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公开(公告)号：CN115428151A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180016109.2
申请日：2021-02-10
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11548 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L25/065 , G06F3/06
Abstract: 一种微电子装置包括具有存储器阵列区和阶梯区的微电子装置结构。所述微电子装置结构包括：具有层的堆叠结构，每个层包括导电结构和绝缘结构；阶梯结构，其限制在所述阶梯区内且具有台阶，所述台阶包括所述堆叠结构中处于所述叠组和所述额外叠组内的所述层的边缘；及半导电导柱结构，其限制在所述存储器阵列区内且延伸穿过所述堆叠结构。所述堆叠结构包括：叠组，其包括一组所述层；额外叠组，其上覆于所述叠组且包括额外一组所述层；及叠组间区段，其处于所述叠组和所述额外叠组之间且包括限制在所述存储器阵列区内的介电结构及处于所述介电结构的竖直边界内且限制在所述阶梯区内的另一组所述层。
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公开(公告)号：CN110556383A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910455257.9
申请日：2019-05-29
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11526 , H01L27/11551 , H01L27/11573 , H01L27/11578
Abstract: 本申请涉及一种集成电路系统、一种存储器集成电路系统以及用于形成集成电路系统的方法。一种用于形成集成电路系统的方法包括形成不同组成材料的竖直交替层的堆叠。形成至所述堆叠中的阶梯梯级结构，并且邻近所述阶梯梯级结构并在其之上形成上部平台。将所述阶梯梯级结构形成为包括所述不同组成材料的竖直交替层。多个阶梯个别地包括所述不同组成材料层中的两层。所述阶梯中的至少一些个别地具有仅两层，每层仅具有所述不同组成材料中的不同一者。位于所述上部平台下方的所述阶梯的上部包括所述不同组成材料层中的至少四层。公开了独立于方法的结构。
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公开(公告)号：CN117957929A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280063257.4
申请日：2022-08-30
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 赵博 , M·J·金 , J·里斯 , M·J·戈斯曼 , S·K·瓦迪韦尔 , M·J·巴克利 , 徐丽芳 , J·D·彼得松 , M·帕克 , A·L·奥尔森 , D·A·奎利 , 张晓松 , J·B·德胡特 , Z·F·尤 , K·S·周 , T·M·Q·陈 , 王淼鑫
Abstract: 一种微电子装置包含：堆叠结构，其包含布置成层级的导电结构与绝缘结构的竖直交替序列、竖直延伸到所述堆叠结构中且在所述堆叠结构的两个内部侧壁之间界定的电介质填充开口；体育场结构，其在所述堆叠结构内且包括由所述层级中的至少一些的水平端界定的台阶；第一凸缘，其从所述体育场结构的所述台阶中的第一最上台阶向上延伸且与所述堆叠结构的所述两个内部侧壁中的第一内部侧壁对接；及第二凸缘，其从所述体育场结构的所述台阶中的第二相对最上台阶向上延伸且与所述两个内部侧壁的第二相对内部侧壁对接。
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公开(公告)号：CN117677196A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311161767.8
申请日：2023-09-08
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及包含阶梯结构的微电子装置及相关方法、存储器装置及电子系统。微电子装置包含堆叠结构，所述堆叠结构包含块区及非块区。所述块区包含在第一水平方向上通过绝缘槽结构彼此分离且各自包含以层级布置的导电材料与绝缘材料的竖直交替序列的块。所述块中的至少一者具有体育场结构，其个别地包含具有包括所述层级中的一些的边缘的梯级的阶梯结构。所述非块区在所述第一水平方向上与所述块区相邻。所述非块区包含额外体育场结构，其个别地终止于所述堆叠结构内相对高于至少部分在其在正交于所述第一水平方向的第二水平方向上的边界内的所述体育场结构中的至少一者的竖直位置处。
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