ,  D·K·潘尼加拉帕提 ,  山中达也

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545

Abstract: 一种用于抛光多个介电层以形成置换型金属栅极结构的方法包括第一化学机械抛光步骤，该步骤去除过载物并平坦化顶层，以在栅极结构之上留下经平坦化的厚度。第二化学机械抛光步骤包括使用浆料去除该厚度，以将栅极结构的电介质的下面受覆盖的表面暴露，所述浆料被配置为基本上相等地抛光所述顶层和所述下面受覆盖的表面以完成平坦的形貌。采用第三化学机械抛光步骤去除栅极结构的电介质并暴露栅极导体。

公开(公告)号：CN103155122A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048114.8

申请日：2011-10-03

Applicant: 国际商业机器公司 ,  JSR株式会社

Inventor： 安藤崇志 ,  L·查恩斯 ,  J·康明斯 ,  J·J·胡卡 ,  D·R·科里 ,  金野智久 ,  M·克里希南 ,  M·F·罗法洛 ,  J·那拉克斯基 ,  野田昌宏 ,  D·K·潘尼加拉帕提 ,  山中达也

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545

Abstract: 一种用于抛光多个介电层以形成置换型金属栅极结构的方法包括第一化学机械抛光步骤，该步骤去除过载物并平坦化顶层，以在栅极结构之上留下经平坦化的厚度。第二化学机械抛光步骤包括使用浆料去除该厚度，以将栅极结构的电介质的下面受覆盖的表面暴露，所述浆料被配置为基本上相等地抛光所述顶层和所述下面受覆盖的表面以完成平坦的形貌。采用第三化学机械抛光步骤去除栅极结构的电介质并暴露栅极导体。

公开(公告)号：CN103155111B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201180048141.5

申请日：2011-10-03

Applicant: 国际商业机器公司 ,  JSR株式会社

Inventor： J·B·常 ,  L·查恩斯 ,  J·E·康明斯 ,  M·A·古罗恩 ,  L·J·胡卡 ,  D·科里 ,  金野智久 ,  M·克里希南 ,  M·F·罗法洛 ,  J·W·那拉克斯基 ,  野田昌宏 ,  D·K·潘尼加拉帕提 ,  山中达也

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31053 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545

Abstract: 一种平面化方法包括在第一化学机械抛光步骤中对半导体晶片进行平面化，以去除覆盖层并将顶层平面化，在下伏层上方留下一厚度的顶层材料。在第二化学机械抛光步骤中对所述顶层材料进行平面化，以进一步去除所述顶层，并使第二材料和第三材料的下伏层暴露，使得所述顶层材料对所述第二材料、对所述第三材料的选择比介于约1:1:1至约2:1:1之间，以提供平面的形貌。

公开(公告)号：CN103155111A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048141.5

申请日：2011-10-03

Applicant: 国际商业机器公司 ,  JSR株式会社

Inventor： J·B·常 ,  L·查恩斯 ,  J·E·康明斯 ,  M·A·古罗恩 ,  L·J·胡卡 ,  D·科里 ,  金野智久 ,  M·克里希南 ,  M·F·罗法洛 ,  J·W·那拉克斯基 ,  野田昌宏 ,  D·K·潘尼加拉帕提 ,  山中达也

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31053 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545

Abstract: 一种平面化方法包括在第一化学机械抛光步骤中对半导体晶片进行平面化，以去除覆盖层并将顶层平面化，在下伏层上方留下一厚度的顶层材料。在第二化学机械抛光步骤中对所述顶层材料进行平面化，以进一步去除所述顶层，并使第二材料和第三材料的下伏层暴露，使得所述顶层材料对所述第二材料、对所述第三材料的选择比介于约1:1:1至约2:1:1之间，以提供平面的形貌。