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公开(公告)号：CN114631184A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080074196.2
申请日：2020-09-14
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 一种形成微电子装置的方法包括形成微电子装置结构。所述微电子装置结构包括：堆叠结构，其包括绝缘结构及与所述绝缘结构垂直交替的额外绝缘结构；电介质结构，其部分地垂直延伸穿过所述堆叠结构；及电介质材料，其垂直上覆于所述堆叠结构及所述电介质结构且跨所述堆叠结构及所述电介质结构水平延伸。移除至少所述电介质材料及所述电介质结构的部分以形成垂直上覆于所述电介质结构的剩余部分且与所述剩余部分至少部分水平重叠的沟槽。用额外电介质材料基本上填充所述沟槽。还描述微电子装置、存储器装置及电子系统。
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公开(公告)号：CN110556382A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910450899.X
申请日：2019-05-28
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请涉及竖向延伸的存储器单元串的阵列和形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法。一种竖向延伸的存储器单元串的阵列包括交替的绝缘层与字线层的竖直堆叠。所述字线层具有对应于个别存储器单元的控制栅极区的末端。所述控制栅极区个别地包括所述字线层中的个别字线层中的字线的部分。所述个别存储器单元的电荷阻挡区竖向地沿着所述个别控制栅极区延伸。所述个别存储器单元的电荷存储材料竖向地沿着所述电荷阻挡区中的个别电荷阻挡区延伸。沟道材料竖向地沿着所述竖直堆叠延伸。绝缘电荷传递材料横向地位于所述沟道材料与所述电荷存储材料之间。竖向延伸的壁横向地分离所述字线中的横向紧邻的字线。所述壁包括横向外部绝缘材料和横向地横跨所述横向外部绝缘材料之间的含硅材料。所述含硅材料包括至少30原子％的元素形式硅或含硅合金中的至少一种。还公开了其它方面，包含方法。
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公开(公告)号：CN110034120A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811545021.6
申请日：2018-12-17
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有从导电结构向上延伸的沟道材料结构的组合件。锚固结构从所述沟道材料结构横向偏移且穿透到所述导电结构中达足以对所述组合件的至少一部分提供机械稳定性的深度。所述导电结构可包含位于第二导电材料上方的第一导电材料，且可为三维NAND配置的源极线。一些实施例包含形成具有沟道材料结构及锚固结构的组合件的方法。
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公开(公告)号：CN113795918B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202080033542.2
申请日：2020-04-07
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B43/27 , H10B43/35 , H10B41/35 , H10B41/27 , H01L23/522 , H01L21/311
Abstract: 一种用于形成存储器阵列和导电阵列通孔(TAV)的方法包括形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠。在所述堆叠上方形成包括水平伸长的沟槽开口和操作性TAV开口的掩模。通过所述掩模中的所述沟槽开口和所述操作性TAV开口对所述堆叠的未掩蔽部分进行蚀刻以在所述堆叠中形成水平伸长的沟槽开口且在所述堆叠中形成操作性TAV开口。在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中形成导电材料以在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中的个别者中形成个别操作性TAV。在所述堆叠中的所述沟槽开口中的个别者中形成字线介入结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113785395B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202080032691.7
申请日：2020-04-03
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B43/27 , H10B43/10 , H10B43/35 , H01L21/768
Abstract: 一种用于形成存储器阵列的方法包括在衬底顶上形成导电层，其中所述导电层中包括开口。绝缘体层在所述导电层顶上形成，且所述绝缘体层包括向下延伸到所述导电层中的所述开口中的绝缘体材料。包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠形成在所述绝缘体层上方。形成包括沟道材料的延伸穿过所述绝缘层和所述字线层的串。所述串的所述沟道材料直接电耦合到所述导电层中的导电材料。公开了与方法无关的结构。
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公开(公告)号：CN111063688B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201910984475.1
申请日：2019-10-16
Applicant: 美光科技公司
Inventor： J·B·德胡特 , E·拜尔斯 , M·L·卡尔森 , I·V·恰雷 , D·法兹尔 , J·D·霍普金斯 , N·M·洛梅利 , E·纳尔逊 , J·D·彼得松 , D·帕夫洛珀罗斯 , P·泰萨里欧 , 徐丽芳
Abstract: 本申请案涉及存储器阵列及在形成存储器阵列时所使用的方法。一种在形成存储器阵列时所使用的方法包括：形成包括垂直交替的绝缘叠层与字线叠层的堆叠。所述堆叠在所述字线叠层上方包括绝缘体叠层。所述绝缘体叠层包括第一绝缘体材料，所述第一绝缘体材料包括硅、氮以及碳、氧、硼及磷中的一或多者。对所述第一绝缘体材料进行图案化以在所述绝缘体叠层中形成第一水平伸长的沟槽。在所述第一沟槽中沿着所述第一绝缘体材料的侧壁形成第二绝缘体材料。所述第二绝缘体材料具有与所述第一绝缘体材料的组合物不同的组合物且使所述第一沟槽变窄。在形成所述第二绝缘体材料之后，穿过所述绝缘叠层及所述字线叠层而形成第二水平伸长的沟槽。所述第二沟槽水平地沿着所述变窄的第一沟槽、横向介于所述第二绝缘体材料之间且位于所述第二绝缘体材料下方。在所述堆叠中形成
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公开(公告)号：CN109075166B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201780024561.7
申请日：2017-04-17
Applicant: 美光科技公司
Inventor： J·B·德胡特 , 王非 , C·E·卡特 , I·拉博瑞安特 , J·D·霍普金斯 , K·舍罗特瑞 , R·迈耶 , V·沙马娜 , K·R·帕雷克 , M·C·罗伯茨 , M·帕克
Abstract: 一些实施例包含一种具有与介电层交替的竖直堆叠导电层的集成结构。所述导电层上方的层包含硅、氮以及碳、氧、硼与磷中的一或多者。在一些实施例中，所述竖直堆叠导电层是NAND存储器阵列内的字线层。一些实施例包含一种具有与介电层交替的竖直堆叠导电层的集成结构。竖直堆叠NAND存储器单元在存储器阵列区域内沿着所述导电层。阶梯区域紧接所述存储器阵列区域。所述阶梯区域具有与所述导电层一对一对应的电接触件。层在所述存储器阵列区域及所述阶梯区域上方。所述层包含硅、氮以及碳、氧、硼与磷中的一或多者。
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公开(公告)号：CN114388516A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111159198.4
申请日：2021-09-30
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556
Abstract: 本申请案涉及具有包含金属插塞的狭缝结构的微电子装置及相关方法及系统。微电子装置可包含包括绝缘结构与导电结构的竖直交替序列的堆叠结构，所述堆叠结构划分成块部分。所述微电子装置可另外包含水平插入于所述堆叠结构的所述块部分之间的狭缝结构。所述狭缝结构中的每一者可包含：电介质衬层，其覆盖所述堆叠结构的侧面及下伏于所述堆叠结构的额外结构的上面；及插塞结构，其包括由所述电介质衬层包围的至少一种金属。
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公开(公告)号：CN114026691A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080045089.7
申请日：2020-08-12
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/11519 , H01L27/11565
Abstract: 一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述横向间隔开的存储器块各自包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层面和导电层面。存储器单元的操作性沟道材料串延伸穿过所述绝缘层面和所述导电层面。绝缘支柱横向处于横向紧邻的所述存储器块之间并且沿着横向紧邻的所述存储器块纵向间隔开。所述支柱直接抵靠所述导电层面中的导电线的导电材料。公开其它阵列和方法。
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