-
公开(公告)号：CN116018891A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202180049928.7
申请日：2021-07-02
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成层的交替的导电结构和绝缘结构，所述层中的每一个分别包括导电结构和绝缘结构；存储器单元串，其竖直地延伸穿过所述堆叠结构，所述存储器单元串包括竖直地延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料；以及另一堆叠结构，其竖直上覆于所述堆叠结构且包括其它导电结构和其它绝缘结构的交替层级的其它层，所述其它导电结构展现比所述堆叠结构的所述导电结构的导电性更大的导电性。还描述了相关存储器装置、电子系统和方法。
-
公开(公告)号：CN110010611A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811569295.9
申请日：2018-12-21
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 本申请案涉及导电结构、在导电结构上具有垂直堆叠的存储器单元的组合件及形成导电结构的方法。一些实施例包含一种集成电路的导电结构。所述导电结构包含上部主部分，其中所述上部主部分具有被配置为容器的第一导电组成部分。所述容器具有底部及从所述底部向上延伸的一对侧壁。所述容器的内部区位于所述底部上方且位于所述侧壁之间。所述上部主部分包含被配置为块体的第二导电组成部分，所述块体填充所述容器的所述内部区。所述第二导电组成部分与所述第一导电组成部分具有不同的组成。一或多个导电突起部结合到所述上部主部分且从所述上部主部分向下延伸。一些实施例包含包括位于导电结构上方的存储器单元的组合件。一些实施例包含形成导电结构的方法。
-
公开(公告)号：CN116940118A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310277418.6
申请日：2023-03-20
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B43/10 , H10B43/35 , H10B43/40 , H10B43/50 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括直接在包括含硅材料的导体层上方形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区和阵列穿孔TAV区。所述堆叠在所述存储器块区中包括延伸穿过所述第一层和所述第二层的沟道材料串。所述堆叠在所述TAV区中包括延伸到所述导体层的所述含硅材料的TAV开口。使金属卤化物与所述含硅材料的所述硅反应以将所述金属卤化物的所述金属沉积在所述导体层中。在沉积所述金属之后，在所述TAV开口中直接抵靠所述所沉积金属形成导电材料，且由此在所述TAV开口中的个别者中形成包括所述导电材料和所述所沉积金属的TAV。公开了结构实施例。
-
公开(公告)号：CN114144874A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080051635.8
申请日：2020-07-27
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/768 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 一些实施例包含一种具有包含含硅材料的导电结构的存储器装置。堆叠在所述导电结构上方且包含交替绝缘层级与导电层级。沟道材料支柱延伸穿过所述堆叠且与所述导电结构电耦合。存储器单元沿着所述沟道材料支柱。导电势垒材料在所述含硅材料下方。所述导电势垒材料包含一或多种金属与一或多种非金属的组合。电接触件在所述导电势垒材料下方。所述电接触件包含与硅反应的区域。至少部分归因于所述导电势垒材料而使硅无法到达所述区域。控制电路系统在所述电接触件下方且通过至少所述电接触件及所述导电势垒材料与所述导电结构电耦合。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.026 seconds)
