保护带剥离方法和保护带剥离装置

    公开(公告)号:CN103660519A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201310435244.8

    申请日:2013-09-23

    Inventor: 木内一之

    Abstract: 本发明提供保护带剥离方法和保护带剥离装置。在将附加设置有保护带的半导体晶圆分割成芯片后,对借助粘合带保持于环形框的该芯片进行加热,从而使芯片形状的保护带沿同一轴向卷成筒状,而使该保护带的局部自芯片剥离,然后使环形框与剥离构件向相对接近的方向平行移动,并且利用剥离构件从筒状的保护带的侧方推压该筒状的保护带的靠近粘接部位的部分,从而向与芯片的保持面交叉的外侧剥离去除该保护带。

    被加工物的加工方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101104781B

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN200710136312.5

    申请日:2007-07-13

    Abstract: 本发明提供一种被加工物的加工方法,包括如下工序:在切割用粘着片上贴合通过具有热剥离型或辐射线固化型粘着层的双面粘着片固定在支承板上的被加工物的工序;对双面粘着片进行加热或者照射辐射线而从被加工物剥离该双面粘着片及支承板的工序;对贴合有切割用粘着片的被加工物进行切割而形成被加工物小片的工序;以及对被加工物小片进行拾取的工序,切割用粘着片被构成为在基材膜上至少设置粘着剂层,该粘着剂层含有丙烯酸类聚合物,且粘着剂层的厚度为1~50μm,其中,该丙烯酸类聚合物含有5重量%以上的在侧链上具有烷氧基的单体。

    耐热性切割带或片
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101108953A

    公开(公告)日:2008-01-23

    申请号:CN200710136645.8

    申请日:2007-07-18

    CPC classification number: C09J133/14 C08L2666/04 C09J109/06 Y10T428/28

    Abstract: 本发明涉及耐热性切割带(dicing tape)或片,其包括玻璃化转变温度为70℃或更高的基材;和在所述基材的至少一面上布置的至少一层压敏粘着剂层,当将所述压敏粘着剂层以2℃/min的升温速度从室温加热至200℃时,所述压敏粘着剂层的热失重率为小于2%,其中当将所述耐热性切割带或片施加到硅镜面晶圆(silicon mirror wafer)上、随后在200℃下加热30秒、并然后冷却至23℃时,所述压敏粘着剂层具有的粘着力(剥离速度:300mm/min;剥离角度:180°)为0.5N/20mm或更低。

    被加工物的加工方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101104781A

    公开(公告)日:2008-01-16

    申请号:CN200710136312.5

    申请日:2007-07-13

    Abstract: 本发明提供一种被加工物的加工方法,包括如下工序:在切割用粘着片上贴合通过具有热剥离型或辐射线固化型粘着层的双面粘着片固定在支承板上的被加工物的工序;对双面粘着片进行加热或者照射辐射线而从被加工物剥离该双面粘着片及支承板的工序;对贴合有切割用粘着片的被加工物进行切割而形成被加工物小片的工序;以及对被加工物小片进行拾取的工序,切割用粘着片被构成为在基材膜上至少设置粘着剂层,该粘着剂层含有丙烯酸类聚合物,且粘着剂层的厚度为1~50μm,其中,该丙烯酸类聚合物含有5重量%以上的在侧链上具有烷氧基的单体。

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