公开(公告)号：CN116018891A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202180049928.7

申请日：2021-07-02

Applicant: 美光科技公司

Inventor： D·比林斯利 ,  M·J·金 ,  J·D·格林利 ,  Y·J·胡 ,  T·乔治 ,  A·拉伊 ,  S·古普塔 ,  K·A·里特尔

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/20

Abstract: 一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成层的交替的导电结构和绝缘结构，所述层中的每一个分别包括导电结构和绝缘结构；存储器单元串，其竖直地延伸穿过所述堆叠结构，所述存储器单元串包括竖直地延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料；以及另一堆叠结构，其竖直上覆于所述堆叠结构且包括其它导电结构和其它绝缘结构的交替层级的其它层，所述其它导电结构展现比所述堆叠结构的所述导电结构的导电性更大的导电性。还描述了相关存储器装置、电子系统和方法。

公开(公告)号：CN114792690A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210069656.3

申请日：2022-01-21

Applicant: 美光科技公司

Inventor： S·古普塔 ,  N·考希克 ,  P·夏尔马 ,  K·A·里特尔

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本申请案涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，其具有竖直延伸穿过交替的导电层级和绝缘层级的堆叠的沟道材料柱。所述沟道材料柱包含第一半导体材料。第二半导体材料直接抵靠所述沟道材料柱的上部区。所述第二半导体材料具有比所述第一半导体材料更高的掺杂剂浓度且沿着突变界面区接合到所述第一半导体材料，使得极少或不存在掺杂剂从所述第二半导体材料到所述第一半导体材料中的混合。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

公开(公告)号：CN114078861A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110907888.7

申请日：2021-08-09

Applicant: 美光科技公司

Inventor： S·古普塔 ,  D·R·埃科诺米 ,  R·J·希尔 ,  K·A·里特尔 ,  N·考希克

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/11551

Abstract: 本申请案涉及形成设备的方法以及有关设备、存储器装置及电子系统。形成设备的所述方法包含形成垂直地延伸穿过第一隔离材料的柱状结构，形成可操作地耦合到所述柱状结构的导电线，形成上覆所述导电线的介电结构，及在邻近导电线之间形成气隙。所述气隙侧向相邻于所述导电线，其中所述气隙的部分在所述侧向相邻导电线的上部表面的平面上面延伸，且所述气隙的部分在所述侧向相邻导电线的下部表面的平面下面延伸。

公开(公告)号：CN115669257A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180038271.4

申请日：2021-07-02

Applicant: 美光科技公司

Inventor： N·考希克 ,  蒲田佳彦 ,  R·J·希尔 ,  K·A·里特尔 ,  T·O·伊瓦萨基 ,  刘海涛

IPC: H10B43/10 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 一些实施例包含一种具有通道材料结构且具有沿着所述通道材料结构的存储器单元的组合件。所述存储器单元包含电荷存储材料。线性导电结构与所述通道材料结构垂直偏移，并与所述通道材料结构电耦合。中介区位于所述线性导电结构之间。导电屏蔽结构位于所述中介区内。所述导电屏蔽结构与参考电压源电耦合。

公开(公告)号：CN114649343A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111548304.8

申请日：2021-12-16

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 福住嘉晃 ,  藤木润 ,  M·J·金 ,  S·古普塔 ,  P·泰萨里欧 ,  K·什鲁蒂 ,  白桂鉉 ,  K·A·里特尔 ,  田中秋二 ,  U·M·梅奥托 ,  R·J·希尔 ,  M·霍兰

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 本申请案涉及包含分层级堆叠的微电子装置以及相关电子系统及方法。一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置在层级中的导电结构与绝缘结构的竖直交替序列，所述堆叠结构划分为通过狭槽结构彼此分离的块结构；存储器单元串，其竖直延伸穿过所述堆叠结构的所述块结构，所述存储器单元串个别地包括竖直延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料；额外堆叠结构，其竖直上覆在所述堆叠结构上且包括布置在额外层级中的额外导电结构与额外绝缘结构的竖直序列；第一支柱，其延伸穿过所述额外堆叠结构且竖直上覆在所述存储器单元串上，所述第一支柱中的每一者从对应存储器单元串的中心水平偏移；第二支柱，其延伸穿过所述额外堆叠结构且竖直上覆在所述存储器单元串上；及额外狭槽结构，其包括介电材料，所述介电材料延伸穿过所述额外堆叠结构的至少一部分且将所述块结构中的每一者细分为子块结构，所述额外狭槽结构水平相邻于所述第一支柱。还描述了相关微电子装置、电子系统及方法。