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公开(公告)号：CN111063688A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910984475.1
申请日：2019-10-16
Applicant: 美光科技公司
Inventor： J·B·德胡特 , E·拜尔斯 , M·L·卡尔森 , I·V·恰雷 , D·法兹尔 , J·D·霍普金斯 , N·M·洛梅利 , E·纳尔逊 , J·D·彼得松 , D·帕夫洛珀罗斯 , P·泰萨里欧 , 徐丽芳
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本申请案涉及存储器阵列及在形成存储器阵列时所使用的方法。一种在形成存储器阵列时所使用的方法包括：形成包括垂直交替的绝缘叠层与字线叠层的堆叠。所述堆叠在所述字线叠层上方包括绝缘体叠层。所述绝缘体叠层包括第一绝缘体材料，所述第一绝缘体材料包括硅、氮以及碳、氧、硼及磷中的一或多者。对所述第一绝缘体材料进行图案化以在所述绝缘体叠层中形成第一水平伸长的沟槽。在所述第一沟槽中沿着所述第一绝缘体材料的侧壁形成第二绝缘体材料。所述第二绝缘体材料具有与所述第一绝缘体材料的组合物不同的组合物且使所述第一沟槽变窄。在形成所述第二绝缘体材料之后，穿过所述绝缘叠层及所述字线叠层而形成第二水平伸长的沟槽。所述第二沟槽水平地沿着所述变窄的第一沟槽、横向介于所述第二绝缘体材料之间且位于所述第二绝缘体材料下方。在所述堆叠中形成竖向延伸的存储器单元串。本发明揭示独立于方法的结构。
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公开(公告)号：CN117529110A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311590738.3
申请日：2019-10-16
Applicant: 美光科技公司
Inventor： J·B·德胡特 , E·拜尔斯 , M·L·卡尔森 , I·V·恰雷 , D·法兹尔 , J·D·霍普金斯 , N·M·洛梅利 , E·纳尔逊 , J·D·彼得松 , D·帕夫洛珀罗斯 , P·泰萨里欧 , 徐丽芳
Abstract: 本申请案涉及存储器阵列及在形成存储器阵列时所使用的方法。一种在形成存储器阵列时所使用的方法包括：形成包括垂直交替的绝缘叠层与字线叠层的堆叠。所述堆叠在所述字线叠层上方包括绝缘体叠层。所述绝缘体叠层包括第一绝缘体材料，所述第一绝缘体材料包括硅、氮以及碳、氧、硼及磷中的一或多者。对所述第一绝缘体材料进行图案化以在所述绝缘体叠层中形成第一水平伸长的沟槽。在所述第一沟槽中沿着所述第一绝缘体材料的侧壁形成第二绝缘体材料。所述第二绝缘体材料具有与所述第一绝缘体材料的组合物不同的组合物且使所述第一沟槽变窄。在形成所述第二绝缘体材料之后，穿过所述绝缘叠层及所述字线叠层而形成第二水平伸长的沟槽。
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公开(公告)号：CN111063688B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201910984475.1
申请日：2019-10-16
Applicant: 美光科技公司
Inventor： J·B·德胡特 , E·拜尔斯 , M·L·卡尔森 , I·V·恰雷 , D·法兹尔 , J·D·霍普金斯 , N·M·洛梅利 , E·纳尔逊 , J·D·彼得松 , D·帕夫洛珀罗斯 , P·泰萨里欧 , 徐丽芳
Abstract: 本申请案涉及存储器阵列及在形成存储器阵列时所使用的方法。一种在形成存储器阵列时所使用的方法包括：形成包括垂直交替的绝缘叠层与字线叠层的堆叠。所述堆叠在所述字线叠层上方包括绝缘体叠层。所述绝缘体叠层包括第一绝缘体材料，所述第一绝缘体材料包括硅、氮以及碳、氧、硼及磷中的一或多者。对所述第一绝缘体材料进行图案化以在所述绝缘体叠层中形成第一水平伸长的沟槽。在所述第一沟槽中沿着所述第一绝缘体材料的侧壁形成第二绝缘体材料。所述第二绝缘体材料具有与所述第一绝缘体材料的组合物不同的组合物且使所述第一沟槽变窄。在形成所述第二绝缘体材料之后，穿过所述绝缘叠层及所述字线叠层而形成第二水平伸长的沟槽。所述第二沟槽水平地沿着所述变窄的第一沟槽、横向介于所述第二绝缘体材料之间且位于所述第二绝缘体材料下方。在所述堆叠中形成
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公开(公告)号：CN110556383A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910455257.9
申请日：2019-05-29
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11526 , H01L27/11551 , H01L27/11573 , H01L27/11578
Abstract: 本申请涉及一种集成电路系统、一种存储器集成电路系统以及用于形成集成电路系统的方法。一种用于形成集成电路系统的方法包括形成不同组成材料的竖直交替层的堆叠。形成至所述堆叠中的阶梯梯级结构，并且邻近所述阶梯梯级结构并在其之上形成上部平台。将所述阶梯梯级结构形成为包括所述不同组成材料的竖直交替层。多个阶梯个别地包括所述不同组成材料层中的两层。所述阶梯中的至少一些个别地具有仅两层，每层仅具有所述不同组成材料中的不同一者。位于所述上部平台下方的所述阶梯的上部包括所述不同组成材料层中的至少四层。公开了独立于方法的结构。
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