公开(公告)号：CN117957929A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202280063257.4

申请日：2022-08-30

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 赵博 ,  M·J·金 ,  J·里斯 ,  M·J·戈斯曼 ,  S·K·瓦迪韦尔 ,  M·J·巴克利 ,  徐丽芳 ,  J·D·彼得松 ,  M·帕克 ,  A·L·奥尔森 ,  D·A·奎利 ,  张晓松 ,  J·B·德胡特 ,  Z·F·尤 ,  K·S·周 ,  T·M·Q·陈 ,  王淼鑫

IPC: H10B41/20 ,  H10B41/35 ,  H10B43/20 ,  H10B43/35

Abstract: 一种微电子装置包含：堆叠结构，其包含布置成层级的导电结构与绝缘结构的竖直交替序列、竖直延伸到所述堆叠结构中且在所述堆叠结构的两个内部侧壁之间界定的电介质填充开口；体育场结构，其在所述堆叠结构内且包括由所述层级中的至少一些的水平端界定的台阶；第一凸缘，其从所述体育场结构的所述台阶中的第一最上台阶向上延伸且与所述堆叠结构的所述两个内部侧壁中的第一内部侧壁对接；及第二凸缘，其从所述体育场结构的所述台阶中的第二相对最上台阶向上延伸且与所述两个内部侧壁的第二相对内部侧壁对接。

公开(公告)号：CN109509754A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811003989.6

申请日：2018-08-30

Applicant: 美光科技公司

Inventor： P·泰萨里欧 ,  J·B·德胡特 ,  I·V·恰雷 ,  方俊 ,  M·帕克 ,  谢志强 ,  S·D·斯塔尔 ,  D·奥斯特贝格 ,  J·里斯 ,  李健

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11551

Abstract: 本申请案涉及用于形成电路结构的一种装置和一种方法。一种装置包括竖向延伸的晶体管阵列和邻近于并电耦合到所述阵列的所述竖向延伸的晶体管的电路结构。所述电路结构包括阶梯式结构，所述阶梯式结构包括竖直交替的层，所述竖直交替的层包括通过绝缘材料至少部分地彼此竖向分离的导电阶状物。操作性导电通路孔至少分别竖向地延伸穿过所述导电阶状物中的一个到所述竖直交替的层的底部，且分别电耦合到所述竖直交替的层下方的电子组件。虚设结构至少分别竖向地延伸穿过所述导电阶状物中的一个到所述竖直交替的层的所述底部。还公开了方法。

公开(公告)号：CN110556383A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910455257.9

申请日：2019-05-29

Applicant: 美光科技公司

Inventor： M·J·戈斯曼 ,  M·J·巴克利 ,  M·J·金 ,  E·纳尔逊 ,  M·帕克 ,  J·里斯 ,  徐丽芳 ,  赵博

IPC: H01L27/11526 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578

Abstract: 本申请涉及一种集成电路系统、一种存储器集成电路系统以及用于形成集成电路系统的方法。一种用于形成集成电路系统的方法包括形成不同组成材料的竖直交替层的堆叠。形成至所述堆叠中的阶梯梯级结构，并且邻近所述阶梯梯级结构并在其之上形成上部平台。将所述阶梯梯级结构形成为包括所述不同组成材料的竖直交替层。多个阶梯个别地包括所述不同组成材料层中的两层。所述阶梯中的至少一些个别地具有仅两层，每层仅具有所述不同组成材料中的不同一者。位于所述上部平台下方的所述阶梯的上部包括所述不同组成材料层中的至少四层。公开了独立于方法的结构。