公开(公告)号：CN109427795A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810959506.3

申请日：2018-08-22

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 房骏 ,  王菲 ,  S·拉托德 ,  R·纳鲁卡尔 ,  M·帕克 ,  M·J·金

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207

Abstract: 本申请案涉及包括掺杂碳的氮化硅的半导体装置结构和相关方法。本发明涉及一种半导体装置结构，其包括交替的电介质层级和导电层级的分层以及在阶梯结构的所述分层上方的掺杂碳的氮化硅。所述掺杂碳的氮化硅排除碳氮化硅。一种形成所述半导体装置结构的方法包括在包括交替的电介质层级和导电层级的阶梯结构中形成梯级。在所述梯级上方形成掺杂碳的氮化硅，在所述掺杂碳的氮化硅上方形成氧化物材料且在所述氧化物材料中形成开口。所述开口延伸到所述掺杂碳的氮化硅。移除所述掺杂碳的氮化硅以将所述开口延伸到所述阶梯结构的所述导电层级中。本发明揭示额外方法。

公开(公告)号：CN109427795B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201810959506.3

申请日：2018-08-22

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 房骏 ,  王菲 ,  S·拉托德 ,  R·纳鲁卡尔 ,  M·帕克 ,  M·J·金

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/20 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207

Abstract: 本申请案涉及包括掺杂碳的氮化硅的半导体装置结构和相关方法。本发明涉及一种半导体装置结构，其包括交替的电介质层级和导电层级的分层以及在阶梯结构的所述分层上方的掺杂碳的氮化硅。所述掺杂碳的氮化硅排除碳氮化硅。一种形成所述半导体装置结构的方法包括在包括交替的电介质层级和导电层级的阶梯结构中形成梯级。在所述梯级上方形成掺杂碳的氮化硅，在所述掺杂碳的氮化硅上方形成氧化物材料且在所述氧化物材料中形成开口。所述开口延伸到所述掺杂碳的氮化硅。移除所述掺杂碳的氮化硅以将所述开口延伸到所述阶梯结构的所述导电层级中。本发明揭示额外方法。