-
公开(公告)号：CN113097128B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202110017616.X
申请日：2021-01-07
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本申请案涉及包含阶梯结构的微电子装置以及相关电子装置及方法。微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成层级的交替的导电结构及绝缘结构，所述层级中的每一者个别地包括所述导电结构中的一者及所述绝缘结构中的一者；阶梯结构，其在所述堆叠结构内且具有包括所述层级的边缘的梯级；及掺杂电介质材料，其邻近所述阶梯结构的所述梯级且包括掺杂有硼、磷、碳及氟中的一或多者的二氧化硅，所述掺杂电介质材料具有比硼磷硅玻璃更大的Si‑O‑Si键与水的比率。还揭示形成微电子装置及相关电子系统的相关方法。
-
公开(公告)号：CN115706150A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210949317.4
申请日：2022-08-09
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及具有分段沟道翅片的选择栅极晶体管。各种应用可包含设计成在存储器擦除操作期间提供增强的栅极诱导漏极泄漏GIDL电流的存储器装置。可通过增强选择栅极晶体管的沟道结构中的电场向存储器单元串提供增强操作。所述沟道结构可实施为用于漏极的分段部分及与栅极相对的部分。所述分段部分包含一或多个翅片及一或多个非导电区域，其中翅片与非导电区域两者从与所述栅极相对的所述部分竖直地延伸。具有所述分段部分的与所述栅极相对的所述部分的边界区域的变体可包含从所述翅片延伸到与所述栅极相对的所述部分的尖角区域或在所述非导电区域下面的圆边界区域。此类选择栅极晶体管可使用单光掩模工艺形成。论述额外装置、系统及方法。
-
公开(公告)号：CN114649343A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111548304.8
申请日：2021-12-16
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 福住嘉晃 , 藤木润 , M·J·金 , S·古普塔 , P·泰萨里欧 , K·什鲁蒂 , 白桂鉉 , K·A·里特尔 , 田中秋二 , U·M·梅奥托 , R·J·希尔 , M·霍兰
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 本申请案涉及包含分层级堆叠的微电子装置以及相关电子系统及方法。一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置在层级中的导电结构与绝缘结构的竖直交替序列，所述堆叠结构划分为通过狭槽结构彼此分离的块结构；存储器单元串，其竖直延伸穿过所述堆叠结构的所述块结构，所述存储器单元串个别地包括竖直延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料；额外堆叠结构，其竖直上覆在所述堆叠结构上且包括布置在额外层级中的额外导电结构与额外绝缘结构的竖直序列；第一支柱，其延伸穿过所述额外堆叠结构且竖直上覆在所述存储器单元串上，所述第一支柱中的每一者从对应存储器单元串的中心水平偏移；第二支柱，其延伸穿过所述额外堆叠结构且竖直上覆在所述存储器单元串上；及额外狭槽结构，其包括介电材料，所述介电材料延伸穿过所述额外堆叠结构的至少一部分且将所述块结构中的每一者细分为子块结构，所述额外狭槽结构水平相邻于所述第一支柱。还描述了相关微电子装置、电子系统及方法。
-
公开(公告)号：CN114121995A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111017950.1
申请日：2021-08-31
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11575 , H01L27/11582 , G11C16/10
Abstract: 本申请案涉及包含突出到上部导柱部分中的隔离结构的微电子装置，以及相关方法和系统。微电子装置包含堆叠结构，其包括以层次布置的绝缘结构和导电结构的竖直交替序列。一连串导柱延伸穿过所述堆叠结构。至少一个隔离结构延伸穿过所述堆叠结构的上部堆叠部分。所述至少一个隔离结构突出到所述一连串导柱的导柱的相邻列的导柱中。导电触点与所述至少一个隔离结构突出到其中的所述导柱电通信。也公开相关方法和电子系统。
-
公开(公告)号：CN113795918A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080033542.2
申请日：2020-04-07
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L23/522 , H01L21/311
Abstract: 一种用于形成存储器阵列和导电阵列通孔(TAV)的方法包括形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠。在所述堆叠上方形成包括水平伸长的沟槽开口和操作性TAV开口的掩模。通过所述掩模中的所述沟槽开口和所述操作性TAV开口对所述堆叠的未掩蔽部分进行蚀刻以在所述堆叠中形成水平伸长的沟槽开口且在所述堆叠中形成操作性TAV开口。在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中形成导电材料以在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中的个别者中形成个别操作性TAV。在所述堆叠中的所述沟槽开口中的个别者中形成字线介入结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113113067A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110003214.4
申请日：2021-01-04
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及集成组合件内的基础支撑件。一些实施例包含一种集成组合件，其具有基底(例如，单晶硅晶片)且具有在所述基底上面并沿着沟道材料柱的存储器单元。导电结构在所述存储器单元与所述基底之间。所述沟道材料柱与所述导电结构耦合。基础结构延伸到所述基底中且向上突出到所述导电结构上方的层级。所述基础结构将所述导电结构锁定到所述基底以对所述导电结构提供基础支撑。
-
公开(公告)号：CN112436012A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010825265.0
申请日：2020-08-17
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 胡怡 , R·M·阿卜杜勒拉哈曼 , N·比利克 , D·比林斯利 , 柏振宇 , J·M·卡什 , M·J·金 , A·李 , D·诺伊迈耶 , W·Y·吴 , Y·K·朴 , C·蒂瓦里 , 王宜平 , L·威廉森 , 张晓松
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括个别地包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的操作性沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层。居间材料在横向上处于横向紧邻的所述存储器块之间且在纵向上沿着所述存储器块。所述居间材料包括其中个别地具有竖直伸长接缝的纵向交替的第一和第二区域。所述竖直伸长接缝在所述第一区域中比在所述第二区域中长。公开包含方法的额外实施例。
-
公开(公告)号：CN111223866A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911127058.1
申请日：2019-11-18
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/08
Abstract: 本申请案涉及形成半导体装置的方法并且涉及相关半导体装置和系统。一种形成半导体装置的方法包括形成牺牲性结构和支撑柱。所述牺牲性结构包括狭缝区中的经隔离牺牲性结构和柱区中的经连接牺牲性结构。在所述牺牲性结构和支撑柱上方形成层次，且移除所述层次的一部分以形成层次柱和层次开口，从而暴露所述经连接牺牲性结构和支撑柱。移除所述经连接牺牲性结构以形成腔，所述腔的一部分在所述经隔离牺牲性结构下方延伸。在所述层次柱上方和所述腔的侧壁上方形成单元膜。在所述层次开口中和所述单元膜上方形成填充材料。移除所述狭缝区中的所述层次的一部分，从而暴露所述经隔离牺牲性结构，移除所述经隔离牺牲性结构以形成源极开口。将所述源极开口连接到所述腔，且在所述源极开口中和所述腔中形成导电材料。还公开半导体装置和系统。
-
公开(公告)号：CN109427795A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810959506.3
申请日：2018-08-22
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L29/20 , H01L29/207
Abstract: 本申请案涉及包括掺杂碳的氮化硅的半导体装置结构和相关方法。本发明涉及一种半导体装置结构，其包括交替的电介质层级和导电层级的分层以及在阶梯结构的所述分层上方的掺杂碳的氮化硅。所述掺杂碳的氮化硅排除碳氮化硅。一种形成所述半导体装置结构的方法包括在包括交替的电介质层级和导电层级的阶梯结构中形成梯级。在所述梯级上方形成掺杂碳的氮化硅，在所述掺杂碳的氮化硅上方形成氧化物材料且在所述氧化物材料中形成开口。所述开口延伸到所述掺杂碳的氮化硅。移除所述掺杂碳的氮化硅以将所述开口延伸到所述阶梯结构的所述导电层级中。本发明揭示额外方法。
-
公开(公告)号：CN117957929A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280063257.4
申请日：2022-08-30
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 赵博 , M·J·金 , J·里斯 , M·J·戈斯曼 , S·K·瓦迪韦尔 , M·J·巴克利 , 徐丽芳 , J·D·彼得松 , M·帕克 , A·L·奥尔森 , D·A·奎利 , 张晓松 , J·B·德胡特 , Z·F·尤 , K·S·周 , T·M·Q·陈 , 王淼鑫
Abstract: 一种微电子装置包含：堆叠结构，其包含布置成层级的导电结构与绝缘结构的竖直交替序列、竖直延伸到所述堆叠结构中且在所述堆叠结构的两个内部侧壁之间界定的电介质填充开口；体育场结构，其在所述堆叠结构内且包括由所述层级中的至少一些的水平端界定的台阶；第一凸缘，其从所述体育场结构的所述台阶中的第一最上台阶向上延伸且与所述堆叠结构的所述两个内部侧壁中的第一内部侧壁对接；及第二凸缘，其从所述体育场结构的所述台阶中的第二相对最上台阶向上延伸且与所述两个内部侧壁的第二相对内部侧壁对接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.034 seconds)
