公开(公告)号：CN117957929A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202280063257.4

申请日：2022-08-30

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 赵博 ,  M·J·金 ,  J·里斯 ,  M·J·戈斯曼 ,  S·K·瓦迪韦尔 ,  M·J·巴克利 ,  徐丽芳 ,  J·D·彼得松 ,  M·帕克 ,  A·L·奥尔森 ,  D·A·奎利 ,  张晓松 ,  J·B·德胡特 ,  Z·F·尤 ,  K·S·周 ,  T·M·Q·陈 ,  王淼鑫

IPC: H10B41/20 ,  H10B41/35 ,  H10B43/20 ,  H10B43/35

Abstract: 一种微电子装置包含：堆叠结构，其包含布置成层级的导电结构与绝缘结构的竖直交替序列、竖直延伸到所述堆叠结构中且在所述堆叠结构的两个内部侧壁之间界定的电介质填充开口；体育场结构，其在所述堆叠结构内且包括由所述层级中的至少一些的水平端界定的台阶；第一凸缘，其从所述体育场结构的所述台阶中的第一最上台阶向上延伸且与所述堆叠结构的所述两个内部侧壁中的第一内部侧壁对接；及第二凸缘，其从所述体育场结构的所述台阶中的第二相对最上台阶向上延伸且与所述两个内部侧壁的第二相对内部侧壁对接。